MOS管vd、vdsat和region的关系【详细作图步骤】 | 您所在的位置:网站首页 › 场效应管vgs是什么意思 › MOS管vd、vdsat和region的关系【详细作图步骤】 |
仿真得到的region含义 0 截止区 1 线性区(三极管区) 2 饱和区 3 亚阈值区 4 break down 1.Vgs为3.3,扫描VdMOS管的源端和漏端分别接Vg和Vd,可设置Vg为3.3V,Vd为变量,设置变量Vd值为3.3V,dc仿真并对design variable ——Vd进行扫描,扫描范围选择0-3.3V,扫描方式选择线性,【automatic方式不准确,尽量避免使用】,step size可选择0.01,这样仿真设置就完成了。 接下来设置仿真完成后的输出,ADE→output→to be saved→select OP Parameters,在电路图中选择需要观测的MOS管,然后ADE的右下角会出现Save Operating Points窗口,选择输出OP参数有两种方式, 1.在Operating Parameters下边的框中输入vds vdsat vgs vth vgt region【仿真结果证明vgt=vgs-vth,所以也可以只输入vgt而省略vgs和vth啦】,中间用空格隔开,都是小写字母,【发现了遇到过的cadence中隔开两个变量的都是空格,比如给线打label时也是用空格隔开】 2.也可以点Operating Parameters下边的框的三个点点···,点击get information,选择需要输出的参数即可。 输出OP参数选择完成之后,选上Plot,使其仿真完成后自动plot。 然后选择Outputs→to be plotted→select on design,选择Vd。这样输出也设置好了, 下面开始仿真吧! 仿真完成,得到关于直流工作点的图啦! tsmc.18工艺中,最小尺寸的NMOS,vd>vdsat时,region由1变为2。(Vgs=3.3V) 为了保证PVT下,管子处于饱和区,vd需要比vdsat大某个经验值。 vov=vgs-vth=vgt,从plot得到的图中可以看到在vds达到vgt之前,就已经进入了饱和区(region=2),这是由于短沟道器件中的速度饱和效应导致的。 贴张eetopregion判别MOS管工作区;以及vdsat、vds、vgs-vth之间的关系 - Analog/RF IC 设计讨论 - EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网) -上的图 除了扫描变量设置不同,vd=3.3V,对vg进行扫描,其他就和上述步骤一样~\(≧▽≦)/~ 然后发现对于tsmc.18,nmos3v_mac最小尺寸W=2u,L=350n的管子,随着Vg的增加,vgt也以同样斜率增加,NMOS依次进入截止区、亚阈值区、饱和区,当-261mV |
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