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SH367309芯片介绍(2)

2024-07-07 10:55| 来源: 网络整理| 查看: 265

一、芯片介绍

        SH367309是锂电池BMS用数字前端芯片,适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。SH367309工作在保护模式下,可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。

SH367309内置VADC,用于采集电芯电压、温度以及电流;SH367309内置CADC采集电流,用于统计Pack剩余容量;SH367309内置EEPROM,用于保存保护阈值及延时等可调参数;SH367309内置TWI通讯接口,用于操作相关寄存器及EEPROM。

二、SH367309的四种工作模式

(1)保护模式

        正常工作状态:开启内置保护功能模块,开启平衡功能,关闭看门狗和TWI通讯模块。         Powerdown 状态:任意节电芯电压低于Powerdown允许电压V PD且持续时间超过Powerdown允许延时T PD,进入Powerdown状态,关闭充放电MOSFET。 连接充电器退出Powerdown状态。

(2)采集模式

        正常状态:SH367309开启内置保护功能模块,开启TWI通讯模块,MCU可通过TWI通讯模块操作SH367309内部寄存器。         IDLE状态:关闭VADC、CADC、TWI模块,同时关闭电压和温度相关的保护功能、清零BALANCEH和BALANCEL寄存器、开启STA检测和充放电电流检测模块         SLEEP 状态:(1) 关闭充放电MOSFET,关闭VADC、CADC、TWI和WDT模块,同时关闭所有保护功能、(2) 清零BALANCEH和BALANCEL寄存器、(3) 开启STA检测、(4) 开启充电器检测

(3)仓运模式

关闭充放电MOSFET,同时关闭所有功能模块连接充电器无任何动作当SH367309处于仓运模式,只有SHIP管脚外接高电平V H-SHIP ,才可退出仓运模式,产生硬件复位。

(4)烧写模式

        VPRO管脚外接EEPROM烧写电压V PRO ,且延时10mS,SH367309进入烧写模式,关闭充放电MOSFET及内置保护功能模块。此时其他设备可通过TWI接口读/写内置EEPROM,且内置EEPROM仅在烧写模式下方可进行写操作。

SH367309_VPRO_Lo;     //关闭AFE的EEPROM写入功能 SH367309_SHIP_Lo;  //AFE处于休眠模式      

三、管脚功能

(1)CTL 管脚:通过SH367309的CTL管脚可控制充放电MOSFET,通过RAM寄存器SCONF2的CTLC[1:0]可设置CTL管脚功能。

CTL 管脚输入 MOSFET 状态高电平 V H-CTL取决于 SH367309 内部逻辑低电平 V L-CTL关闭相应 MOSFET

(2)MODE管脚:SH367309 采集模式和保护模式选择端

MODE管脚输入 SH367309工作模式高电平V H-MODE采集模式低电平V L-MODE保护模式

(3)ALARM 管脚:SH367309处于采集模式下,ALARM管脚为对外通讯管脚;处于保护模式下,ALARM管脚为高阻态。采集模式下,ALARM管脚正常输出逻辑高电平。出现下表中的系统状态,ALARM管脚输出一个低电平脉冲。

 

 



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