【原创】DDR3 SO

最近想把PCB技术加强一下，特别是差分线和阻抗控制、仿真这类技巧，所以画个笔记本内存条练练手。收集了一些资料在博客中做个整理，本片主要是一些硬件方面的知识。

从JEDEC下载的标准书中，看到RAW Card被分为A-F六个版本，各个版本之间的差异在表格中可以清楚看出来。

差异主要在：条上内存颗粒数量、内存颗粒的位宽、内存条的Rank。

这个版本的意思其实是内存条的不同组织形式，每个版本的特征与将来PCB布局布线、和内存条的频率时序都有关系，设计之初就要确定好。

CK[1:0]、CK[1:0]、CKE[1:0]：时钟输入与使能，6；（反向线用下划线代替）

RAS、CAS：行列选通线， 2；                       WE：写使能，1；

DQ[63:0]：数据输入输出，64；                       A[9:0]、A11、A[15:13]：地址输入线，14；

DM[7:0]：数据掩码线，8；                               DQS[7:0]、DQS[7:0]： 数据选通线，16；

BA[2:0]：SDRAM Bank地址线，3；               S[1:0]：芯片选择，2；

A10/AP：地址输入/自动预充电，1；              A12/BC ：地址输入/突发传输，1；

SCL、SDA、SA[1:0]、VDDSPD：SPD和TS电源线、寻址和IIC通信线，5；

ODT[1:0]：终端电阻控制线，2；                    RESET：复位引脚，1；

EVENT：温度事件引脚，1；                           Vtt：端接电压，1；

VDD/VSS：核心和IO电源，2；                     VREFDQ/VREFCA：输入输出参考，2；

TEST、NC：保留，未接，3；

内存颗粒可以简单分为78-ball FBGA封装的 和 96-ball FBGA封装的两类，差异主要是数据位宽不同，前者x8，后者x16。

内存条上存在一个EEPROM存储芯片（The Serial Presence Detect ，SPD），容量通常为128B或256B，用于存储改内存条的一些基础信息。主板需要这些信息进行正确的配置，以便正常使用内存条。存储芯片中各字节存储的信息如下表所示。

 例：ggggg eRxff PC3-wwwwwm-aa-bb-ccd

            ggggg = Module total capacity, in bytes256MB, 512MB, 1GB, 2GB, 4GB, etc.             eR = Number of ranks of memory installed ： 1R = 1 rank of DDR3 SDRAM installed                                                                                           2R = 2 ranks                                                                                           4R = 4 ranks             xff = Device organization (bit width) of DDR3 SDRAMs used on this assembly                                                                                 x4 = x4 organization (4 DQ lines per SDRAM)                                                                                 x8 = x8 organization                                                                                 x16 = x16 organization             wwwww = Module bandwidth in MB/s ： 6400 = 6.40 GB/s (PC3-800 SDRAMs, 8 byte primary data bus)                                                                       8500 = 8.53 GB/s (PC3-1066 SDRAMs, 8 byte primary data bus)                                                                       10600 = 10.66 GB/s (PC3-1333 SDRAMs, 8 byte primary data bus)                                                                       12800 = 12.80 GB/s (PC3-1600 SDRAMs, 8 byte primary data bus)             m = Module Type  ：E = Unbuffered DIMM ("UDIMM"), with ECC (x72 bit module data bus)                                                F = Fully Buffered DIMM ("FB-DIMM")                                                M = Micro-DIMM                                                R = Registered DIMM ("RDIMM")                                                S = Small Outline DIMM ("SO-DIMM")                                                U = Unbuffered DIMM ("UDIMM"), no ECC (x64 bit module data bus)             aa = DDR3 SDRAM CAS Latency in clocks at maximum operating frequency             bb = JEDEC SPD Revision Encoding and Additions level used on this DIMM             cc = Reference design file used for this design (if applicable)             d = Revision number of the reference design used