二极管、三级管基础知识

目录

1.半导体

1.1.N型半导体

1.2.P型半导体

1.3.PN结

PN结的构成

PN结的单向导电性

2.二级管

2.1.二极管的构成

2.2.伏安特性

正向特性

反向特性

2.3.主要参数

2.4.稳压二极管

基本功能概述

伏安特性和符号

主要参数

3.三极管

3.1.结构及符号

3.2. 三极管的特性曲线及主要参数

三极管的特性曲线

主要参数

3.3.三级管的电流分配及放大作用

3.4.三极管开关电路

（1）在硅（或锗）半导体中掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，即构成N型半导体。

（2）N型半导体中，自由电子为多数载流子；N型半导体主要靠自由电子导电。

（1）在硅（或锗）半导体中掺入微量的三价元素，如硼（B）、铟（In）等，即构成P型半导体。

（2）P型半导体中，空穴为多数载流子；P型半导体主要靠空穴导电。

将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

（1）PN结外加正向电压：PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称正向偏置。如图所示

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 PN结正向导通时，通过PN结的电流（正向电流）大，而PN结呈现的电阻（正向电阻）小。

（2）PN结外加反向电压：PN结N端接高电位，P端接低电位，称PN结外加反向电压，又称反向偏置。如图所示

​

 PN结反向导通时，通过PN结的电流（正向电流）小，而PN结呈现的电阻（反向电阻）大。

二极管是由外加引线和一个带管壳的PN结构成。由PN结P区引出的为正极，N区引出的为负极。

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（1）正向死区：当二极管所加的正向电压较小时（0UE发射结正偏集电结反偏放大UCUE反射结和集电结均正偏饱和UC