bios内存条怎么设置（加内存条bios怎么设置）

今天给各位分享bios内存条怎么设置的知识，其中也会对加内存条bios怎么设置进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！

1、CMOS中关于内存的设置比较多，但不少选项是比较专业的，因此，如果设置后出现问题，请选择“LOADBIOSDEFAULTS”，恢复可靠的设置参数。下面逐条说明相关内存设置。

2、Above1MBMemoryTest：设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。

3、AutoConfiguration：设置为允许时，BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。

4、MemoryTestTickSound：是否发出内存自检的滴嗒声。

5、MemoryParityErrorCheck：设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。

6、CacheMemoryController：是否使用高速缓存。不在流行的AwardBIOS中使用。

7、ShadowRAMOption：设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成死机。

8、InternalCacheMemory：是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。

9、ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。

10、ConcurrentRefresh：直译是同时发生的刷新。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。

11、DRAMReadWaitState：设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

12、DRAMWriteWaitState：设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

13、SlowRefresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。

14、ShadowCachecable：把映射到常规内存的BIOSROM增加高速缓存，使性能更进一步。

15、金士顿DDR310664G

16、PageMode：使内存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

17、RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期自动复位为0。

18、MemoryRelocation：内存重新定位。即将384的上位内存(UpperMemoryBlock)数据转储到1MB以上的扩展内存中。

19、MemoryHole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。

20、DRMATimingSetting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。

你们知道怎么设置 BIOS 的内存吗?下面是我带来微星主板bios设置内存 方法 的内容，欢迎阅读!

微星主板bios设置内存的方法：

CMOS中关于内存的设置比较多，但不少选项是比较专业的，因此，如果设置后出现问题，请选择“LOADBIOSDEFAULTS”，恢复可靠的设置参数。下面逐条说明相关内存设置。

Above1MBMemoryTest：设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。

AutoConfiguration：设置为允许时，BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。

MemoryTestTickSound：是否发出内存自检的滴嗒声。

MemoryParityErrorCheck：设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。

CacheMemoryController：是否使用高速缓存。不在流行的AwardBIOS中使用。

ShadowRAMOption：设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成 死机 。

InternalCacheMemory：是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。

ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。

ConcurrentRefresh：直译是同时发生的刷新。设置CPU在对 其它 I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。

DRAMReadWaitState：设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

DRAMWriteWaitState：设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

SlowRefresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。

ShadowCachecable：把映射到常规内存的BIOSROM增加高速缓存，使性能更进一步。

PageMode：使内存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期自动复位为0。

MemoryRelocation：内存重新定位。即将384的上位内存(UpperMemoryBlock)数据转储到1MB以上的扩展内存中。

MemoryHole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。

DRMATimingSetting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。

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1. msi微星主板bios设置方法

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1、关于内存的设置比较多，但不少选项是比较专业的，因此，如果设置后出现问题，请选择“LOADBIOSDEFAULTS”，恢复可靠的设置参数。

2、Above1MBMemoryTest：设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。

3、AutoConfiguration：设置为允许时，BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。

4、MemoryTestTickSound：是否发出内存自检的滴嗒声。

5、MemoryParityErrorCheck：设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。

6、CacheMemoryController：是否使用高速缓存。不在流行的AwardBIOS中使用。

7、ShadowRAMOption：设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成死机。

8、InternalCacheMemory：是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。

9、ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。

10、ConcurrentRefresh：直译是同时发生的刷新。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。

11、DRAMReadWaitState：设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

12、DRAMWriteWaitState：设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

13、SlowRefresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。

14、ShadowCachecable：把映射到常规内存的BIOSROM增加高速缓存，使性能更进一步。

15、PageMode：使内存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

16、RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期自动复位为0。

17、MemoryRelocation：内存重新定位。即将384的上位内存(UpperMemoryBlock)数据转储到1MB以上的扩展内存中。

18、MemoryHole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。

19、DRMATimingSetting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。

你们知道怎么设置主板的 BIOS 内存吗?下面是我带来主板bioss内存设置 方法 的内容，欢迎阅读!

主板bioss内存设置的方法：

只要你的主板能够支持通过BIOS调节内存的频率就可以这样使用，否则新买的内存就会被降频。

通常新买的内存规格参数都会比原来的老内存高一些，例如老内存规格为宇瞻DDR3 1333 2GB，延迟时序CL=9，而新买的内存为杂牌DDR3 1600 2GB，CL=7。在目前的主流主板BIOS中都有针对内存的超频设置选项，我们可以利用它们来对内存参数进行设置，从而能让它们和平相处，协同工作(如图1)。

开机后按下DEL键进入主板BIOS的“OverDrive”界面，本例使用的是昂达A75T魔固主板，使用其他品牌型号主板的用户需要自己找到相应的界面。可以看到BIOS自动识别了内存，将“Memory boot Mode”选为“Easy Memory”，“Memory Frequency”内存频率选项和“Memory Performance Mode”内存高级模式选项都被设为“Auto”自动。一般来说，如果和原有的1333MHz内存一起使用的时候，1600MHz的内存将被默认降频到1333MHz的主频来运行，不会对硬件造成任何影响，但是在高级参数中，一些杂牌内存在混用时时序规格会出现问题，因此需要将它们设置为和老内存相同的数值。

取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”选项的“Auto”的设置，将前者设为“1333MHz” (如图2)，而这时在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”变为可调，将它们设为9-9-9-30。然后保存重新开机，即可正常进入系统了。虽然并没有发挥出新内存的原有性能，但至少可以和老内存的参数匹配了，混用变得更为稳定。

小提示：

有的时候在两条内存混插后，开机会出现点不亮的情况，这样就进不了BIOS进行设置了。这个时候只有短接CMOS电池清除BIOS信息。在一些主板上会有一些贴心的设计，如本例这款主板上有一个Memory OK按键(如图3)，按下它后，就可以将内存的频率及参数下调到能正常开机的水平，接着继续进入BIOS再对它进行设置。

其实内存的所有规格参数都是记录在SPD芯片，在开机电脑会根据其中的参数运行内存。对于一些在BIOS中没有提供内存参数调节选项的老主板，那么我们就只能用软件来修改参数，也就是把参数写入到SPD芯片中去，覆盖掉原有的参数。

在这里使用SPD tool软件，其修改内存的参数比较多，但风险比较大，需要事先做好备份工作。首先只将新内存插在电脑上，开机打开SPD tool，点击菜单栏“File”→“Read”→“Module 0：Installed” (如图4)，读取该内存的SPD信息。当读取完后点击“File”→“Save”，将它保存到电脑硬盘中，注意备份的文件名。

接着开始手动修改界面下方的各个选项，其中SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency(内存支持的最大CAS潜伏周期)，这里的值是1.25ns(800MHz)，改为1.50ns(666MHz)。接下来改Minimum Clock Cycle at CLX-1(最小CAS潜伏周期1)和Minimum Clock Cycle at CLX-2(最小CAS潜伏周期2)，把1.50ns(666MHz)和1.67ns(592MHz)分别改为1.67ns(592MHz)和1.93ns(518MHz)。向下找到Minimum Row Precharge Time(tRP)和Minimum RAS to CAS delay(tRCD)都改为30ns。

如果感觉这样的设置比较麻烦，那么可以将老内存的SPD参数读出来，将其直接写入到新内存中(如图5)。点击菜单栏“File”→“Write”→“Module 0：Installed”，在出现提示时点“是”，在写入成功后重启电脑。

当然这还不能保证内存刷新完全成功了，还需要使用MemTest软件进行测试，它的测试原理就是不停地对内存进行读写，从而发现内存中存在错误的区域。与SPDtool功能类似的软件还有Thaiphoon Burner等，大家可以举一反三。在修改时建议电脑上只插一条内存，这样不容易出现误操作。

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2. 微星主板bios设置内存方法

3. bios怎么改内存频率

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内存(Memory)被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。那么联想bios内存条怎么设置?下面是我给大家整理的一些相关信息，希望对大家有帮助!

联想bios内存条怎么设置

FSB与内存频率的关系

首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率 实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz

对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所 以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系

强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置

内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。

涉及到的参数分别为： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock

可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。tCL : CAS Latency Control(tCL)

可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说 是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束 就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传 送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或 2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值 为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。tRCD : RAS to CAS Delay

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时， 系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。

如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

bios内存条怎么设置的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于加内存条bios怎么设置、bios内存条怎么设置的信息别忘了在本站进行查找喔。

标签： bios 内存 内存条