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2024-07-17 04:13| 来源: 网络整理| 查看: 265

恒定磁场

文章目录 恒定磁场毕奥-萨伐尔定律磁矩运动电荷的磁场 磁场的高斯定理安培环路定理带电粒子在电场和磁场中的运动载流导线在磁场中所受的力磁场中磁介质磁介质中的安培环路定理

电流定义: I = d q d t I=\dfrac{dq}{dt} I=dtdq​

在运动电荷周围空间中除了电场还有磁场,磁场对于处于其中运动的电荷有力的作用

毕奥-萨伐尔定律

电流体在外激发的磁场强度与电流的大小成正比,与距离的二次方成反比

d B = μ 0 4 π I d l s i n θ r 2 dB=\dfrac{\mu_0}{4\pi}\dfrac{Idlsin\theta}{r^2} dB=4πμ0​​r2Idlsinθ​

载流"无限长"直导线的磁场强度: B = μ 0 I 2 π r 0 B=\dfrac{\mu_0I}{2\pi r_0} B=2πr0​μ0​I​

圆形载流导线轴线上的磁场: B = μ 0 2 R 2 I ( R + x ) 3 / 2 B=\dfrac{\mu_0}{2}\dfrac{R^2I}{(R+x)^{3/2}} B=2μ0​​(R+x)3/2R2I​

磁矩

一平面圆电流,面积为S,电流为I,定义圆电流的磁矩为 m = I S e n m=ISe_n m=ISen​

运动电荷的磁场

电流由运动的电荷组成,电流能够激发磁场,运动电荷就能激发磁场

运动电荷激发的磁场为: B = μ 0 4 π q v e r r 2 B=\dfrac{\mu_0}{4\pi}\dfrac{qve_r}{r^2} B=4πμ0​​r2qver​​

磁场的高斯定理

通过磁场中某一曲面的磁感线数叫做通过此面的磁通量

Φ = B ⋅ S \Phi=B·S Φ=B⋅S

通过某一闭合曲面,由于磁感线穿过之后一定会穿出,则有高斯定理 ∮ s B ⋅ d S = 0 \oint_sB·dS=0 ∮s​B⋅dS=0

安培环路定理

在恒定磁场中,磁感强度B沿闭合路径的线积分,等于此闭合路径所包围的电流的代数和与真空磁导率的乘积

∮ B ⋅ d l = ∑ μ 0 I \oint B·dl=\sum\mu_0I ∮B⋅dl=∑μ0​I

N匝螺绕环线圈内磁感强度: B = μ 0 N I 2 π r B=\dfrac{\mu_0NI}{2\pi r} B=2πrμ0​NI​ 其中r为点到螺绕环中心的距离

带电粒子在电场和磁场中的运动

带电粒子在电场所受的电场力为 F = q E F=qE F=qE

带电粒子在磁场总运动会受到洛伦兹力 F = q v B F=qvB F=qvB

电荷为q,质量为m的带电粒子在自感强度为B的均匀磁场中受到洛伦兹力做匀速圆周运动

则有 R = m v 0 q B R=\dfrac{mv_0}{qB} R=qBmv0​​

粒子的回旋周期为 T = 2 π m q B T=\dfrac{2\pi m}{qB} T=qB2πm​

载流导线在磁场中所受的力

载流导线在磁场中会受到安培力的作用

F = ∫ l d F = ∫ l I d l B F=\int_ldF=\int_lIdlB F=∫l​dF=∫l​IdlB

磁场中磁介质

处于磁场中的物质会受到磁场的影响,一切能被磁场磁化的物质称为磁介质,磁化的磁介质也会对磁场造成影响,磁介质被磁化产生的附加磁场为B‘

则该点的磁感应强度为 B = B 0 + B ′ B=B_0+B' B=B0​+B′

顺磁质被磁化后会增强磁场,逆磁质被磁化后会削弱磁场

磁化强度:磁介质内的磁矩发生了变化

M = ∑ m i Δ V M=\dfrac{\sum m_i}{\Delta V} M=ΔV∑mi​​

磁介质中的安培环路定理

磁介质被磁化后会在边缘形成近似的磁化电流,这个电流会对原磁场产生影响

利用安培环路定理有 ∮ l B ⋅ d l = μ 0 ∑ I + μ 0 ∑ I s \oint_lB·dl=\mu_0\sum I+\mu_0\sum I_s ∮l​B⋅dl=μ0​∑I+μ0​∑Is​ 由根据磁化电流面密度和磁化强度有如下关系 M = i s M=i_s M=is​

∮ M ⋅ d l = I s \oint M·dl=I_s ∮M⋅dl=Is​

则有 ∮ l B ⋅ d l = μ 0 I + μ 0 ∮ l M ⋅ d l \oint_l B·dl=\mu_0I+\mu_0\oint_lM·dl ∮l​B⋅dl=μ0​I+μ0​∮l​M⋅dl

∮ l ( B μ 0 − M ) ⋅ d l = μ 0 ∑ I \oint_l(\dfrac{B}{\mu_0}-M)·dl=\mu_0\sum I ∮l​(μ0​B​−M)⋅dl=μ0​∑I

令 H = B μ 0 − M H=\dfrac{B}{\mu_0}-M H=μ0​B​−M

乘H为磁场强度

则有磁介质中的安培环路定理 ∮ l H = μ 0 ∑ I \oint_l H=\mu_0 \sum I ∮l​H=μ0​∑I

磁场强度沿任意闭合回路的线积分,等于该回路包围的传导电流的代数和

根据磁场强度受到磁介质的磁导率影响 B = μ 0 μ r H B=\mu_0\mu_rH B=μ0​μr​H μ 0 μ r \mu_0\mu_r μ0​μr​为磁导率

μ r \mu_r μr​为相对磁导率

则B与H有如下关系 B = μ H B=\mu H B=μH



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