微纳光电材料与器件创新团队

       微纳光电子作为是未来电子信息技术的重要发展方向，团队立足于解决微纳光电材料的制备及性能调控等基础科学问题，开展其在光电器件方面的设计及性能开发的应用研究，并进一步深究器件抗辐照能力以开发航空航天、国防领域的微纳光电器件。目前集学院在微纳电子领域的中青年博士形成了基于材料制备、器件设计、辐照测试为主要方向的科研团队。团队成员中具备高级职称3名、学术骨干6名，其中博士5名。目前团队主持、参与省级以上项目5项，发表SCI/EI论文50余篇，专利10余项。

1.微纳光电材料

        主要研究内容包括：（1）氧化物半导体薄膜的光电效应；（2）卤化物类钙钛矿半导体的掺杂与带隙精准调控；（3）二硫化物纳米材料的制备及电催化制氢活性；（4）闪烁体纳米粉体/单晶的设计与合成。

2.氧化物微纳光电器件

        主要研究内容包括：（1）光电存储器件、光电探测器、智能光伏窗口等热门微电子器件的制备与设计；（2）光电器件功能化拓展如柔性、光电协同调控、耐高温特性；（3）闪烁体光电器件开发；（4）微纳集成电路设计与测试。

3.微纳光电器件抗辐照能力

       主要研究内容包括：（1）辐照分子动力学模拟；（2）辐照效应机理；（3）抗辐照微纳光电器件开发。

 1. Oxygen vacancy mediated conductivity and charge transport properties of epitaxial Ba0.6La0.4TiO3-δ thin films. Appl. Phys. Lett., 2019, 114, 202902.

   2. An efficiency function model of segmented gamma scanning for measuring radioactive waste drum[J]. Appli. Radiat. Isotopes., 2023, 199，110895.

   3. Evaluation of the Minority-Carrier Lifetime of IMM3J Solar Cells under Proton Irradiation Based on Electroluminescence. Cryst., 2023, 13, 297.

   4. Electroluminescence analysis of VOC degradation of individual subcell in

GaInP/GaAs/Ge space solar cells irradiated by 1.0 MeV electrons. J. Lumin., 2020. 219. 116905.

   5. MoS2/sulfur and nitrogen co-doped reduced graphene oxide nanocomposite for enhanced electrocatalytic hydrogen evolution. Int. J. hydrogen Energ., 2016, 41, 916.

 6. One-step hydrothermal synthesis of monolayer MoS2 quantum dots for highly efficient electrocatalytic hydrogen evolution. J. Mater. Chem. A, 2015, 3, 10693.

 7. Reversible Thermochromic Bismuth Iodide Enabled by Self‐Adjustment. Adv. Opt. Mater., 2023, 11, 2203148.

 8. One-Dimensional Perovskite-like Cu(I)-Halides with Ideal Bandgap Based on Quantum-Well Structure. Inorg. Chem., 2022, 61, 8521.

 9. Sr-doping effects on the conductivity, charge transport, and ferroelectricity of Ba0.7La0.3TiO3 epitaxial thin films. Chin. Phys. B, 2021, 30, 027701.

  10. 利用可编程芯片设计的主放大器. 核电子学与探测技术, 2006, 26,252.  

11. 基于蒙卡模拟和函数模型的废物桶SGS效率刻度方法[P]. 发明专利, CN202310203497.6, 2023-3-5.

  12.体素衰减效率加权平均的SGS断层效率刻度方法[P]. 发明专利, ZL201811043829.4, 2022-4-22.

13. 一种一价铜基钙钛矿材料及其制备方法.[P]. 发明专利, ZL 202210524148.X, 2023-8-18.

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