【视频文案改】生逢其时还是定位尴尬？

9012年9月，陪伴本垃圾居士4000年的Surface Pro 4最终被我折腾坏了。但是就算有一箱子（垃圾）显卡，我也需要一个能拿着到（捡）处（垃）跑（圾）的笔记本。所以少有地我买了个全新的玩意，并且少有地给它写了个评测，如下。

从本文开始，对于操作和建议，统一使用三个级别的风险提示。绿色为建议，黄色为存在一定风险，红色为（很大概率）对硬件/你会造成损害，标识分别为建议，警告，危险。以后出现只会标注类别，不再特别解释。

建议：这笔记本我已经买了半年多了，市场变化很大，本文章中的购买信息仅作为资料使用。本文并非推荐/不推荐本款或任何其他一款笔记本或者其中的任何升级部件。购买决策是诸位看官自己的事情，不应该交给在下来决断。

CPU：Intel i5 9300H 4C/8T 2.4/4.1Ghz 32KB/32KB/256KB/8MB（L1 Code/L1 Data/L2/L3）

GPU 1：Intel UHD Graphics 630

GPU 2：NVIDIA  GeForce GTX 1650 TU117M GDDR5/4GB/Hynix

内存：DDR4/2666Mhz/SK Hynix（原装8GB单通道，后加装至16GB双通道）

SSD 1：WDC（西数）SN520 512GB PCIe 3.0 x2（原装）

SSD 2：SAMSUNG（三星）PM981 512GB PCIe 3.0 x4（加装）

HDD：未加装

无线网卡/蓝牙：Intel Wi-Fi 6 AX200 160MHz 2x2 / Bluetooth 5.1

芯片组：Intel HM370

显示器（面板）：PANDA（中电熊猫）LM156LF9L02 1920x1080 IPS 8-bit 15.6寸

接口（从后向前）：L（左）：1Gbps RJ45网口 / HDMI 2.0 / USB Type-C / USB A x2（全都是5Gbps的USB 3.0，或者是某个组织想出来的全新命名USB 3.2 Gen1）

R（右）：DC 5.5x1.7 供电接口 / USB A 2.0 / 高科技的3.5mm模拟音频接口（耳麦合一）

电池：LG Chem AP18E8M 15.4V 57.48Wh（Typ.）/ 55.03Wh（Rated）

话不多说，开始性能测试。

声明：本测试分为前后两次，第一次是日常使用6个月之后直接测试（未清灰，原厂硅脂），第二次是拆机清灰+换硅脂（硅脂使用信越7921-5，导热垫使用莱尔德720，显存散热改为使用导热垫）之后测试，并且使用支架使吸气更顺畅（C面倾角保持为15°）。根据测试环境不同，这些数据可能无法用其他同型号产品复现。测试环境温度在22~25°C之间，系统为我使用了3个月的Windows 10 Pro Version 1909 Build 18363.752，内存和固态均为升级后配置，显卡驱动为442.19版本的Studio Driver（未安装Geforce Experience），均使用笔记本自带屏幕测试，分辨率1920x1080。

这两次测试侧重于不同的方向，测试一侧重在一段时间的使用后，散热系统的衰减程度；测试二则侧重更换足够好的硅脂，在很良好的条件下可以达到的理想性能。为了对比方便，有些第一次的测试数据放在第二次测试的部分。

第一次（未清灰）：

游戏性能测试包含两个游戏：Metro Exodus（地铁：离去），Assassin's Creed Origins（刺客信条：起源）

地铁：离去内置测试，三种设置为极高、中和低

刺客信条：起源内置测试，画质设为高

刺客信条：起源内置测试，画质设为最高

专业应用测试包括SPECviewperf 13，Cinebench R15/R20，Blender，Superposition四项。

先从SPECviewperf 13开始。三次测试中没有留时间让电脑充分冷却，所以后面的结果会稍差，不过这也是期望之中的效果。

再来看看多核正义的Cinebench。R15三次跑分之间没有留冷却时间，R20选了一次最高分，为1608。

经典保留项目：Blender的BMW模型渲染。三次同样没有冷却时间，分别用时10:15.96，10:20.69，10:28.58。

结合上面的CPU功率和封装温度来看，每次测试开始/结束时，都存在明显的温度突变，这也大概暗示了更换导热材料可能会带来的散热性能提升（如下图，就算以2s为间隔，突变也很明显）。

第二次测试：

可以称为“榨干最后的性能”的第二次测试，测试条件也更为理性（主要是清灰换硅脂了...）

还从游戏开始：（这期间我的游戏硬盘挂了，地铁：离去真的一去不复返了...）

刺客信条：起源内置测试，画质设为高。

前/后：7363/7737 62/64 11/10 16/15

刺客信条：起源内置测试，画质设为最高。

前/后：5957/6403 51/53 15/12 20/19

地铁已经离去了，取而代之，让我们看看众生平等奥德赛的分数：

在奥德赛的游玩过程中，CPU帧时间已经超过了GPU，成为了限制性能的因素。虽然关掉一些抗锯齿和地图细节可以缓解一下，但是总体看来，四核八线的CPU可能要从主流的游戏本中逐渐消失了。I和A在下半年的主流配置中都提供了至少六核的CPU。一年多前，主流四核的台式CPU逐渐让位于六核和八核的产品，现在这一趋势也来到了笔记本上。我个人还是比较期待的（虽然没钱）。

专业软件还是先来看SPECviewperf 13。第一次测试中三次的平均成绩用来对比清灰后的一次测试。

Blender的BWM渲染测试，居然跑出了08:23.73的成绩，我其实都有点不相信，相比于之前的10:15.96提升很大。不幸的是，我不可能再刻意弄脏电脑再测一遍之前的结果，所以只能作罢。加测了巴塞罗那馆的渲染，成绩31:08.16。

清灰后的Cinebench R15/R20成绩都有提升，最好单次分别为801cb和1773pts，对比之前的单次最好为732cb/1608pts。

在物理学/电子学专业学生中广受好评（误）的实验室测试Superposition，图表包含清灰前后的数据。清灰后有一定提升。

理论散热负载使用Furmark单烤GPU测试。三项分别为GPU功率，GPU温度，GPU频率。

可以看到这本单烤GPU完全不虚，温度最高也就55°C，从始至终都是功率墙限制（所以也没啥好超频的，反正都要墙回来）。

众所周知，AIDA64中的单烤FPU是不错的CPU散热测试负载。图一为清灰前，图二为清灰后。三项分别为CPU封装功率，CPU封装温度，平均等效频率。

温度曲线上体现的提升非常明显，从90°C附近的明显波动下降到70°C附近的相对稳定状态，对于整体性能的提升不容小看。这意味着CPU可以避免在不同的工作状态间频繁切换，而这种切换通常会带来性能损失。更别说可以达到更高的频率带来的性能提升。

另外比较明显的是功率曲线的变化。清灰前几乎是刚加上负载就进入温度墙限制，之后就是被温度墙和功率墙PL2轮流限制；清灰后可以明显看到完整的功率墙PL1限制和之后的PL2限制（注意，PL1=56W，为短时间功率墙，PL2=45W，为持续功率墙）。

频率曲线的变化基本上就是刚开始增加450MHz（达到3.2GHz），稳定段增加了200MHz（达到2.9GHz）。

还有就是上文提到的“用开始/结束测试时温度突变大小来简单的判断更换硅脂用处大小”的那个说法。诸君可看到更换硅脂前的图像，负载结束时的温度曲线斜率，其突变值（5s左右）接近27~30°C，而更换过硅脂的图像突变值则大概20°C左右。当然，这其中有各种各样的影响因素，全都分析出来我能写成一篇热力学论文（笑）。简单来说，这里取了个近似：散热系统在过程中温度变化可忽略或热阻可忽略，从而使温降全部集中在导热介质（硅脂）上，曲线体现出的就是导热介质的热学特性。应用于台式机时还要注意，因为那些CPU盖子里面还有一层硅脂。但是当散热器太小/导热性不佳的情况，假设就不满足了（温度变化过大或者热阻过大导致结果已经没有意义）。

下面是FPU和Furmark双烤的曲线。六项为CPU封装温度，CPU封装功率，GPU温度，GPU功率，CPU平均等效频率，GPU频率。需要注意的是，为了Furmark流畅运行，只给FPU测试分配了7个线程，所以CPU的等效频率在这里不能直接和上面的单烤FPU相比较。相比之下，比较处理器功耗和温度更有意义。

由于散热系统的设计问题，CPU和GPU共用热管；所以同时烤机时，CPU的散热差了不少，性能水平也受到散热限制（通过功率和温度可以更明显看出来，进入稳定阶段的封装功率只有37W左右，温度则维持在90°C以上）。GPU的散热倒是非常不错，可以保持在60°C左右。

最后补两张GPGPU和Cache/Memory测试的图（内存插的双通道）。

警告：拆机前务必断开各种连接，尤其是电源。后盖拆开后首先断开电池。带电操作易造成元器件烧毁等故障。本人不建议经验较少的玩家拆机，并且不对拆机造成的任何后果负责。

只要拧下周围的11个螺丝，就可以撬开卡扣拆下后盖了。这些螺丝都是相同型号的，不怕弄混。和大多数笔记本相同采用倒装主板，CPU、GPU等都在底面上，散热扇由底部进气，右侧（少量）和后侧（主要）排气。

这个本的可升级性还是不错的，2条内存插槽（根据官网可以支持16Gx2 32G内存）；2个PCIe NVMe SSD插槽（其中一个也兼容SATA SSD），应该都能支持到PCIe 3.0 x4，不过兼容SATA那个应该是从芯片组引出的；无线网卡也是可以更换的，不过我觉得暂时也没有更好的换；而且下面那个银色的的框框--没错，使用包装里的排线，还可以上一块2.5寸的硬盘。

上图左侧的USB 2.0/3.5mm接口子板是通过一根排线（两条SSD之间可以看到一点）连接到主板的。这根排线本身设计没啥问题，接口都是没问题的，但是我刚拿到电脑时候有松动，导致耳机只有一边有声音。不过这个应该是个例。整个主板设计还是比较整齐的，布局比较合理，升级的难度不大（但是后侧的卡扣比较小，容易弄断，可以先打开其余三边的卡扣，然后向后侧推出卡扣）。

一个值得好评的小细节，电池底部两侧有减震海绵，减少可能伤到电池的冲击。

散热器使用铜片来将热量由芯片传导到热管，CPU和GPU共用两根热管，GPU独有一根热管。背部出风的部分有三根热管通过，而到达右侧的只有一根。热管被压扁为8mm x 3mm的规格，与均热铜片/铜鳍片的连接均为锡焊，导热能力还是不错的。

有意思的是，显存的导热介质没有使用比较常用的导热垫，而是上了一层很厚的硅脂。核心的散热使用的硅脂比较像信越的膏体，只不过稀释的程度比较大。一共使用了三种颜色的导热垫（绿色的一种留在了主板上），替换的话均可用1mm型号替换（仅绿色导热垫需用1.5mm型号替换）。

鳍片为铜制，质量看起来是不错的。

装有两个台达生产的5V 0.5A离心风扇，型号NS85C06。转速拉满还是很强力的（虽然只在更新BIOS时候才会满转，正常使用的转速调校是比较保守的）。

先上一张全（hard）家（ware）福（p**n）（滑稽）

CPU：型号识别代码SRF6X FCBGA1440焊盘

内存（原装）：HMA81GS6JJR8N-VK N0 AC 8GB 1Rx8 PC4-2666V-SA1-11（SK Hynix Korea）时序19-19-19-43-61 使用Hynix原厂颗粒H5AN8G8NJJR VKC DDR4 1.2V 8Gb x8-Organization 16-Banks Non-TSV-Die-Type（TSV：Through Silicon Via 硅穿孔垂直互联）11nd-Die-Generation（？）Flipchip-SDP78封装（从某种意义上说其实就是FCBGA78）（晶片迭代对应的代码为J，在17年6月更新的代码解读中并未提及，官网也查不到相关颗粒。但根据命名规则，推导出J应代表11nd）。

GPU：核心代码N18P-G0-MP-A1 19年18周

显存：SK Hynix H5GC8H24AJR R2C GDDR5（R2版本在1.35V/1.5V下分别可以运行在3.5GHz/4.0GHz）8Gb 16K/32ms-Refresh x32-Organization 16-Banks 2nd-Die-Generation FCBGA170（这里有一个小小的矛盾，官网具体颗粒规格有如上的两个电压/运行速度，但是在通用的代号命名规范里，R2后缀只表示3.5GHz。本人认为不用纠结，标准电压1.35V下就是3.5GHz。另外一个好玩的地方是Hynix生产的5种GDDR5 SDRAM颗粒中，其余四种均为Mass production状态，只有这个颗粒是Customer sample状态，emmm...）。

PCH：型号识别代码SR40B

终于来到供电部分，首先看CPU供电

ON Semiconductor（安森美）NCP81215 QFN52封装（无相关数据，以下数据来自接近的型号NCP81243）3/2/1+2/1相（可选4+1相）PWM控制器

Alpha & Omega Semiconductor AON6962 30V Dual Asymmetric（非对称）N-MOSFET（无相关数据，所列数据由接近型号估计得）Continuous Drain Current（持续漏极电流ID）应介于AON6946的16A/18A和AON6980的28A/36A之间（但是实际情况可能并不是这么简单...）（为什么有两个电流？因为是双MOS啊）

电感 0.15uH 可能为乾坤科技（CYNTEC）或者台达（Delta）（实际上乾坤就是台达系的公司）CMLE064T系列 Idc在40A左右（Heat Rating Current DC，使温升ΔT=40°C的直流电流）Isat在50A左右（Saturation Current DC，使电感值L下降30%的电流）

APAQ（钰邦）贴片铝聚合物电解电容 ACAS2R0S221E09 220uF 2.0V ESR=9mΩ（max. at 100kHz）寿命105°C，2000hrs 日期码K20

Lelon（立隆）贴片铝电解电容（可能的种类太多，没法具体写出料号）33uF 25V 周期码F9

这时，有人可能会问，这CPU核心供电配置为啥这么混乱啊，两个输入电容配四个（双）MOS四个电感然后只有一个输出电容？对此我只能说，这应该是4相供电，输入共用两个电容，输出共用一个电容（这里说的是靠左的四个电感和MOS，上面的两个立隆电容和下面的一个钰邦电容），右侧的一个MOS和电感还有一个钰邦电容应该属于核显供电（输入电容应该也共用那两个立隆）。这样的推测符合PWM控制器的4+1相配置，而且也让空焊盘的存在具有合理性（Acer的ConceptD 3产品线和这个笔记本应该使用的是相同的主板，但是有i7 9750H的配置。多焊四个MOS可以提高Buck导通能力，多焊电容可以提高更高功率下的纹波稳定性。而且在这种配置下，无需对PWM驱动电路做很大修改）。

下面是人人喜欢的显卡部分了

Panasonic/SANYO（松下/三洋）铝聚合物电解电容 560uF 2.0V

电感推断同上 0.22uH

电容推断同上 33uF 25V

uPI SEMI（力志）uP9512Q 9X49AX 同步整流Buck控制器 N家20系卡上非常常见的供电方案 支持8/7/6/5/4/3/2/1相  支持NVIDIA的Open Voltage Regulator Type 4i+和PWMVID技术。PWMVID输入经过Buffer和Filter产生标准参考电压，IC的输出电压就可以根据这个参考电压来精确调节。并且支持DrMOS（Integrated Driver MOS集成驱动的MOS，这里就是）和电流报告。报告的电流大小被IC用于均衡各通道电流。由于是很新的设计，下面就结合datasheet分析一下具体电路实现。需要注意的是uP9512这个型号对应两种封装，这里的uP9512Q是减少了一些引脚的，下面的分析则基于完整的uP9512P。

uPI SEMI QD9619A U5F9A6 SPS（Smart Power Stage智能功率模组）集成Driver和MOS，支持温度和电流报告 可承载电流60A 开关频率可达1MHz

莫要被吓跑了，过去这段还有不那么硬核的内容

注：部分以下内容翻译自规格书

IC供电部分：

5VCC：5V电源输入

EN：10kΩ电阻接地启用PWM strap，24kΩ电阻接地则禁用。也可以连接一个MOS漏极用于电源顺序控制（power sequence control）

标准电压部分：

VREF：参考电压，2V LDO（low dropout）标准电压输出，通过至少1uF电容接地去耦

REFADJ：参考电压调节，PWMVID输出脚，连接RC积分电路来产生REFIN电压

VID：PWMVID输入

PWM控制部分：

1~8脚全都可以作为PWM输出，故不再单列，以下列出其他功能

1脚：LL（Load Line）通过电阻接地来设置直流负载线（DC load line）开启阈值，电阻应大于15kΩ

2脚：APL_HYS/MID_BUF（Hysteresis of Auto-Phase Shedding and PWM Middle State Mode Control）（不想具体解释作用了，看下下面的应用图和最后给的文章就大概明白了）将此脚接外置MOS Driver的PWM输入脚，并通过电阻接地来设置以上的两个值，电阻应大于15kΩ

3~6脚：APL1~4（Auto-Phase Shedding Threshold 1~4）将此脚接外置MOS Driver的PWM输入脚，并通过电阻接地来设置该值，电阻应大于15kΩ

7脚：RMP_SLP（RAMP Slope）用于设置内置RAMP信号的斜率，将此脚接外置MOS Driver的PWM输入脚，并通过电阻接地来设置该值，电阻应大于15kΩ

8脚：T_RAMP（Soft-Start Time）用于设置软起动时间，将此脚接外置MOS Driver的PWM输入脚，并通过电阻接地来设置该值，电阻应大于15kΩ

电流均衡部分：

CSP1~8：将此脚接DrMOS的电流监控输出脚来获取第1~8相电流，注意保持CSP到REFOUT的最大电压差小于400mV

数据采集/设置部分（不完全）：

PSI（Power Saving Input）：接收GPU的省电控制信号

LPC（Low Phase Count）：将此脚通过分压器接5VCC，设置热启动和冷启动的工作相数，不能接去耦电容

TSENSE（Temperature Monitoring Input）：接DrMOS的温度报告脚

CH_OC（Channel Current Limit）：将此脚通过电阻接地设置每项电流限制

ADDR/FSW（SMBus Device Address and Operation Frequency）：将此脚通过分压器接5VCC，设置SMBus设备地址和工作频率，不能接去耦电容

PGOOD（Power Good Indication）：将此脚通过提升电阻连接电压源

SDA（SMBus Data Input）

SCL（SMBus Clock Input）

*这里的针脚选了比较容易集中解释的列出，其余针脚如果提到会再单独解释

下面是uP9512的典型应用电路，可以配合QD9619的框图和应用图食用，风味更佳（笑）

QD9619官网没找到datasheet，在其他的网站上找的信息

QD9619的信息：

再来仔细看一下IC的几项特别功能

首先来看写进简介的PWMVID功能。GPU给出的PWMVID信号加到VID脚上，VID脚即为内置Buffer的输入脚。这一Buffer用于调节电平，Buffer的输出信号加到外置的RC积分器，以此产生REFIN电压，其电路结构及计算式如下：

上式中VREFIN为REFIN脚的直流电压，VVREF为VREF脚的电压（通常为2V），D为PWMVID输入信号的占空比。上面针脚介绍时已经提到VREF接地电容去耦的事情了，不过也值得再提一下，结构图里可以看到去耦电容。

再来看下同样很有意思的电流均衡。补充说明REFOUT脚：参考输出电压（Reference Output Voltage）为DrMOS提供参考电压，此脚接DrMOS的REFIN脚。

IC通过CSPx脚获取每相（第x相）的电流信号。对每相取样所获取的电流ISENx由下式确定：

其中ΔVCSPx为CSPx脚和REFOUT脚间的电压差，RSEN为一个内置的电阻，通常为5kΩ。ISENx被镜像到电流均衡电路，在此进行各相间的比较，然后产生各项的电流调节信号。如果一相电流小于其他相，则增加此相占空比；反之则降低。

低功耗时，还保持所有相全部开启是一个不太省电的事情。uP9512包含的Auto-Phase Shedding功能可以在低功耗时关掉一些相来省电。但是在这个本上，显然并没有完整应用的机会，在此按下不表。但是写这篇文章的一个挺大的收获就是查到了一篇关于这个技术所带来的问题和解决方法的paper，还是值得一看的。

和不少其他驱动相似，uP9512也有直流负载线和交流负载线（DC / AC Load Line）的功能，由于不太方便简单解释，此处依然省略n字，简单知道这个功能可以提升负载转移性能就行了。

最后看一个电压控制电路。诸君超频通常都要在电压上动手动脚，那么就来看看电压是如何调节的。同样需要补充针脚定义。

FB：误差放大器反转输入

COMP：误差放大器控制环输出

EAP：误差放大器非反转输入。和DAC脚间接一电阻RDROOP来调节负载线功能

DAC：此脚输出电压为参考电压

FBRTN：输出电压反馈输入。电压差放大器的反转输入脚。FBTRN作为DAC输出电压测量的参考点。直接将此脚连接GPU输出电压反馈的测量点。（直接上原文吧，翻译的奇奇怪怪的：Output Voltage Feedback Return. Inverting input to the differential voltage sense amplifier. FBTRN is the reference point in DAC output voltage measurement. Connect this pin directly to the GPU output voltage feedback return sense point. 这里的Output Voltage Feedback Return应该是GPU上的一个电压测量信号的输出端，但是我不太清楚有没有正式的中文翻译，我找到了再来优化一下翻译）。

REFIN：参考电压输入。将此脚通过电阻接外置参考电压或将此脚接REFADJ电路输出。

现在来看电路。FB和EAP为误差放大器的负/正输入。误差放大器通过调节COMP电压VCOMP和（电压）调节器的占空比使VFB跟随VEAP。IDROOP电流被镜像到EAP脚上，在EAP脚上产生电压VEAP，其计算式：（负载线的部分我偷懒没讲，这里可能不好理解，抱歉。不过式1基本上说清了是怎么运行的。）

VDAC为VREFIN的输出电压；RDROOP为连接在DAC脚和EAP脚之间，用于调节负载线斜率的外置电阻；IDROOP为直流负载线启用时，与输出电流成比例的电流源（我有点纠结这里的下标大小写，最终还是按照原文来写。虽然明显错了...）。

以上看不懂是很正常的，想了解更多可以从Buck电路的原理开始学起，然后了解多相供电的原理和应用，再来看就应该清楚很多（虽然后面的电压调节什么的是完全不同的东西...）。

下面看显存供电，拍照时忘记去掉电感的导热垫了，不过和核心的差不多，脑补一下吧，不好意思，回头再拆机时候换张更好的图。

怀疑人生的判断，PWM控制器以前似乎见过，但是在几百份datasheet里找不出来了；电容也判断不出来；MOS是Alpha & Omega Semiconductor AOE6930 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS ID为22A/85A（源栅VGS=10V）；PWM控制器位于主板背面，为uPI的uS5650Q，具有OVR-M功能，也是在20系卡上比较常见的方案。

在去年我买这个本时，这个看起来挺划算的本和其他类似的本头上的天空中始终有一片乌云，那片乌云就是4代的移动标压锐龙。然而现在，四代锐龙已经在笔记本CPU领域刮起了一阵风暴。对于现在的笔记本买家，买不买4代锐龙已经是绕不开的问题了；又或是说，买不买英特尔成了要考虑的问题了（笑）。接下来要看的，就是i家10代移动标压的表现了。至于标题里问的问题，相信看到这的你一定有了自己的答案。

看到这里，诸君有可能问，在这个十代酷睿笔记本都开始出货的时候，为什么费心费力写一篇注定要成为绝唱的九代四核本的解析。我的答案可能有两个：第一，在一个产品的生命周期里，有发售有退市，有买全新也有买二手。这篇解析既然抢不上首发，那就要深入。它也许会帮到哪位买二手的朋友决策，这就是有用的。第二，这是我的设备，我肯定会去研究，不管到底写不写文章做不做视频。但是，写成文章的过程，也是对已有知识归纳串通的过程。科技日新月异，电子产品千千万万；始终有未知的领域，始终有待研究的产品；日积月累，保持好奇，既是对科技应有的态度，也是科技数码圈始终具有活力的核心。

Ver1.1：修改了显存供电部分的说明。

好的作者，写的是自己心里的故事，谓之诚

好的作品，写的是读者心里的故事，谓之巧