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美光 7400 PCIe Gen4 SSD 发布
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Micron 宣布推出 Micron 7400 NVMe SSD，其亮点在于其 PCIe Gen4 接口和全面的安全功能。 美光 7400 具有多种外形规格，非常适合要求苛刻的数据中心工作负载，并有助于推动向下一代服务器架构的过渡。 Micron 宣布推出 Micron 7400 NVMe SSD，其亮点在于其 PCIe Gen4 接口和全面的安全功能。 美光 7400 具有多种外形规格，非常适合要求苛刻的数据中心工作负载，并有助于推动向下一代服务器架构的过渡。
由于数据的指数级增长以及现在有多少应用程序需要高性能存储解决方案，例如 SQL 和 NoSQL 数据库、块和对象存储、VDI 和服务器虚拟化以及云存储，数据中心一直在不断发展。
这就是新的 Micron 7400 的用武之地，它是我们见过的更广泛的企业级 SSD 产品之一。 该产品线由三种驱动器类型组成，它们由不同的外形尺寸和容量型号组成。 U.3：提供（7mm 和 15mm 尺寸），容量从 800GB 到 7.68TB 不等。 这是市场上唯一具有 4 毫米和 3 毫米尺寸的 PCIe Gen7 U.15 外形规格。 U.3 外形增加了对 NVMe、SAS 和 SAS 主机控制器的支持，这意味着更简单的现场支持。 M.2（22 x 80mm 和 22 x 110mm 尺寸），容量从 400GB 到 3.84TB 不等。 这是唯一具有断电保护功能的 PCIe Gen4 M.2 22 x 80mm 驱动器（专为服务器启动使用而设计）。 M.2 除了是具有低功耗的最小外形外，还具有现有行业采用的优势。 E1.S (E1.S: 5.9mm, 15mm, and 25mm sizes)，容量从800GB到3.84TB不等这一全面的数据中心 SSD 产品线肯定会帮助企业应对数据中心环境不断增长/不断变化的容量、功率和散热要求。 其中最有趣的选择是新的 E1.S 企业和数据中心 SSD 外形规格 (EDSFF)。 我们写了一篇关于 E1.S 尺子如何最终成为主流，以及它对企业前进的意义。 在使用即将推出的 PCIe Gen1 SSD 时，新的 E15.S 外形规格（特别是 25mm 变体）将以其 5W+ 的能力带来令人难以置信的性能数字。 但就目前而言，这意味着更高的密度、闪存优化的性能以及改进的电源和（集成）冷却选项。 因此，IT 将能够在同一机箱中安装更多 SSD，同时保持性能和温度水平。 美光 7400 SSD 安全性美光 7400 SSD 提供一系列基于标准的功能，包括 TCG-Opal 2.01 和 IEEE-1667，以及新的动态和静态数据保护功能： 安全执行环境 包括专用的安全处理硬件，具有用于安全相关功能隔离的物理隔离 非对称信任根 启用经过身份验证的根密钥撤销（在不可变 ROM 中） 强大的非对称密钥支持 使用美国国家标准技术研究院 (NIST) 批准的标准算法和 208 位/3072 位 RSA 密钥 RSA 委托密钥支持 使客户能够保持对 RSA 密钥的所有权 安全启动 帮助确保运行平台上的固件完整性 基于密钥的固件更新 在固件更新之前使用基于公钥的身份验证来验证固件 基于密钥的特权访问 使用基于公钥的授权防止未经授权的特权 SSD 功能执行 美光 7400 SSD 性能美光表示，与上一代产品相比，7400 SSD 产品线的每瓦 IOP 和吞吐量提高了一倍以上。 它们还向后兼容 PCIe Gen3 系统，因此仍在使用上一代接口的客户可以在准备就绪时过渡到 Gen4 平台。 至于它们的性能细节，所有可能的数字都会因容量和尺寸模型而有很大差异。 美光 7400 系列还有两种不同的系列类型：PRO，提供 1 DWPD（每天驱动器写入）或 MAX，提供 3 DWPD。MAX 在随机写入性能和耐用性至关重要的用例中也表现出色。 以下是您可以期望它们达到的最高传输速率的概要： U.3 外形规格提供高达 6.6GB/s 和 5.4GB/s 的顺序读取和写入，而随机性能据称可提供高达 1 万 IOPS 读取和 363K IOPS 写入。 对于 E1.S 规格，7400 的连续读取速度有望达到 6.6GB/s，写入速度可达 3.5GB/s，而随机读取和写入 IOPS 分别高达 800K 和 347K。 M.2 产品的读取和写入顺序性能分别为 4.4GB/s 和 2.2GB/s。 随机性能有望达到650K读取和206K写入。美光 7400 支持 128 个命名空间（即独立的 NAND 逻辑块，可单独访问以进行非干扰 I/O 和多租户），从而提高超融合基础设施和软件定义存储等虚拟化环境的可扩展性。 相比之下，美光 7300 只支持一个。
此外，它还支持为合格环境部署开放计算项目 (OCP)。 美光7400 SSD规格 U.37400 PRO：U.3 读取密集型，每天 1 个驱动器写入 7400 最大：U.3混合用途，每天 3 次驱动器写入 容量 960GB 1.92TB 3.84TB 7.68TB 800GB 1.6TB 3.2TB 6.4TB
性能
顺序。 读取（MB/秒） 6,500 6,500 6,600 6,600 6,500 6,500 6,600 6,600 顺序。 写入（MB/秒） 1,000 2,200 3,500 5,40010 1,000 2,200 3,500 5,40010 兰特。 读取 (IOPS) 240,000 430,000 800,000 1,000,000 240,000 430,000 800,000 1,000,000 兰特。 写入 (IOPS) 60,000 95,000 150,000 190,000 122,000 224,000 347,000 363,000 70/30 兰特。 读/写 (IOPS) 105,000 174,000 275,000 400,000 159,000 276,000 455,000 610,000 延迟（典型值，微秒） 75（读取） 15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 耐力（以 PB 为单位写入的总字节数） 1,7006,700 3,50014,400 7,00025,700 14,00048,900 4,3008,000 8,70016,400 17,50031,800 35,00062,800 E1.S7400 PRO: E1.S 读取密集型，每天 1 个驱动器写入 7400 最大：E1.S混合用途，每天 3 次驱动器写入 容量 960GB 1.92TB 3.84TB 800GB 1.6TB 3.2TB
性能
顺序。 读取（MB/秒） 6,500 6,500 6,600 6,500 6,500 6,600 顺序。 写入（MB/秒） 1,000 2,200 3,500 1,000 2,200 3,500 兰特。 读取 (IOPS) 240,000 430,000 800,000 240,000 430,000 800,000 兰特。 写入 (IOPS) 60,000 95,000 150,000 122,000 224,000 347,000 70/30 兰特。 读/写 (IOPS) 105,000 174,000 275,000 159,000 276,000 455,000 延迟（典型值，微秒） 75（读取） 15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 75（读取）15（写） 耐力 （以 PB 为单位写入的总字节数） 1,7006,700 3,50014,400 7,00025,700 4,3008,000 8,70016,400 17,50031,800 M.27400 专业版：M.2 读取密集型，每天 1 个驱动器写入 7400 最大：M.2混合用途，每天 3 次驱动器写入 容量 480GB 960GB 1.92TB 3.84TB 400GB 800GB 1.6TB 3.2TB
性能 顺序。 读取（MB/秒） 4,400 4,400 4,400 4,400 4,400 4,400 4,400 4,400 顺序。 写入（MB/秒） 530 1,000 2,000 2,200 530 1,000 2,000 2,200 兰特。 读取 (IOPS) 120,000 230,000 420,000 650,000 120,000 230,000 420,000 650,000 兰特。 写入 (IOPS) 25,000 60,000 85,000 105,000 55,000 118,000 172,000 206,000 70/30 兰特。 读/写 (IOPS) 45,000 105,000 160,000 240,000 75,000 153,000 261,000 360,000 延迟（典型值，微秒） 85（读取）40（写） 85（读取）15（写） 85（读取）15（写） 85（读取）15（写） 85（读取）15（写） 85（读取）15（写） 85（读取）15（写） 85（读取）15（写） 耐力 （以 PB 为单位写入的总字节数） 8003,800 1,7006,700 3,50014,400 7,00025,700 2,1004,100 4,3008,000 8,70016,400 17,50031,800 美光 7400 固态硬盘：共同特性
基本属性 接口 PCIe Gen4 1×4 NVMe (v1.4) 形状因素 U.3（7 毫米、15 毫米）、E1.S（5.9 毫米、15 毫米、25 毫米）、M.2（22 x 80 毫米、22 x 110 毫米） NAND闪存 美光 96 层 3D TLC NAND 典型值。 潜伏 读取：M.2：85µs，U.3，E1.S：75µs； 写入：25µs值得信赖 平均无故障时间 2 万设备小时 UBER |
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