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GD32F103是GD早期的产品,GD32E103和GD32F303是对GD32F103的升级和优化,所以4者是兼容的。虽然内核不同,但是通用外设几乎很少涉及到内核部分,在时间急迫的情况下可以使用ST的库开发。 一、相同点 1)外围引脚PIN TO PIN兼容,每个引脚上的复用功能也完全相同。 2)芯片内部寄存器、外部IP寄存器地址和逻辑地址完全相同,但是有些寄存器默认值不同,有些外设模块的设计时序上和STM32有差异,这点差异主要体现在软件上修改,详情见下文。 3)编译工具:完全相同,例如KEIL 、IAR。 4)型号命名方式完全相同,所以替代只需找尾缀相同的型号即可,例如:STM32F103C8T6 与 GD32E103C8T6。 5)仿真工具:JLINK GDLINK 二、外围硬件区别 三、硬件替换需要注意的地方 从以上介绍可以看出,GD32F30/E103系列和STM32F103系列是兼容的,但也需要一些注意的地方。 1)BOOT0必须接10K下拉或接GND,ST可悬空,这点很重要。 2)RC复位电路必须要有,否则MCU可能不能正常工作,ST的有时候可以不要。 3)有时候发现用仿真器连接不上。因为GD的swd接口驱动能力比ST弱,可以有如下几种方式解决: 线尽可能短一些 降低SWD通讯速率 SWDIO接10k上拉,SWCLK接10k下拉 4)使用电池供电等,注意GD的工作电压,例如跌落到2.0V~2.6V区间,ST还能工作,GD可能无法启动或工作异常。 四、使用ST标准库开发需要修改的地方 1)GD对时序要求严格,配置外设需要先打开时钟,在进行外设配置,否则可能导致外设无法配置成功;ST的可以先配置在开时钟。 2)修改外部晶振起振超时时间,不用外部晶振可跳过这步。 原因:GD与ST的启动时间存在差异,为了让GD MCU更准确复位。 修改: 将宏定义:#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)修改为:#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)3)GD32F10X flash取值零等待,而ST需要2个等待周期,因此,一些精确延时或者模拟IIC或SPI的代码可能需要修改。 原因:GD32采用专利技术提高了相同工作频率下的代码执行速度。 修改:如果使用for或while循环做精确定时的,定时会由于代码执行速度加快而使循环的时间变短,因此需要仿真重新计算设计延时。使用Timer定时器无影响。 4)在代码中设置读保护,如果使用外部工具读保护比如JFLASH或脱机烧录器设置,可跳过此步骤。 在写完KEY序列后,需要读该位确认key已生效,修改如下: 总共需要修改如下四个函数: FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);5)GD与ST在flash的Erase和Program时间上有差异,修改如下: 6)需求flash大于256K注意,小于256K可以忽略这项。 与ST不同,GD的flash存在分区的概念,前256K,CPU执行指令零等待,称code区,此范围外称为dataZ区。 两者在擦写操作上没有区别,但在读操作时间上存在较大差别,code区代码取值零等待,data区执行代码有较大延迟,代码执行效率比code区慢一个数量级,因此data区通常不建议运行对实时性要求高的代码。 为解决这个问题,可以使用分散加载的方法,比如把初始化代码,图片代码等放到data区。 总结:至此,经过以上修改,在不使用USB和网络能复杂协议的代码,就可以使用ST的代码操作了。 ~END~ |
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