数字集成电路版图设计（附录）

术语： Width：宽度，最小边长度 Space：一个形状外部到另一个形状外部的距离 Extension：外延，从外边缘到内边缘的距离 Enclosure：外壳 overlap：重叠 length：长度

先写一些常用的 DNW区:Deep N-Well design minnima 1、最小宽度 3um 2、两个DNW之间最小space 6um 3、DNW和NW外壳最小距离 2um 4、NW和DNW重叠最小距离 2um 5、NW和DNW之间最小space 4.1um AA区：Active Area design minima 1、AA宽度对于NMOS和PMOS来说最小是0.15um 2、AA用于相互连接最小宽度也是0.15um 3、两块AA间的最小距离0.21um 4、N+AA和NW外边沿之间距离最小0.23um 5、两块NW和N+AA的最小space0.3um 6、NW和其中的P+AA的enclosure最小0.3um 7、在PW里面的NW到P+AA的最小space 0.23um 8、AA的面积最小0.1um^2 9、DNW中的N+AA和NW到外沿最小距离0.4um NW：N-Well design minima 1、NW最小宽度0.6um 2、NW用于电阻最小宽度1.6um 3、两个1.2V NW之间距离（相同电势）0.6um 4、两个1.2V NW之间距离（不同电势）1um 6、1.2VNW和2.5/3.3VNW之间距离 1.2um 7a、2.5/3.3VNW之间距离（相同电势）0.6um 7b、2.5/3.3VNW之间距离（不同电势）1.2um 8、NW最小面积0.92um^2 GT：Poly design minima 1a、GT对于1.2V MOS的最小宽度 0.13um 1b、GT对于2.5V MOS的最小宽度 0.28um 1c、GT对于3.3V MOS的最小宽度 0.35/0.3um 2、用于连接的宽度0.13um 3、两个GT之间的宽度0.18um 4、场氧化物上AA与GT之间的space 0.07um 5、AA内GT与外沿最小距离 0.23um 6、GT内AA与外边沿最小距离 0.17um 7、GT的密度要达到15%（防止层无法用金属研磨均匀） 8、不允许在AA上弯曲GT。所有的GT模式在AA必须是 垂直于AA边。 9、NLL, NLH, SN, PLL,PLH, SP延伸在外的poly电阻 0.18um NLL, NLH, SN, PLL,PLH, SP的电阻外壳 10、NLL, NLH, SN和P型多晶硅电阻之间的space 0.18um PLL,PLH, SP到N型多晶硅电阻 11、GT由SN和/或SP封装 12、GT上不允许SN和SP重叠（确定单一掺杂，计算电阻） SN：N+S/D implantation design minima 1、SN最小宽度0.3um 2、两块SN之间的最小距离0.3um 3、SN和P+AA在NW之间的最小距离0.16um 4、SN和P+pick-up AA在PW之间的最小距离 0.03um 5、对于NMOS，SN在Poly硅外的距离0.4um 6、对于PMOS，SN在Poly硅外的距离0.4um 7、SN延伸到N+AA外，如果到相关的poly的距离大于0.25um 0.16um 8、SN延伸到N+AA外，如果到相关的poly的距离 小于0.25um 0.3um 9、N+AA在NW中距离SN外边沿距离 0.03um 10、SN和AA重叠 0.16um 11、SN最小面积0.23um SP：P+S/D implantation design minima 1、SP最小宽度0.3um 2、两块SP之间的最小距离0.3um 3、SP和N+AA在PW之间的最小距离0.16um 4、SP和N+AA在NW之间的最小距离 0.03um 5、SP和 N-channel Poly硅的最小距离0.4um 6、对于PMOS，SP在Poly硅外的距离0.4um 7、SP延伸到P+AA外，如果到相关的poly的距离大于0.25um 0.16um 8、SP延伸到P+AA外，如果到相关的poly的距离 小于0.25um 0.3um 9、P+AA在PW中距离SP外边沿距离 0.03um 10、SP和AA重叠 0.16um 11、SP最小面积0.23um 12、不允许SP和SN重叠 13、SN的反调不能产生SP CT：Contact design minima 1、固定触点尺寸(方形孔边) 0.16um 2、两个CT之间距离 0.18um 3、AA和在Poly硅上的Contact最小距离 0.12um 4a、poly硅和AA上的Contact对于1.2V和2.5V 0.11um 4b、poly硅和AA上的Contact对于3.3V 0.13um 5、在AA上的Contact和AA外沿距离 0.06um 6、在Poly上的Contact和Poly外沿距离 0.06um 7、CT和M1的外沿距离 0um 8、M1线末端延伸至CT外 0.05um 9、CT不被允许放到Gate上(滑稽表情） 10、CT放在自对准多晶硅表面 M1：Metal1 design minima 1、M1最小宽度 0.16um 2、两个M1之间的最小距离 0.17um 3a、如果两个M1之间有一个宽度大于0.4um的建议两者之间的距离为 0.2um 3b、如果两个M1之间有一个宽度大于2um的建议两者之间的距离为 0.4um 3c、如果两个M1之间有一个宽度大于10um的建议两者之间的距离为 0.5um 4、M1的最小面积 0.08um 5、由M1包围的电介质面积 0.17um 6、M1的金属面积最小16%，最大82% 7、金属线与宽度超过0.5um的45度金属线之间距离 0.2um 8、最大宽度14um