2、芯片去层和拍照过程

　　从事模拟集成电路设计的人应该对反向工程不会感到陌生， 反向工程的英文名称是Reverse Engineering。 由于多方面的原因，国内在模拟集成电路方面的底子实在太薄弱，所以反向工程成为大多数模拟集成电路工程师接触实际模拟电路、积累经验的唯一途径。

　　要想了解芯片的实际电路结构，首先必须得到每一层结构的照片。下面简单介绍芯片去层和拍照的过程。以两层金属、一层多晶结构的芯片作为例子，去层后拍照一共可以得到3层的照片，具体操作步骤如下：

　　首先是把芯片放到烧杯里，倒入少量浓硫酸，加热烧杯让加热后的浓硫酸把芯片的塑料封装给去掉，等烧杯冷却后把浓硫酸倒掉， 往烧杯中加水洗干净剩下的浓硫酸，把芯片夹出来洗干净，然后再把芯片放到另一个烧杯中加入少量无水酒精让它吸水（每一步都要用到）， 过一会就可以拿到显微镜下面去拍照。根据芯片的实际情况选取 拍照的放大倍数进行拍照，拍完照后用软件进行拼图， 第一步就算完成，得到的是最上层M2的照片。

　　第二步对应的就是拍M1，也就是从顶层往下的第二层版图。首先用10倍的水稀释HF（氢氟酸），倒入烧杯里，然后把芯片放入烧杯里，目的是去掉二氧化硅层，浸泡时间根据总结出来的经验而定，浸泡时间到了，用镊子将芯片取出，用水洗干净，然后用小烧杯倒入适量磷酸，放入芯片， 再把小烧杯放进加了水的大烧杯里加热，这叫水浴，水浴20分钟左右，这时磷酸就把M2给去掉了，剩下的就是M1，后面的清洗和拍照步骤与第一步完全一样。

　　第三步就只剩下拍最后一层、多晶层，步骤基本与第二步一样，用10倍水稀释HF（氢氟酸）溶液去掉M1，然后再用磷酸水浴，这次煮的时间可能要长一点，半个小时左右， 目的是为了把M1去干净，但是同时也要注意芯片在HF（氢氟酸）溶液中浸泡的时间不要泡太长了， 否则后面煮的时候可能会引起Poly的脱落，后面的步骤也一样，洗干净后拍照。

　　虽然说看似并不复杂，但是真正想要做好却还真不容易，因为拍出来的照片质量将直接影响提图的效率， 如果拍出来的照片清晰自然提图就会变得很轻松，反之如果拍得不好，后面提图将会变得异常痛苦， 因此在拍照的时候千万不要一味图快而牺牲照片的质量，俗话说欲速则不达，细节决定成败，做IC又何尝不是如此呢。