ir2101中文资料

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600V

Tolerant to negative transient voltage

dV/dt immune

•

Gate drive supply range from 10 to 20V

•

Undervoltage lockout

•

3.3V, 5V, and 15V logic input compatible

•

Matched propagation delay for both channels

•

Outputs in phase with inputs (IR2101) or out of

phase with inputs (IR2102)

•

Also available LEAD-FREE

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Product Summary

V

OFFSET

600V max.

I

O

+/-

130 mA / 270 mA

V

OUT

10 - 20V

t

on/off

 (typ.)

160 & 150 ns

Delay Matching

50 ns

IR2101

(

S

)

/IR2102

(

S

) 

&

 (PbF)

Description

The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed

power MOSFET and IGBT drivers with independent

high and low side referenced output channels.  Pro-

prietary HVIC and latch immune CMOS technologies

enable ruggedized monolithic construction. The logic

input is compatible with standard CMOS or LSTTL

output, down to 3.3V logic.  The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum

driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in

the high side configuration which operates up to 600 volts.

www.irf.com

1

(Refer to Lead Assignments for correct pin

configuration). This/These diagram(s) show

electrical connections only.  Please refer to

our Application Notes and DesignTips for

proper circuit board layout.

IR2102

V

CC

V

B

V

S

HO

LO

COM

HIN

LIN

LIN

HIN

up to 600V

TO

LOAD

V

CC

IR2101

V

CC

V

B

V

S

HO

LO

COM

HIN

LIN

LIN

HIN

up to 600V

TO

LOAD

V

CC

Packages

8-Lead SOIC

IR2101S/IR2102S

8-Lead PDIP

IR2101/IR2102