芯片技术干货｜一文了解什么是高温反向偏压试验HTRB

　　AEC-Q101标准试验项目主要参考了军用级、工业级和车用级的标准，其中Group B加速寿命模拟试验中高温反向偏压（HTRB）试验方法就是军用级标准。参考了MIL-STD-750-1 M1038条件A（用于二极管、整流器和齐纳管）和M1039条件A（用于晶体管）。

　　试验目的

　　高温反向偏压（HTRB）试验旨在消除器件因制造异常产生的缺陷器件。如果没有老化，这些缺陷器件将在正常使用条件下过早出现寿命故障。另外，在特定条件下运转半导体器件，以揭示由时间和应力引起的电气故障模式。

　　试验条件

　　AEC-Q101标准要求在规定的最大直流反向电压下1000小时，同时调整结温以避免热失控，允许将环境温度TA从Ta（MAX）向下调整。

　　标准要求同时测试3批*77颗器件，过程中实时监控漏电流，老化前后也要测量静态参数。通常会制作各种专用老化板匹配不同封装器件加电老化，保证结果的准确性。

　　试验前的电性能参数

　　试验前后要进行基本的静态参数测量，参考以下表一和表二，所有器件性能参数必须符合用户零件规范的要求。

　　表一：

　　表二：

　　失效判定

　　a.应符合用户的零件规范中定义的性能参数要求规定；

　　b.试验后电性能参数应保持在初始值的±20%；

　　c.允许的泄漏电流不超过测试前初始值的5倍；

　　d.器件外观不可以出现任何物理损坏。

　　试验设备及参数

　　温度范围：室温+20℃～200℃

　　通道：16通道，8组电压控制

　　电压：2000V Max

　　尺寸：630宽×640高×600mm深

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