晶体管击穿电压的测试

　　3.晶体管击穿电压的测试

　　以NPN型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的测试条件IC分别为100μA、200μA和100μA。测试时，仪器部件的置位详见表A-6。

　　逐步调高“峰值电压”，被测管按图A-30（a）的接法，Y轴IC=0.1mA时，X轴的偏移量为BVCEO值；被测管按图A-30（b）的接法，Y轴IC=0.2m A时，X轴的偏移量为BVCEO值；被测管按图A-30（c）的接法，Y轴IC=0.1mA时，X轴的偏移量为BVEBO值。

　　表A-6 3DK2晶体管击穿电压测试时仪器部件的置位

　　图A-31 反向击穿电压曲线（PNP）

　　PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相似。其测试曲线如图1-31所示。

　　4.稳压二极管的测试

　　以2CW19稳压二极管为例，查手册得知2CW19稳定电压的测试条件IR=3mA。测试时。仪器部件置位详见表A-7。

　　逐渐加大“峰值电压”，即可在荧光屏上看到被测管的特性曲线，如图A-32所示。

　　表A-7 2CW19稳压二极管测试时仪器部件的置位

　　读数：正向压降约0.7V，稳定电压约12.5V。

　　5.整流二极管反向漏电电流的测试

　　以2DP5C整流二极管为例，查手册得知2DP5的反向电流应≤500nA。测试时，仪器各部件的置位详见表A-8。

　　逐渐增大“峰值电压”，在荧光屏上即可显示被测管反向漏电电流特性，如图A-33所示。

　　读数：IR=4div×0.2μA×0.1（倍率）=80 nA

　　测量结果表明，被测管性能符合要求。

　　图A-32 稳压二极管特性曲线 图A-33 二极管反向电流测试

　　表A-8 2DP5C整流二极管测试时仪器部件的置位

　　6.二簇特性曲线比较测试

　　以NPN型3DG6晶体管为例，查手册得知3DG6晶体管输出特性的测试条件为IC=10 mA、VCE=10V。测试时，仪器部件的置位详见表A-9。

　　将被测的两只晶体管，分别插入测试台左、右插座内，然后按表1-8置位各功能键，参数调至理想位置。按下测试选择按钮的“二簇”琴键，逐步增大峰值电压，即可要荧光屏上显示二簇特性曲线，如图A-34所示。

　　表A-9 二簇特性曲线测试时仪器部件的置位

　　当测试配对管要求很高时，可调节“二簇位移旋钮”（37），使右簇曲线左移，视其曲线重合程度，可判定其输出特性的一致程度。

　　①使用仪器前，应检查仪器有关旋钮位置， “测试选择”　　开关置于“关”， “峰值电压”旋钮调至零， “阶梯作用”置于“关”。

　　②开启电源，指示灯亮，预热5min。调整“标尺亮度”，观察时用红色标尺，摄影时用黄色标尺。调整“辉度”，使屏幕上光点和线条至适中的亮度。调整“聚焦”及“辅助聚焦”　　旋钮，使屏幕上显示清晰的线条或亮点。

　　③进行基极阶梯信号调零。将光点移至屏幕左下角作为坐标零点，进行基极阶梯信号调零。当荧光屏上出现基极阶梯信号后，按下测试台上的“零电压”键，观察光点停留在荧光屏上的位置。复位后调节“阶梯调零”旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，则基极阶梯信号的零位即被校准。

　　④根据被测管的类型（PNP型或NPN型）和接地形式（E接地或B接地），选择“极性”开关位置，然后插上被测晶体管。

　　⑤根据需要显示的醢线和需要测试的参数，选择相应的作用开关以及合适的量程，即可进行有关图形显示和参数测定。晶体管图示测试系统在运用的过程中：

　　a.测试时逐渐加大峰值电压，即可得到输出特性曲线。在测试中，由于晶体管的离散性较大，其输出特性曲线可能会超出屏幕坐标，此时可将Y轴作用开关置于其他挡位。由于输出特性曲线可以反映被测管特性的全貌，因此，可依此对晶体管性能的优劣迅速作出判断。

　　b.测量晶体三极管的h FE值。连接方法与调整同上，调整仪器的开关旋钮置于适当位置，即可得到k与，。关系的一条直线，根据^匝= A/C/A/B可求得晶体管的hFF值。

　　c.观察晶体三极管的输入特性曲线。使用晶体管特性图示仪观察晶体三极管的输入特性曲线的连接方法与调整同上。测试时，逐渐加大峰值电压，可得到晶体三极管的输入特性曲线。读出工作点Q处的基极电压UBE和基极电流厶的值，可得到输入电阻R。：尘UBE巩。：SVA/B（3）在操作使用JT-1型晶体管图示仪时，要注意以下几点。

　　总结：晶体管图示测试系统在使用的过程中应该遵从以上事项，并且仪器在长时间的使用中，由于元件老化和变值，有可能引起一定的误差，因此需要大家进行定期计量和维修。