硅碳化物（SiC）：探索其引人注目的特性与应用领域

槽栅结构SiC IGBT融合SiC材料优势与创新栅极设计，显著提升功率半导体性能。其特点包括：更高速开关，因SiC宽禁带特性与槽栅增强的电子注入效率；降低导通与开关损耗，归功于优化的栅控能力、低电阻及高电子迁移率；高温稳定性，借助SiC的高热导与热管理优化；以及高可靠性和长寿命，得益于一体化的材料稳定性和电场控制。