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英特尔工程师解读CPU芯片减薄：

除了钎焊之外，英特尔近几年酷睿处理器还在芯片高度上做了大量优化。英特尔高级热分析师Mark Gallina近日为观众解读了英特尔在芯片减薄上的工作。

第九代酷睿中的硅厚度为800微米，在10代和11代酷睿中被减薄至500微米，12代酷睿则进一步减薄25%至375微米，同时STIM热界面材料也变得更薄。Mark Gallina介绍说：硅导热系数约为190W/m·K，减薄之后为了保持CPU总高度不变，12代酷睿的顶盖被加厚，而铜质IHS顶盖的导热系数约为390W/m·K。

CPU运行中产生的热量在所有三个维度上进行散发，英特尔的研究结果显示，200到300微米厚度对于芯片散热来说最为理想。至于为何12代酷睿没有直接把芯片减薄到300微米甚至是200微米，Mark Gallina坦诚这是综合各方面因素后的决定：芯片减薄是晶圆处理的末期，375微米是由良品率以及合理的生产效率所决定的。

对于硬件发烧友自己研磨CPU芯片以追求极致超频的做法，Mark Gallina表示这样做是有效的，并且液态金属不会渗入研磨后的硅当中。返回搜狐，查看更多