实验五 汉字字库实验（Logisim）

理解存储系统进行位扩展、字扩展的基本原理，能利用相关原理解决实验中汉字字库的存储扩展问题，并能够使用正确的字库数据填充。

现有如下 ROM 组件，4 片 4K32 位 ROM ，7 片 16K32 位 ROM，请在 Logisim 平台构建 GB2312 汉字编码的 1616 点阵汉字字库，电路输入为汉字区号和位号，电路输出为 8×32 位（ 1616=256 位点阵信息），待完成的字库电路输入输出引脚见后图，具体参见工程文件中的 storage.circ 文件，图中左侧是输入引脚，分别对应汉字区位码的区号和位号，中间区域为 8 个 32 位的输出引脚，可一次性提供一个汉字的 256 位点阵显示信息，右侧是实际显示区域，用于观测汉字显示是否正常。待完成字库子电路封装已经完成，请勿修改以免影响后续自动测试功能。 电路引脚

设计思路：由实验已给出的电路框架可知，我们需要完成的任务是用空白框上方四块ROM芯片进行扩展来代替空白框内的电路。根据实验要求，将4片4K32位的ROM通过字扩展成一片16K32位的ROM。由于是字扩展所以要将4片4K32位ROM并联。然后将每个ROM芯片的数据端与多路选择器的数据端相连。又因为电路框架中已给出的地址线的位数是14位，而ROM的地址位宽是12位，所以要将低12位通过分线器引出，并联到4个ROM的地址端。高两位连接到多路选择器的选择段。此外由于题目中说明ROM芯片set端低电平输出高阻。所以要将4片ROM芯片set端连接常量1。

实验电路图

由于电路连接完成后忘记从参考字库中复制字库，所以在测试时发现没有任何输出。

字库复制完成后，测试成功

通过本次实验的学习，我对ROM芯片的字扩展有了更加深入的理解。也能够利用相关原理解决实验中汉字字库的存储扩展问题，并能够使用正确的字库数据填充。