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K3569场效应管参数
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K3569是一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，该晶体管具有许多优良特性，例如低RDS(ON)、高开关速度、增强模式、低漏电流等，可以在高功率、高频率应用中发挥良好的性能。 K3569晶体管的电气特性为±10 uA栅极漏电流、±30V、V（BR）GSS/栅极-源极击穿电压、100uA IDSS/漏极截止电流、2.0V至4.0V的栅极阈值电压/Vth、1500pF Ciss/输入电容、15pF Crss/反向传输电容和180Coss/输出电容。 K3569晶体管的开关时间也相当可以接受的。其导通时间为50纳秒，导通时间是晶体管将其状态从关闭变为开启所花费的时间；关闭时间为180纳秒，关闭时间是晶体管将其状态从开启变为关闭所花费的时间；上升时间是22纳秒；下降时间是36纳秒。MOSFET上升时间是从获得信号到打开输出之间的时间，而下降时间是MOSFET从获得信号关闭输出到关闭输出之间发生的时间。
K3569引脚配置如下：
需要注意的是，MOSFET晶体管是一种三极管，但与常见的普通三极管不同的是，MOSFET晶体管的控制极是电容负载的，而非电流驱动的。因此，在使用时需要采用恰当的驱动电路设计，保证控制信号能够准确、快速地控制MOSFET晶体管的导通和截止，以发挥其良好的性能。 规格参数封装类型：TO-220F 晶体管类型：N沟道 从漏极到源极施加的最大电压：600V 最大栅源电压应为：±30V 最大持续漏极电流为：10A 最大脉冲漏极电流为：40A 最大功耗为：45W 最大RDS(ON) 为0.75mΩ 导通状态下的最大漏源电阻 (RDS on)：75mΩ 输出电容为180pF 最高存储和工作温度应为：-40至+175摄氏度 K3569替代和等效的晶体管型号包括K2543、FDP15N65、HMS17N65、NTP150N65S3HF、SM6F26NSF。 主要应用
K3569晶体管可以用于开关稳压器应用，由于其高漏源电压，它也可以用于各种高压电路。此外，由于其快速开关能力和低电容，它也非常适合用于高频开关电路。一些常见的应用如下： 电源 不间断电源电路 电机驱动器应用 电池充电器电路 音频放大应用 太阳能充电器 太阳能电源 直流到直流转换器应用 电子镇流器电路 安全操作指南/绝对最大额定值： 要想安全地操作晶体管并获得长期良好的性能，请遵循以下准则： 不要将晶体管用于其绝对最大额定值，并始终保持低于这些额定值20%。 最大漏源电压为600V，因此不要驱动超过480V的负载。 最大连续漏极电流为10A，因此不要驱动超过8A的负载。 始终在高于-55°C和低于+150°C的温度下存储或操作MOSFET。 典型栅极电荷与栅极-源极电压
K3569是一种常用的功率MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低漏电流和良好的温度特性等优点，可以在高功率、高频率应用中发挥良好的性能。同时，由于其TO-220封装形式广泛应用于市场，因此较为便捷且方便与其他元件集成使用。 需要注意的是，由于MOSFET晶体管具有灵敏度较高的特性，使用时需要严格按照数据手册中的电路设计要求，避免过载或过压情况的出现，以免对MOSFET晶体管造成损坏。 |
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