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产品描述
我们提供2、4、6英寸硅或碳化硅基氮化镓(GaN on SiC/Si) HEMT 外延片,也可提供蓝宝石基氮化镓(GaN on Sapphire)HEMT外延片
SiC/Si基GaN HEMT典型外延结构 1.GaN on SiC HEMT外延该外延材料结合了SiC优异的导热性能和GaN高频和低损耗性能,所以GaN on SiC 热导率高,使得器件可以在高电压和高漏电流下工作,是射频器件的理想材料。目前, GaN-on-SiC外延片主要应用于5G基站、国防领域射频前端的功率放大器(PA)。 2.GaN-on-Si HEMT外延由于使用Si衬底材料,可在大直径硅晶圆上外延GaN且具有与传统Si工艺兼容等优势,成为功率半导体技术发展的理想选择。GaN on Si HEMT外延有常开型即耗尽型(D型)和常关型即增强型(E型)两种。 Si基和SiC基GaN HEMT结构性能对比 项目 GaN on SiC GaN on Si 晶格失配 3.50% 16.90% 热膨胀系数 25% 56% 缺陷密度 5E+8/cm2 1E+9/cm2 漏电流 大 大 集成可能性 中等 高 3.GaN-on-Sapphire HEMT外延该外延结构具有良好的均匀性、高击穿电压、极低的缓冲区泄漏电流、高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻,用于射频和功率半导体器件。在蓝宝石衬底上生长的 GaN HEMT 可以通过将器件倒装芯片键合到导热和电绝缘的衬底(例如氮化铝陶瓷)上来实现热管理。 GaN on Sapphire HEMT典型外延结构 注:从2023年8月1日起,出口该产品需要出口许可证;国内供应不受影响 |
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