铌奥光电获基石资本领投数亿元A轮融资,加速薄膜铌酸锂高速光电子芯片规模量产 您所在的位置:网站首页 铌酸锂晶体的半波电压 铌奥光电获基石资本领投数亿元A轮融资,加速薄膜铌酸锂高速光电子芯片规模量产

铌奥光电获基石资本领投数亿元A轮融资,加速薄膜铌酸锂高速光电子芯片规模量产

2023-05-04 08:55| 来源: 网络整理| 查看: 265

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近日,薄膜铌酸锂调制器芯片设计研发商铌奥光电完成数亿元A轮融资,本轮融资由基石资本领投,毅达资本、合创资本跟投,现有投资方立达资本、晨峰晖创资本、南京市创投继续追加投资。

江苏铌奥光电科技有限公司成立于2020年7月,核心团队成员包括多名海归科研工作者和业界资深专家,团队在薄膜铌酸锂调制器芯片领域拥有全球领先的研究成果和多年芯片制造运营的成熟经验。铌奥光电专注于从事薄膜铌酸锂调制器芯片及器件的研发、设计、制造等,致力于成为高速调制器光电子芯片领域的领军企业。

铌酸锂被誉为 “光学硅”,可以制备集成光子回路中的光波导、光开关、分/合束器、压电调制器、热电调制器与电光调制器等器件,其中铌酸锂调制器是光子集成回路和现代通信的核心器件,已成为当前电光调制器市场的主流产品。但是受限于铌酸锂晶体材料尺度问题,传统铌酸锂基电光调制器的带宽、半波电压、插入损耗等关键性能参数的提升逐渐遭遇瓶颈,且与CMOS工艺不兼容。相较于铌酸锂晶体(尺寸受限),以及其他光电子材料如磷化铟、硅光,薄膜铌酸锂可实现超快电光效应和高集成度光波导,具有大带宽、低功耗、低损耗、小尺寸等优异特性,并可实现大尺寸晶圆规模制造,是非常理想的电光调制器材料。

铌奥光电的核心团队前期在薄膜铌酸锂调制器研究领域逐一攻克了众多技术难点,实现了多项重大技术突破,并取得了一系列全球突破性成果,如最高带宽的硅与铌酸锂异质集成调制器芯片(Nature Photonics,2019中国光学十大进展)、世界首例铌酸锂薄膜IQ调制器芯片(Nature Communications,2020中国光学十大进展)、世界首例铌酸锂薄膜偏振复用相干光调制器芯片(Optica,2021年联合华为演示1.96Tb/s的单载波相干传输最高数据传输净速率,2022年中国光学十大进展)。2022年9月,铌奥光电联合贝尔实验室、III-V实验室、是德科技、中山大学等在欧洲光通信大会首次实现260G波特的DP-QPSK信号100公里传输距离,核心器件正是铌奥光电研发的铌酸锂薄膜双偏振相干调制器芯片(PDP ECOC 2022,目前最高速的波特率)。

铌奥光电开发的薄膜铌酸锂调制器芯片目前已可实现超低驱动电压(Vπ /阅读下一篇/ 返回网易首页 下载网易新闻客户端



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