美光(Micron)1100 2TB 2.5英寸SATA固态硬盘评测(MTFDDAK2T0TBN)(附颗粒对照表和固件)

最近随着记录出行、MMD和摄影摄像素材越来越多，硬盘剩余空间渐渐告急。今天便准备用美光1100 2TB款替换掉960G的M500。

看了一圈，265应该是现在能找到比较低的价格（2023.08）。70%健康度的写入量应该在400TB左右，买来做仓储可能就写入个几TB，剩余寿命够用了：

硬件介绍：

硬盘正面标签贴，可见型号（MTFDDAK2T0TBN）、容量（2048GB）、出厂固件版本（M0MU020）等信息，这个绿色的点暂不知道是干什么用的：

硬盘背面有卖家贴的保修贴纸，随后拆解时被我撕了:D

硬盘外壳通过四周卡扣固定，没有螺丝（图中三个银色的点位并不固定外壳），非常非常难拆：

拆开后盖可以看到一小块硅胶垫盖在电容中间，这覆盖也没覆盖完，相较散热可能主要作用是缓冲减震。

电路板一侧各能看到一颗内存颗粒和四颗闪存，翻过面则能看到Marvell 88SS1074主控。AIDA64显示颗粒为美光32层3D TLC：

但这颗粒怎么是混用的？一块硬盘出现了4种编号的颗粒：

作为对比，给大家看一下之前拆过的M500颗粒情况，这就很规整：

为了数据安全着想，还是来查询一下这些颗粒的信息吧，它们分别是：6VB22NW849、6VB2DNW852、6SB22NW853、6TB22NW853。

首先我们找到美光官方料号查询网址：https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga，在“FBGA Code”这一行填入第二行的编码，如“NW853”，随后点击“SEARCH”即可查询颗粒料号：

由此我们可以得知这几枚颗粒的料号分别为：

6VB22NW849：MT29F3T08EUHBBM4-3R:B

6VB2DNW852：MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

6SB22NW853、6TB22NW853：MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B

接着我们找到美光的命名规则对照表，按照查询到的料号核对颗粒信息：

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B（NW849）逐字解析为：

MT = Micron Technology

29F = NAND Flash（普通闪存颗粒，区别于企业级）

3T = 3072Gb（颗粒容量，1B=8b，即384GB）

08 = 8 bits（位宽）

E = MLC-3（即TLC，“真”MLC为“MLC-2”）

U = Die8 nCE4 RnB4 IO Channels2（内部构造，大意为分了几个区域，不深究）

H = VCC: 3.3V (2.50–3.60V), VCCQ: 1.2V (1.14–1.26) or 1.8V (1.70–1.95V)（工作电压）

B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set)（看不懂，原文“Generation Feature Set”）

B = Sync/Async（支持同步或异步工作）

M4 =无对应编号，应为封装锡球数与尺寸规格

3 = 667 MT/s（每秒传输多少次数据，百万次/每秒）

R = FortisFlash features（某种特征，看不懂）

B =Design Revision（翻译为“设计修订”，无实义）

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B（NW852）与前者不同的有：

768G =无对应编号，推测为768Gb（96GB）

E（第二处） = Die2 nCE2 RnB2 IO Channels2（内部区域数量不同）

J4 = 132-ball VBGA, 12 x 18 x 1.0 (SDP, DDP)（封装规格不同）

MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B（NW853）与前者不同的有：

1T2 = 1152Gb（144GB）

C =无对应编号，推测为内部Die等数量不同

综上所述，在查表半天后我们可以得出结论：这块美光1100混用了三种容量相去甚远的颗粒，由于不是一条生产线下来的，所以生产时间也横跨数周（6T、6S、6V）。尽管工作电压等影响运作的参数保持了一致，如果不是买到假货，那这块硬盘用料可以说非常“随性”了。

查完闪存颗粒，我们再来看一下剩下的内存和主控。

1100这块硬盘的两颗内存颗粒批次、型号倒是一致的。同样在料号查询网站查询D9STQ，可知其料号为MT41K512M16HA-125:A

随后我们找到美光的DRAM颗粒命名规则对照表（美光官网表格直接下载为.xlsx格式，此为手动截图）：

MT41K512M16HA-125:A（D9STQ）逐字解析为：

MT = Micron Technology

41 = DDR3 SDRAM（第几代内存、什么类型）

K = 1.35V VDD（工作电压）

512M16 = 颗粒容量512Mb*16=2048Gb=1024GB

HA = DRAM Package Codes（封装代码，详细信息须查阅具体颗粒的手册）

-125 = 800 MHz 11-11-11（内存频率）

A = Die Revision Designator（翻译为“模具修订指示符”，无实义）

综上所述，可知1100这块盘共搭载了两颗DDR3 1G 800MHz的内存。

最后再来看看主控，Marvell 88SS1074属于Marvell第五代主控，28nm工艺，主打低功耗，支持Marvell 第三代NAND Edge纠错。同主控的产品有比如浦科特M7VC、金士顿Now UV400、闪迪X400等：

至此1100的内部构造及硬件部分便看完了，接下来装到电脑上看看。

固件升级：

上机打开DiskInfo，我购买的这块盘写入量约300TB，在美光的官方文档中1100系列2TB的寿命应为400TBW以上，商家宣称的“健康度70%”以上指的是软件中硬盘预设的寿命，一般会比标称长不少。从通电时间高达5W小时来看也并非“矿盘”，应该是正儿八经服务器更换下来的：

美光官方的1100技术文档还未公开，不注册账号查看不了，找了个像销售手册里的表格，将就看一下吧。“Endurance”一行即为寿命，1TB与2TB一样是400TBW：

这块硬盘拿到手的固件版本号为M0MU030，比标签上出厂时的M0MU020新，应该是更新过。但最新的固件为M0MU033，遂使用美光官方的“Storage Executive”工具尝试升级，提示“已安装最新固件”，只能手动更新：

手动更新的工具和固件我放这里了：

链接：https://pan.baidu.com/s/1kc2VdrhePQOTykB3rzOxNg?pwd=wy97 

提取码：wy97

工具是从美光官方的“Storage Executive”里提取出来的，和需要刷入的固件一起放在压缩包里。压缩包里有两个固件，是2TB的盘就刷2TB的，不是就刷另一个：

解压压缩包后，将对应容量文件夹里的“1.bin”复制到和“msecli.exe”同一目录，如图：

然后按住键盘上的“Shift”，同时单击鼠标右键，选择“在终端中打开”（或者“命令提示符（管理员）”）：

在打开的窗口中输入“msecli -F”并按一下回车键（不含引号，有空格），会列出电脑中所有硬盘，并识别出使用Marvell主控硬盘的固件版本号。接下来需要记住1100这块盘对应的是第几行，如图中“M0MU033”（升级前应为M0MU030或者M0MU020）的便是美光1100，对应“Drive0”：

随后输入“msecli -F -U 1.bin -n Drive0”并按一下回车键（不含引号，有空格，“Drive0”可替换，你电脑上对应Drive几就输Drive几），会出现“Are you sure you want to continue(Y|N):”字样，输入y后按回车即可确认刷入新固件：

等待数秒后出现“Success”字样即更新成功：

DiskInfo版本号更新为M0MU033：

性能部分：

先来看一下空盘状态下的跑分。

AS SSD 1G：

CDM 1G：

AS SSD 10G：

CDM 16G：

美光1100的测试成绩比较一般，尤其是4K性能，确实符合上一代硬盘的水平。其中随机读写成绩（IOPS）刚刚踩线越过官方文档的标称值（92000/83000IOPS），连续读写甚至比标称值略低（530/500MB/s）。想着我测的上一块美光硬盘M500都是全面超过标称，给我留下了不少好感，几年不见这就开始偷奸耍滑了。

再来看一下连续读写测试的温度和速度表现（HDTune 200GB文件基准、混合模式）：

可以看到在测试过程中，1100的最高温度出现在写入完成时，为63°C。这个表现对固态硬盘主控来说完全可以接受，也算是应证了Marvell 88SS1074介绍页对低功耗的宣传。

1100的缓存SLC Cache似乎不大，空盘仅在26GB左右便出缓降速，此时写入速度由约500MB/s降至约270MB/s，读取速度未受影响，一直保持在500MB/s。

接下来将旧硬盘的数据迁移到1100，数据量约850GB，并测试1100半盘状态下的性能。

在整个迁移过程中，850GB数据迁移（写入）的均速约为140MB/s。由于旧硬盘接在硬盘盒上，测试成绩可能偏低（硬盘盒读取能400+MB/s，盘里大文件居多，可能也没有慢多少）。同时也可以看出实际使用的负载远没有测试场景来的高，连续写入一个多小时温度也不过57°C。

但在迁移完成后的数十分钟里静置不操作，会发现1100温度并没有下降，反而越来越高：一开始我认为是在释放缓存，但想想迁移写入速度也没测试那么高，不至于还占用了SLC Cache吧？

此时跑一个CDM的测试，主控闲置时的后台操作被打断，硬盘温度反而下降，并在随后的数十分钟里再未触发升温的情况：

既然它不发热了，那就按计划继续半盘测试吧。

AS SSD 1G：

CDM 1G：

AS SSD 10G：

CDM 16G：

1100在1GB测试中空盘/半盘没有显著差距，10/16GB测试中4K多线程性能出现了下滑，但降幅不是很大，总体而言几乎不会对体验造成影响。

半盘HDTune 200GB文件基准、混合模式：

在半盘状态下，1100的SLC Cache减少到了仅10G左右，缓内缓外速度、温度则与空盘差别不大。

以上便是本篇评测的所有项目了。综上所述，美光1100 2TB这款硬盘以今天的眼光看性能平庸但胜在价格低廉，唯一的疑点是颗粒混用是否是常态？在测试过程中并未出现突然掉速或者掉盘的情况，如果大家都是混用且相对稳定，那1100还是可以购买的。