边沿检测原理及其实现（双边、同步、异步）

码到成龚: 为什么当Vds = 0，且Vgs > 0时，栅极金属层将聚集正电荷？ 首先要看什么类型的场效应晶体管。 根据产生的结果“栅极聚集正电荷”，可以推断： 1，这种场效应晶体管是N沟道的。 衬底为p型半导体，其多子为空穴，为正电荷，在形成电容器时，通过栅极金属铝和衬底p型半导体，以中间绝缘层二氧化硅作为介质，加上同性相斥，将靠近栅极的衬底多子空穴向下排斥，在中间形成了一薄层的负离子（正电荷减少，负电荷含量增加，为负）耗尽层。 2，[Vgs>0]这种场效应晶体管是增强型的。 如果是耗尽型的，不用Vgs>0，也会有漏极电流。耗尽型和增强型结构上相同，只是在绝缘层二氧化硅里面参入了碱金属（例如钠Na，钾K）正离子，即使在Vgs0。因为Vgd=Vgs-Vds，且当Vgd=Vgs-Vds=Vgs(th)的时候靠近漏极沟道的部分开始出现预夹断，当Vds=0，即Vgs=Vgs(th)时，沟道全部被夹断，漏极电流为0（Id≈0）。