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13n50场效应管参数,13n50场效应管代换-KIA MOS管 信息来源:本站 日期:2024-02-19 分享到: 13n50场效应管参数,13n50场效应管代换-KIA MOS管13n50场效应管参数引脚图 KIA13N50H是一款N沟道增强型硅栅功率MOSFET,专为高压、高速功率开关应用而设计,如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
漏极至源极电压(VDSS):500V 栅源电压(VGSS):±30V 漏极电流 (连续)(lD):13A 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.4Ω 耗散功率(PD):195/48W 工作温度:±150℃
KIA13N50H场效应管参数13A 150V,RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v;具有低栅极电荷(典型的45nc)、快速切换的能力、雪崩能量、改进的dt/dt能力等特性,这款场效应管适用于电子镇流器、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动、500W逆变器后级电路/开关电源等产品。
KIA13N50H场效应管封装形式有TO-220、TO-220、TO-263可供选择使用,方便安装应用,13N50场效应管在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域有广泛的应用。
漏源电压:500V 漏极电流:13A 栅源电压:±30V 雪崩能量单脉冲:860MJ 最大功耗:195/48W 输入电容:1600PF 输出电容:200PF 开通延迟时间:25nS 关断延迟时间:130nS 上升时间:100ns 下降时间:100ns 13n50场效应管规格书
联系方式:邹先生 联系电话:0755-83888366-8022 手机:18123972950(微信同号) QQ:2880195519 联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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