国家标准项目

国家标准计划《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 、之江实验室 、浙江大学 、芜湖启迪半导体有限公司 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-3:2020。

采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法。

碳化硅材料作为典型的宽禁带半导体材料，因其优越的物理特性非常适合在大功率、高温和高频环境下应用，属于典型的新材料。

《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》中二、主要行动-（二）4先进半导体材料明确提及建立碳化硅标准；《新材料产业发展指南》中三、发展方向（二）中明确提及宽禁带半导体材料；《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》中关键战略材料-三、第284项对应碳化硅外延片。

碳化硅外延材料作为连接单晶衬底和功率器件之间的技术桥梁，是整个产业链中的必不可少的一环。

SiC同质外延片中存在的缺陷直接影响SiC基功率器件的成品率和器件的可靠性，也是衡量碳化硅外延片质量的重要参数，精确测试和识别材料中的缺陷对于材料制备、使用有重要的意义，可以有力促使行业健康发展。

光致发光方法与光学检测方法可以针对碳化硅外延片中不同类型缺陷进行检测或者针对同类缺陷给出不同的表征方法，两类检测方法并行，在碳化硅外延片研究、产业化检测中都有使用。

本标准等同采用IEC 63068-3：2020 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence，制定SiC同质外延片中缺陷的光致发光检测方法标准，可以用于指导碳化硅外延材料生产、使用、研究中各种相关缺陷的检验、识别，与国际接轨，促进国内碳化硅外延片这一先进半导体材料的发展。

本标准主要内容是SiC同质外延片缺陷的光致发光检测标准，规定了光致发光检测的条件和方法。针对SiC同质外延片各种缺陷，给出了光致发光图示和解释。 主要内容包括测试条件、参数设置、测试步骤、评价、试验报告等，涉及的缺陷包括BPD、堆垛层错、延伸堆垛层错、复合堆垛层错、多型包裹体等。