实验十二

1、实验十二_霍尔效应法测定螺线管轴向磁感应强度分布置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场， 这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系， 还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由

2、于结构简单、频率响应宽（高达10GHz）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制 的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将 有益处。一、实验目的1 掌握测试霍尔元件的工作特性。2 学习用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。3 学习用霍尔元件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。二、实验原理1. 霍尔效应法测量磁场原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中， 这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，

3、从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图（1） （a）所示的N型半导体试样，若在 X方向的电极D、E上通以电流Is,在Z方向 加磁场B，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力Fg 二 evB（1）其中e为载流子（电子）电量，为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B为磁感应强度。无论载流子是正电荷还是负电荷， Fg的方向均沿Y方向，在此力的作用下，载流子发生便移，则在 Y方向 即试样A、A电极两侧就开始聚积异号电荷而在试样 A、A两侧产生一个电位差 Vh,形成相应的附加电场 E 霍尔电场，相应的电压 Vh称为霍尔电压，电极 A、A称为霍尔电极。电场的指向取决于试样的导电类型。N型半导体的多数载流子

4、为电子， P型半导体的多数载流子为空穴。对 N型试样，霍尔电场逆Y方向，P型试样则沿Y方向，有Is(X),B(Z)Eh 0Eh 0（N型）（P型）显然，该电场是阻止载流子继 续向侧面偏移，试样中载流子将受 一个与Fg方向相反的横向电场力 FE eEH（ 2 ）其中Eh为霍尔电场强度。Fe随电荷积累增多而增大，当（a）（b）图（1）样品示意图达到稳恒状态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电场力e Eh与洛仑兹力eVB相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有eEn - eVB（ 3）设试样的宽度为b,厚度为d,载流子浓度为n,则电流强度Is与的V关系为Is 二 neVbd（4）由（3）、（ 4）两

5、式可得1 IsBIsBvh 二 Eh brh（ 5）ne dd1即霍尔电压 Vh（ A、A 电极之间的电压）与IsB乘积成正比与试样厚度 d成反比。比例系数 RH =丄 称为ne霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。由式（5）可见，只要测出Vh （伏）以及知道Is （安）、B （高斯）和d （厘米）可按下式计算 Rh （厘米3/库仑）。上式中的108是由于磁感应强度Vh! I。IsBB用电磁单位（高斯）而其它各量均采用霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其应用中式（5）常以如下形式出现:Vh 二 IsB（6）C、G、S

6、实用单位而引入。Rh和d已知，因此在实际（7）其中比例系数Kh = Rd1ned称为霍尔元件灵敏度（其值由制造厂家给出）,它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。Is称为控制电流。（7）式中的单位取Is为mA、B为KGS、Vh为mV ,则Kh 的单位为 mV/ ( mA KGS )。Kh越大，霍尔电压 VH越大，霍尔效应越明显。从应用上讲，Kh愈大愈好。Kh与载流子浓度n成反比，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，因此用半导体材料制成的霍尔元件，霍尔效应明显，灵敏度较高,这也是一般霍尔元件不用金属导体而用半导体制成的原因。另外，Kh还与d成反比，因此霍尔元件一般都很薄

7、。本实验所用的霍尔元件就是用N型半导体硅单晶切薄片制成的。由于霍尔效应的建立所需时间很短（约10-12 10-14s）,因此使用霍尔元件时用直流电或交流电均可。只是使用交流电时，所得的霍尔电压也是交变的，此时，式（7）中的Is和Vh应理解为有效值。根据（7）式，因Kh已知，而Is由实验给出，所以只要测出Vh就可以求得未知磁感应强度B。(8)B KhIs2. 霍尔电压 Vh的测量方法应该说明，在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的A、A/两电极之间的电压并不等于真实的Vh值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设法消除。根据副效应产生的机理（参阅 附录）可知，采用电流和

8、磁场换向的对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除，具体的做法 是保持Is和B （即IM）的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的Is和B组合的A、A/两点之间的电压 V“ V2、V3和V4, 即卩+ Is+BV1+ I S-BV2-Is-BV3-Is+BV4然后求上述四组数据V1、V2、V3和V4的代数平均值，可得1VhMiV3 -V4)4(9)通过对称测量法求得的Vh，虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差甚小，可以略而不计。（8）、（ 9）两式就是本实验用来测量磁感应强度的依据。3 载流长直螺线管内的磁感应强度螺线管是由绕在圆柱体上

9、的导线构成的，对于密绕的螺线管，可以看成是一列有共同轴线的圆形线圈的并排组合，因此一个载流长直螺线管轴线上某点的磁感应强度, 强度进行积分求和得到。可以从对各圆形电流在轴线上该点所产生的磁感应根据毕奥一萨伐尔定律，当线圈通以电流Im时，管内轴线上P点的磁感应强度为Bp =1. 2 %NIM （cos-cos ：2）（10）其中卩O为真空磁导率，卩O =4 n x 10-7亨利/米，N为螺线管单位长度的 线圈匝数，Im为线圈的励磁电流， 3 1、3 2分别为点P到螺线管两端径失与 轴线夹角，如图（2）所示。根据式（10）,对于一个有限长的螺线管，在距离两端口等远的中心处轴 上O点，一 1 xyJ

10、 LI01J1图（2）L 2,(L 2)2 (D 2)2co s2L 2,(L 2)2 (D 2)2式中D为长直螺线管直径，L为螺线管长度。此时，磁感应强度为最大，且等于11 2LB0 二 丁訥 1 :1(2L) (2d)1L2 )(如2+(扣)2(11)二 NImL L2 D2由于本实验仪所用的长直螺线管满足LD，则近似认为B JNIm(12)cosco s2 = 0在两端口处,磁感应强度为最小，且等于同理，由于本实验仪所用的长直螺线管满足由（13）、（ 14）式可知，B =1/2B0,2(1D)2LD，则近似认为Bi =%NIm由图（3）所示的长直螺线管的磁力线分布可知，其内腔中部磁力线是

11、平行于轴线的直线系，渐近两端口时，这些直线变为从两端 口离散的曲线，说明其内部的磁场在很大一个范围内是近似均匀的， 仅在靠近两端口处磁感应强度才显著下降，呈现明显的不均匀性。 根据上面理论计算，长直螺线管一端的磁感应强度为内腔中部磁感 应强度的1/2。三、实验内容(13)(14)1. 霍尔元件输出特性测量A .仔细阅读本实验仪使用 说明书后，按图（4）连接测试仪 和实验仪之间相对应的Is、VH和Im各组连线，Is及lM换向开关投 向上方，表明Is及Im均为正值（即 Is沿X方向，B沿Z方向），反之 为负值。Vh、V。切换开关投向上 方测Vh,投向下方测V。经教师 检查后方可开启测试仪的电源。注

12、意：图3中虚线所示的部分 线路即样品各电极及线包引线与 对应的双刀开关之间连线已由制 造厂家连接好。必须强调指出：决不允许将 测试仪的励磁电源“ Im输出”误 接到实验仪的“ Is输入”或“ VhOOOOOOOOOOOOOOOOOoooooooooooooooooIsVHImd) / (bii6 eAi曲入JIyj厂亠V搂测试仪接测试仪接测试仪m输出VH. Y端入用输出图（4）输出”处，否则一旦通电，霍尔元件即遭损坏!为了准确测量，应先对测试仪进行调零，即将测试仪的Is调节”和“Im调节”旋钮均置零位，待开机数分钟后若Vh显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位器实现调零，即“0.00”

13、。B 转动霍尔元件探杆支架的旋钮X1、X2、Y，慢慢将霍尔器件移到螺线管的中心位置。C .测绘Vh Is曲线将实验仪的“ Vh、V切换开关投向 Vh侧，测试仪的“功能切换”置Vh。取Im =0.800 A，并在测试过程中保持不变。V1、V2、v3和V4值，记入表1中,依次按表1所列数据调节Is，用对称测量法（详见附录）测出相应的绘制Vh Is曲线，并对该曲线进行简单的分析表 1 Im=0.800AIs （mA）V1（mV）V2（mV）V3 （mV）V4（mV）Vh_（mV）4+ls、+B+ls、 -B-l s、-B-l s、+B4.005.006.007.008.009.0010.00D .测

14、绘Vh Im曲线实验仪及测试仪各开关位置同上。取Is=8.00 mA，并在测试过程中保持不变。依次按表2所列数据调节Im，用对称测量法测出相应的 Vi、V2、V3和V4值，记入表2中，绘制Vh Im曲 线，并对该曲线进行简单的分析 。注意：在改变Im值时，要求快捷，每测好一组数据后，应立即切断Im。表 2ls=8.00mAIm （A）V1（mV）V2（mV）V 3（mV）V4（mV）V，44+ ls、+B+ ls、-B-l s、-B-Is、+B0.3000.4000.5000.6000.7000.8000.9001.0002测绘螺线管轴线上磁感应强度的分布曲线取IS=8.00mA，IM=0.8

15、00A，并在测试过程中保持不变。A .以螺线管轴线为 X轴，相距螺线管两端口等远的中心位置为坐标原点，探头离中心位置X=14-X 1-X2,调节霍尔元件探杆支架的旋钮X X2，使测距尺读数 x1=x2=0.0cm。先调节 X1 旋钮，保持 X2 = 0.0cm，使 X1 停留在 0.0、0.5、1.0、1.5、2.0、5.0、8.0、11.0、14.0cm 等读数处， 再调节 X2旋钮，保持 X1=14.0cm，使 X2停留在 3.0、6.0、9.0、12.0、12.5、13.0、13.5、14.0cm 等读数处，按对 称测量法测出各相应位置的VV2、V3、V4值，并根据（8）、（ 9）两式计

16、算相对应的 Vh及B值，记入表3中。根据（10）式计算相对应的理论B值，记入表3中，其中L _XL + xc o s12, cos ： 22f2-X）2+D）2卅2核）2+（如）2B 绘制B X曲线，对该曲线进行简单的分析，并验证螺线管端口的磁感应强度为中心位置磁感应强度的1/2 （可不考虑温度对 Vh的影响）。C 将实验得到的螺线管轴向磁感应强度B值与计算得到的理论 B值进行比较，求出相对误差（需考虑温度对Vh值的影响），并写出计算理论值 B与实验值B时所需要的公式。如果误差太大有可能是实验仪器中所提 供的霍尔元件灵敏度 Kh值有较大误差所致，可根据理论值对Kh值进行简单修正。表 3 ls=

17、8.00mA，Im=0.800AX1(cm)X2(cm)X(cm)VmV)V 2(mV)V3(mV)V 4(mV)Vh(mV)B(KGS)+ls、+B+ls、-B-Is、-B-Is、+B实验值理论值相对误差0.00.00.5:0.01.00.01.5r 0.02.00.05.0:0.08.00.011.0r 0.014.00.014.0r 3.014.06.014.0r 9.014.012.014.012.514.013.014.013.514.014.0注： 测绘B X曲线时，螺线管两端口附近磁强变化大，应多测几点。霍尔元件灵敏度Kh值和螺线管单位长度线圈匝数N均标在实验仪上。四、预习思考题

18、1 在什么样的条件下会产生霍尔电压，它的方向与哪些因素有关？2实验中在产生霍尔效应的同时，还会产生那些副效应，它们与磁感应强度B和电流Is有什么关系，如何消除副效应的影响？3采用霍尔元件来测量磁场时具体要测量哪些物理量？4用霍尔元件测磁场时，如果磁场方向与霍尔元件片的法线不一致，对测量结果有什么影响？如何用实验 方法判断B与元件法线是否一致？5.能否用霍尔元件测量交变磁场？附录A1Is |等势面 丨A图(5)实验中霍尔元件的副效应及其消除方法（1）不等势电压降Vo如图（5）所示，由于元件的测量霍尔电压的A、A 两电极不可能绝对对称地焊在霍尔片的两侧，位置不在一个理想的等 势面上，因此，即使不加

19、磁场，只要有电流Is通过，就有电压Vo= Is r产生，其中r为A、A 所在的两个等势面之间的电阻， 结果在测量 Vh时，就叠加了 Vo,使得Vh值偏大，（当Vo与 Vh同号）或偏小（当Vo与Vh异号）。由于目前生产工艺水平较高，不等势电压很小，像本实验用的霍尔元件试 样N型半导体硅单晶切薄片只有几百微伏左右，故一般可以忽略不计，也可以用一支电位器加以平衡。在本实 验中，Vh的符号取决于Is和B两者的方向，而Vo只与Is的方向有关，而与磁感应强度 B的方向无关，因此Vo 可以通过改变Is的方向予以消除。（2）热电效应引起的附加电压Ve如图（6）所示，由于实际上载流子迁移速率V服从统计分布规律，

20、构成电流的载流子速度不同，若速度为v的载流子所受的洛仑兹力与霍尔电场的作用力刚好抵消，则速度小于v的载流子受到的洛仑磁力小于霍尔电场的作用力，将向霍尔电场作用力方向偏转，速度大于v的载流子受到的洛仑磁力大于霍尔电场的作用力，将向洛仑磁力力方向偏转。 这样使得一侧高速载流子较多，相当于温度较高，另一侧低速载流子较多， 相当于温度较低，从而在Y方向引起温差TA- TA，,由此产生的热电效应，在 A、A 电极上引入附加温差VE,这种现象称为爱延 好森效应。这种效应的建立需要一定的时间，如果采用直流电则由于爱延好森效应的存在而给霍尔电压的测量带 来误差，如果采用交流电，则由于交流变化快使得爱延好森效应

21、来不及建立，可以减小测量误差，因此在实际应 用霍尔元件片图(6)时，一般都采用交流电。由于 Ve IsB，其符号与Is和B的 方向的关系跟 Vh是相同的，因此不能用改变Is和B方向的方 法予以消除，但其引入的误差很小，可以忽略。（3）热磁效应直接引起的附加电压Vn如图（7）所示因器件两端电流引线的接触电阻不等，通电后在接点两处将产生不同的焦尔热，导致在X方向有温度梯度，引起载流子沿梯度方向扩散而产生热扩散电图(7)流，热流Q在z方向磁场作用下，类似于霍尔效应在Y方向上产生一附加电场 n，相应的电压 Vn * Q B,而Vn的符号只与B的方向有关，与Is的方 向无关，因此可通过改变B的方向予以消

22、除。（4 ）热磁效应产生的温差引起的附加电压Vrl如图（8）所示，（3）中所述的X方向热扩散电流，因载流子的速度统计 分布，在Z的方向的磁场 B作用下，和（2）中所述的同一道理将在 Y方向 产生温度梯度Ta Ta，,由此引入的附加电压 Vrl *Q B , Vrl的符号只与B 的方向有关，亦能消除。综上所述，实验中测得的A、A 之间的电压除Vh外还包含V。、Vn、Vrl和Ve各电压的代数和，其中V。、Vn和Vrh均通过Is和B换向对称测量法予以消除。具体方法是在规定了电流和磁场正、反方向后，分别测量由下列四组不同方向的Is和B的组合的A、A 之间的电压。设Is和B的方向均为正向时，测得A、A

23、之间电压记为Vi,即当 +ls、+B 时Vi = Vh +Vo +Vn +V rl +Ve将B换向，而Is的方向不变，测得的电压记为 V，此时Vh、Vn、Vrl、Ve均改号而Vo符号不变，即当+ls、-B时V 2 =-V H +V O -V N -V RL -V E同理，按照上述分析当-Is、-B时当-Is、+B时求以上四组数据V 3 =V H -V o -V N -V rl +V EV 4 =-V H -V O +V N +V RL -V EVV2、V3和V4的代数平均值，可得V _V2 +V3Vh -Ve :4由于Ve符号与Is和B两者方向关系和 Vh是相同的，故无法消除，但在非大电流，非

24、强磁场下，Vh Ve,因此VE可略而不计，所以霍尔电压为一仔V3 _V44TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪使用说明书、实验装置简介TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪全套设备由实验仪和测试仪两大部分组成。A、实验仪1 长直螺线管长度L = 28cm，单位长度的线圈匝数 N （匝/米）和霍尔元件灵敏度 Kh均标注在实验仪上。2. 霍尔元件和调节机构霍尔元件如图（1）所示，它有两对电极，A、A 电极用来测量霍尔电压 Vh , D、D电极为工作电流电极， 两对电极用四线扁平线经探杆引出，分别接到实验仪的Is换向开关和Vh输出开关处。霍尔元件的灵敏度Kh与载流子浓度n成反比，因半导体材料的载流子浓度

25、n随温度变化而变化，故 Kh与温图（1） 样品示意图度有关。实验仪上给出了该霍尔元件在 15C时的Kh值。 实验仪如图（2）所示，探杆固定在二维（X、Y方 向）调节支架上。其中Y方向调节支架通过旋钮 Y调节 探杆中心轴线与螺线管内孔轴线位置，应使之重合。X方向调节支架通过旋钮 X1、X2调节探杆的轴向位置。二维支架上设有 X1、X2及Y测距尺，用来指示探杆的 轴向及纵向位置。当前利用二维调节机构的同类产品中，只能测试螺线管半边轴向磁场分布曲线，无法满足实验要求。为此,本实验仪专门设置了X2两个互补的轴向调节支架，实现了从螺线管一端到另一端的整个轴向磁场分布曲线的测试，且调节平衡，可靠，读数准确

26、。同时也克服了当前另一些同类产品如探杆直接推拉法，滑轮拉线法等结 构粗糙、读数不准，易出故障的缺点。Y旋钮无需调节。仪器出厂前探杆中心轴线与螺线管内孔轴线已按要求进行了调整，因此，实验中,如操作者 想使霍尔 探头从螺 线管的右 端移至左 端，为调 节顺手， 应先调节 Xi旋钮， 使调节支 架Xi的测 距尺读数Xi 从 0.0T 14.0 cm，再调 节X2旋 钮，使调 节支架X2 测距尺读纵向调节支架Y四线扁平线探杆螺线管-OI Cd01(1000/500000000000(70/ OOOOOOOOOOOOOOOOO霍尔器件o MO M-1 0/1415-IiiiiI轴向调节支架迂2104 1

27、5|丨|卜、轴向调节支架1DAA+图（2）实验仪示意图AADDM数X2从0.0T 14.0 cm，反之，要使探头从螺线管左端移至右端，应先调节X2，读数从14.0 cm宀0.0,再调节Xi,读数从 14.0 cm t 0.0。霍尔探头位于螺线管的右端，中心及左端，测距尺指示为:位置右端中心左端测距尺读数（cm）X101414X200143工作电流Is及励磁电流Im换向开关；霍尔电压 Vh输出开关。三组开关与对应的霍尔器件及螺线管线包 间连线出厂前均已接好。B、测试仪（如图（3）所示）1. “Is输出图（3）测试仪面板图霍尔器件工作电流源，输出电流010mA，通过Is调节旋钮连续调节。2. “I

28、m输出”螺线管励磁电流源，输出电流01A。通过Im调节旋 钮连续调节。上述两组恒流源读数可通过测量选择”按键共用一只3 1/2位LED数字电流表显示，按键测 Im，放键测Is。3. 直流数字电压表13位数字直流毫伏表，供测量霍尔电压用。电压表零位可通过面板左下方调零电位器旋钮进行校正。、技术指标1 .励磁恒流源I M输出电流01A，连续可调，调节精度可达 1mA。最大输出负载电压电流稳定度 电流温度系数 负载稳定度电流指示12V。优于103 （交流输入电压变化土 10%）。 v 10叱。优于103（负载由额定值变为零）。13位发光管数字显示，精度不低于0.5%。2样品工作恒流源输出电流最大输出

29、负载电压Is010mA，连续可调，调节精度可在电流稳定度电流温度系数负载稳定度电流指示12V。优于103 （交流输入电压变化土 10%）。v 10光。_ 3优于10 （负载由额定值变为零）。1位发光管数字显示，精度不低于0.5%。223. 直流数字毫伏表测量范围土 20mV。13 位发光管数字显示，精度不低于0.5%。2VH短接，可按需要选取一注：Is和Im两组恒流源也可用于需要直流恒流供电的其他场合，用户只要将 组或两组恒流源使用均可。三、使用说明1.测试仪的供电电源为220V , 50Hz。电源进线为单相三线。2 电源插座和电源开关均安装在机箱背面，保险丝为0.5A，置于电源插座内。3 .

30、霍尔器件各电极及线包引线与对应的双刀开关之间连线出厂前均已接好。4. 测试仪面板上的“ Is输出”、“Im输出”和“ Vh输入”三对接线柱应分别与实验仪上的三对相应的接线柱 正确连接。5. 仪器开机前应将Is、Im调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于最小状态，然后再开机。6调节实验仪上 X1及X2旋钮，使测距尺 X1及X2读数均为零，此时霍尔探头位于螺线管右端。实验时， 如要使探头移至左端应先调节 X1旋钮，使X1由0宀14cm,再调节X2旋钮，使X2由0宀14cm,如要使探头右移, 应先调节X2,再调节X1O注意：严禁鲁莽操作，以免损坏设备。7仪器接通电源后，预热数分钟即可进行实验。8. “Is调节”和“ Im调节”分别用来控制样品工作电流 Is和励磁电流Im的大小。其电流随旋钮顺时针方向 转动而增加，细心操作，调节的精度分别