DDR5 超频个人经验谈，DDR5 CPU 端三大电压与 ODT 调试策略。

23/7/18 更新了一些调节 ODT 的具体细节

不接超频。有问题也不要私信，直接评论区留言，我有空时回复。

DDR5 自 21 年随着英特尔 12 代推出以来，已经走过了一年半个年头。这段时间海力士颗粒独占鳌头，在各种超频板上达成了频率的一个又一个高峰。虽然爱折腾的玩家们并不会追求极限高频，但折腾硬件的过程总是伴随着喜悦与成就。我以手上这颗 QS 版的英特尔第 12 代酷睿 i5 12500 和微星的超内存专用板 MSI MPG Z790I Edge 为例，向大家分享我折腾 DDR5 内存以来的经验，希望能给读者们超频自己的 DDR5 提供一些经验和参考。本文很多内容都是基于 12 代，但应该适用于 13 代和年底的 14 代。本人才疏学浅，多有错漏，希望各路大神批评指正！

超频 DDR5 的过程，本质上就是在和温度作斗争的过程。这个观念非常重要，也是我认为超频 DDR5 与超频 DDR4、DDR3 的一个显著区别。折腾 DDR5 就是要不断调试 5 个电压，分别是 CPU 上的 SA 电压、VDDQ 电压（又称 IVR）、VDD2 电压（又称 MCV），以及内存上的两个电压 DRAM VDD & VDDQ，偶尔还要用到 VPP。本文重点不在内存的两三个电压调节，这里仅一笔带过。调整这些电压时，要尤其注意温度的影响。

内存的时序与电压

内存颗粒的耐温是关系到超频后稳定性的一个重点。就目前本人手头上这对海力士 A die 普条而言，其第一时序可以随着电压而缩放，但缩放幅度过大得不偿失。例如，这对海力士内存条可以在 7600 频率 1.45V C34-46-46-58 的时序下随意过烧机测试，但若要将时序压到 C32-44-44-58，电压则需要 1.6V 以上。总体带宽仅提升了 1G，延迟下降了 1ns，除了数据好看几乎没有什么作用。考虑到海力士颗粒发热显著，而 DDR5 压时序收益不高且发热更重，推荐以较为宽松的时序配合较低的电压进行测试。通常来说，海力士 A die 足以在 1.5V 电压下跑稳 7800，该频率以下给予更高的电压没有什么意义。如果有风扇可以不搭配散热片。由于我的散热器是利民 PA120 SE，我的策略是将两把风扇放在 IO 挡板和双塔之间，这样风就从 IO 挡板向内存方向吹，这时候加一个导风罩即可给内存散热。

对于小绿条这样的 PMIC 非原生解锁的内存条，要非常注意在 BIOS 设置里设定好精确的内存电压。以瑞萨的 PMIC 为例，电压解锁过的 PMIC，内存电压以 0.015V 为步进，例如 1.47V，1.485V，1.5V，1.515V。而微星的 BIOS，内存电压以 0.01V 为步进，这就导致了一个问题：如果你输入 1.48V，这种电压是不能实现的。而 BIOS 又会根据你输入的内存电压对各种参数进行 training。你在 1.48V 下对内存调试终于稳定了，下次重启后内存可能在 1.47V，也可能在 1.485V，就会导致重启、断电、清空 BIOS 这种操作后出现内存重新不稳定的现象。因此在针对某个内存电压进行小参微调的时候，要确保目前的内存电压是 PMIC 支持的原生电压。

三大电压与内存电压的关系

几乎没有关系。我曾经认为内存的电压会影响到 IMC 的稳定性，但在跑稳 7600 后测试缩放内存电压并不影响稳定性，因此可以将 CPU VDDQ，VDD2，SA 与 DRAM VDD，VDDQ 割裂开设置。

VDDQ VDD2 的耐温

很多人表示 DDR5 调这三个电压非常头疼，不理解为什么低了不行高了也不行，跑 TM5 动不动就报错，非常难以捉摸。其实原因非常简单，就是内存控制器不耐温。这个问题是 DDR5 超频的真正壁垒。12 代的 IMC 不耐温现象非常严重，我的这颗 12500QS 在接近 IMC 体质极限时超过 65 度就会报错。当然系统里并没有 IMC 温度的监测点，可以通过压力测试时观察核心温度来作大概的估计。IMC 只是 CPU 里的很小一部分，热量并不能很容易散出。VDDQ 与 VDD2 电压给的越高，在高吞吐量的环境中越容易发热而报错。13 代的 IMC 耐温有改善，但是在部分体质不佳的 CPU 上对温度依然敏感。更要命的是 12，13 代非 K CPU 都锁了 SA 电压没法大幅度超内存，而能超内存的 K 系都是大规模核心，发热量巨大，一旦进一步超频，IMC 压力会非常高，这是需要非常注意的一点。因此，如果需要大幅度超频内存，一定要上够 CPU 散热。

VDDQ & VDD2 电压

VDDQ 与 VDD2 是整个 DDR5 超频中最复杂的一环，坊间对其的调整策略千奇百怪。有人说要固定差值（包括曾经的我，笑～），有人说 VDDQ 应该大于，等于或者小于 VDD2，其实都不准确。这两者之间的关系依赖于 CPU 自身以及主板还有内存频率。例如，我这颗 12500，稳住 7600 的冷 IMC（这个「冷」 IMC 后面会专门讲）所需电压为 VDDQ 1.32V VDD2 1.40V，少一点都不行；而稳住 7800 的冷 IMC 电压为 VDDQ 1.36V VDD2 1.48V。由此可见这两者随着频率的缩放，稳定电压的缩放是不相同的。并且在不同的内存条上、不同的主板上甚至不同的 BIOS 上也会有差异！根据我的实践，当两个电压都在稳定值以上时，它们的差值不会影响稳定性；而如果两者只要有一个不在稳定值以上，两者差距过大或过小都会引起系统极端不稳定。例如，这颗 12500 的 IMC 要稳住 7800 的 VDDQ 和 VDD2 分别为 1.36V 和 1.48V。若将两者都设定为 1.4V（VDD2 不稳定），进系统或许可以跑 AIDA64；而如果将 VDD2 上调到 1.44V，可能进系统就蓝屏；但如果将 VDD2 上调到 1.5V 以上，都可以保证 IMC 冷稳定。知道这个特性非常重要，因为找到这个最低电压是冲击高频的关键。

SA 电压

如果将 VDDQ VDD2 比作内存超频的身体，那 SA 就是它的灵魂。很多人都说 SA 对稳定高频有帮助，却说不出个帮助法。很多人发现 SA 给高了报错更多，却不知道为什么。说白了，SA 的作用只有两个：一是协助你 IMC 的频率运行；二是在 IMC 温度上升不再稳定的时候施加电压。

以我这颗 12500 为例，你认为让它内存 7600 开机所需的 SA 电压为多少？其实只要 1.15V。低于 1.10V 开机就会花屏。可见 SA 在让 IMC 跑上 1900MHz 上发挥了不可替代的作用。但如果以 1.15V 电压去跑 TM5 1usmus v3 DDR5 配置，跑个两分钟就要开始哗啦啦报错。这就是由于过高的 VDDQ VDD2 电压使得 IMC 快速变热而抓不住内存信号。这时候就需要「顶头上司」SA 给予更高的压力来协助稳定运行。但 SA 毕竟也是电路元件，SA 电压过高，自身发热反而会加剧 IMC 更热。我这颗 12500QS，在 7600 频率下，VDDQ 1.32V，VDD2 1.4V，SA 需要给到精准的 1.29V 才能过 y-cruncher 的第 18 项 VST 的 10 轮测试。少了，SA 压不住过热失控的 IMC；多了，SA 自身的发热会反噬 IMC。这时候其实也已经说明在这种散热条件下 IMC 体质已经到达了极限。到了夏天，可能就是什么 SA 电压都不过的程度而必须降频 7400。

冷稳定与热稳定

所谓冷稳定，就是 IMC 可以经受住长期轻量吞吐以及短时高吞吐。短时高吞吐时，IMC 温度提升幅度不大，尚且在 IMC 能耐受的范围，可以保持稳定。当然内存时序和电压设置正确也是冷稳定的重要基础。一个验证 IMC 是否冷稳定的方法就是跑 TM5 高负载，例如 1usmus v3 DDR5。当 VDDQ VDD2 以及内存电压设置不够时，TM5 会秒出错（大量报错 14）。如果电压设置正确，TM5 至少可以坚持开头 20 秒。若 SA 设置正确则可以一直正常跑下去，若 SA 设置过高，过低，以及 VDDQ VDD2 过高导致过热，都会在跑一段时间后哗啦啦报错，而且报错号码千奇百怪。这也是为什么我认为 TM5 在 DDR5 时代作用有限。一是报错代码没有参考意义；二是压力并不够，不能逼出 IMC 的温度极限。但它最大的用处还是在于测试 IMC 能不能冷稳定。

热稳定就是在长期高负载下，IMC 与 SA 的电压关系能不能协调好。正如前文所说，SA 能稳住逐渐受热失控的 IMC，但自身发热也会导致两人有几率一起翻车。测试热稳定够不够，我认为最好的还是 y-cruncher 的 1-8-18-0 VST 测试。这个测试对 CPU 压力极高，我一颗 12500 默频都能逼出 100W+ 的功耗，且 IMC 升温也非常快，SA 电压设置不准确会在一两分钟内报错，效率很高。能稳住其 20 轮压力测试，可以真正认为稳定了。很多人喜欢跑 N64，那个压力真的不够，并不能作为金标准。这颗 12500 跑 7600 频率，只有室温较低时可以稳跑 20 轮 VST，室温上升就有几率在第 9 轮报错。

总结一下，跑稳住 DDR5 就是尽可能使 IMC 贴着电压下限降低发热，并以恰当的 SA 提升高温下的稳定性。基于这种思想，我给出我认为的恰当超频策略：

第一步，使用主板的智能超频选项（微星的 MTI 或华硕的 AEMP），先跑稳一个较低值。12 代可以从 7000 开始，13 代可以从 7800 开始。内存的时序和电压可以给的比较宽，例如统一从 1.55V C40 开始。内存参数可以在跑稳高频后再慢慢调整。进系统后立即跑 TM5 高压力测试，只要能撑住 20秒，就说明 IMC 冷稳定。SA 电压给 1.2V，确保能点亮屏幕就行。

第二步，进入 BIOS，以 0.02V 的步进逐渐缩减 VDDQ VDD2 电压，直到 TM5 不能冷稳定而瞬间报错。假设某颗 13600K 跑 7800 时 VDDQ VDD2 分别给 1.26V 和 1.24V 时可以冷稳定，而双 1.24V 时跑 TM5 秒错，分别给 1.26V 和 1.22V 也是秒错，则 1.26V 1.24V 就是这颗 CPU 跑 7800 时的最低稳定电压。注意，在微星的板子下，每次电脑冷启动都会出现最低稳定电压的波动，幅度可达到 0.04V。华硕有没有这个问题我不知道。表现为这次能稳跑 IMC 的最低稳定电压在下次重启时会重新报错，需要再次加压才能重新稳定。摸最低稳定电压推荐让主板完全断电再自检三四回后取最高值，防止某次自检后电压又不够。

第三步，以现有的最低稳定电压为基准，以 200MT 的步进向上抬高内存频率。7800 的最低稳定电压还是能支撑 8000 开机的，但是跑 TM5 一定会秒错。这时候再给 VDDQ VDD2 加压，直到重新可以暂时跑稳 TM5 前 20 秒，这样就获得了 8000 下的最低稳定电压。

接下来就要看是否达到了你的目标频率。如果你还想继续向上冲击更高频率，则在当前的最低稳定电压下继续拉高内存频率并加压 IMC，一步一个台阶，直到达成你的目标频率并摸准最低稳定电压，接着进行下一步热稳定性测试。

第四步，用 y-cruncher 单烤 VST 并调整 SA 电压。一旦 VDDQ VDD2 能冷稳定，接下来就不管它们的事了，给它们增加电压徒增发热有害无益。调整 SA 电压的根本目的是要在提高 IMC 的耐温与 SA 自身过热之间找到一个平衡区间。单烤 VST 灵敏度很高，SA 电压过高或过低连第一圈都稳不住。如果调整到某个 SA 可以让其跑稳 3,4 圈，说明你离平衡区间的 SA 很接近了；如果随便给一个 SA 就能跑稳，就尽量降低 SA 以降低发热；如果怎么调整 SA 都无法让其热稳定，说明平衡区间不存在了，体质已经到极限，必须要降一到两档内存频率以及 IMC 电压，当然也可以尝试更换更好的散热器。CPU VDDQ VDD2 越高，散热能力越差，SA 的平衡区间越小。跑稳 VST 20 圈，就可以放心使用这个内存频率了。

第五步，调整内存参数。DDR5 的内存参数很多人说了，此处不赘述。但值得一提的是，压低小参似乎不会影响 IMC 稳定性。例如，我将 7600 C34-44-44-58 的小参放宽到 C34-46-46-58，并不能使得最低稳定电压下降。因此，当 IMC 的相关电压稳定后，可以比较放心地压小参而不会影响已经调整过的 IMC 电压参数。但为了安全起见，在调整参数后依然要进行压力测试。

如果你觉得你的主板 BIOS 优化的不错，就可以用上面的方案。

如果你的主板优化不是很好，则需要手动设置 ODT 来冲击高频：

极限超频与 ODT

一般来说，12/13 代 CPU，Gear 1 模式下能稳多少，那在 DDR5 下，只要主板和内存不构成瓶颈，DDR5 就能超稳到其双倍频率。（这话不准确，因为频率越高耐温越差）不过频率越高，内存控制器对内存信号的要求也就越高。ODT（On-Die Termination），中文名片上终端，是让内存信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射，进而增强信号完整性。DDR5 高频下的 IMC 对 ODT 有着严苛的要求，主板自检会对 ODT 进行 training，但由于 DDR5 尚属于早期，主板 BIOS 每次 training 完都有可能使得 ODT 产生变动，从而使得内存不稳。而当前的主板 BIOS 还很难每次都 training 出准确的 ODT，这是当前 DDR5 重启后不稳定的最重要原因。ODT 受内存颗粒、内存控制器、以及 VDDQ 与 VDD2 电压的差值影响。如果找到了合适的 ODT，则可以大幅降低 CPU VDDQ、VDD2 和 SA，而且无论重启、断电、插拔内存，都是稳定的。笔者的 12500 在 7800 频率下，VDDQ、VDD2 和 SA 仅需要 1.3V、1.3V、1.22V 即可稳定过测 TM5 和 VST（8000 下有根内存自身不稳，体质好的一根可以在 8000 下单通道以 1.3 V、1.3V、1.24V 过测）。可以说，就当前而言，要充分发挥 DDR5 平台潜力，ODT 不得不会调，除非你只开 XMP。

在同一个内存与电压参数下，同一种品牌的内存在不同体质的内存控制器上有不同的 ODT，同一个内存控制器接上不同品牌内存条也有不同的 ODT。注意这里说的是内存品牌。这个概念比较宽泛，一般来说我们都会用套条（比如某些牌子的马甲条）或者同一种颗粒的普条，如海力士小绿条。ODT 和内存的体质没有关系。也就是说即使两根内存的体质不同，只要他们在各自的通道上在特定的 ODT 下跑稳同一个频率，交换内存所在的通道是不影响稳定性的。当调试 ODT 时，务必使用单根内存单通道尝试，稳一根换一根，都稳定了再都插上。

DDR5 的 ODT 有 3 类 5 组，分别是 WR、(NOM RD、NOM WR)、(PARK、PARK DQS)。括号里的数值为同一类，一般可以设为相同数值。这 5 组 ODT 在不同主板上的排列方式不同，一般都在内存时序设置的二级菜单里，可能隐藏的比较深。ODT 的数值一般不能随便设置，主板会预设几个档位，不同主板的档位也不同。微星的有：Auto、0、34、40、48、60、80、120、240。本文按微星的顺序为准。例如，对于这 5 组 ODT，当前我设置为：A 通：40/40/40/80/80； B 通：40/240/240/80/80。

以我的 12500 为例，我发现当内存频率上到 7800 就很难稳定，这次调试能稳定的内存参数，下次重启后就不稳了，那就从 7800 开始，使得 VDDQ = VDD2，找到 7800 频率下能开机的最低电压，比如 CPU VDDQ VDD2 1.25V。那我就尽可能使其在 1.3V 下稳定。前文提到，ODT 与 CPU 内存相关电压有关，最低开机电压说明在这个电压下主板能勉强找到一组 ODT 使其开机。那么适当提高一些电压就有更高的机率找到一组 ODT 使其稳定。然后估算一下大概要多少 SA 电压，可以参照别人的，比如我给 1.2V，你可以给的稍微高一些，比如 1.25V 以排除 SA 电压不够的问题。作为参照，我这个 7800 SA 1.22V，8000 1.28V，SA 电压符合前文所讲的规律，VDDQ VDD2 越高，SA 就要越高以抑制 IMC 发热。

调试 ODT 时，一定要严格控制变量，确定好内存频率、CPU 相关电压、内存顺序后就不要更改，直到无论怎么调 ODT 都不能稳定时再修改。ODT 从 40/40/40/40/40 开始，优先从 NOM RD、NOM WR 开始增加，如果增加了反而更容易报错，那就减少，减少了更容易报错，就调试 PARK 类和 WR。基本步骤是：先固定 VDDQ = VDD2 = 1.3V，SA = 1.25V，只插通道 A，进系统跑 TM5，一般会有大量出错，回 BIOS 修改 ODT，直到稳定。比如我这个 A 通从 40/40/40/40/40 开始，TM5 零星报错 —> 改为 40/80/80/40/40，报错更多 —> 改为 40/34/34/40/40，零星报错，但比原本的更多 —> 改为 40/40/40/80/80，稳定。这样就确定了 A 通和这根内存配合最默契的 ODT。接着拔下 A 通内存再插上 B 通内存调试 B 通，VDDQ、VDD2 不用改，SA 电压可能要根据 A/B 通的体质差异稍微上升（但不要下降）。继续上面的步骤，直到也稳定。当 A/B 通都找到了稳定的 ODT，这时候插上双通跑 TM5，如果有报错就是 SA 电压不正确，一般是过低，因为双通道发热需要更高的 SA 电压来压制（见上文）。跑稳这个频率后，若你的内存和 IMC 尚有余力，便可以在维持这个 ODT 的基础上冲击高频。你甚至可以不动 VDDQ VDD2 电压，除非你要拉很高的频率。例如，你在 7600 频率下找到了 VDDQ = VDD2 = 1.3V 下的 ODT，那这个 1.3V 够你上到 8200！最先吃不消的其实是你的内存。前文提到 VDDQ VDD2 不是越高越好，不到最后不要增加它们的电压，以增加 SA 为主。

DDR5 ODT 非常重要，不关乎冲击 IMC 极限，就解决重启后就不稳这一痛点上，就值得所有 DDR5 用户重视。

说几个超频 DDR5 后很多人疑惑的点：（会根据评论情况不定期更新）

1、为什么这次开机调试能过，下次重启后就不过了？

两种原因：一是主板 ODT 优化的不好，需要根据上文手动固定 ODT；二是环境温度变化，比如春季或秋季这样昼夜温差大，以及温度变化快的时节，温差能有十几度。低温下能过测，温度一上来，高频下 IMC 不再耐温（见问题二）。

解决夏天气温升高后 IMC 不耐温且 SA 调节无效的问题，主要有三种思路：一是给 CPU 降频降压。12/13 代 IMC 直接与大核心接壤。大核心发热升高时会非常影响 IMC 稳定性。二是降低 VDDQ。VDDQ 的高低直接决定 IMC 自身发热量。ODT 调整恰当时，VDDQ 能够得到大幅降低。以我为例，调试 ODT 时 VDDQ 为 1.3V，稳定 ODT 后，VDDQ 可以下降到 1.16V 依然稳定过测。三是拉高 tRRD。一般压小参会压到最低的 8，但是这会极大增加 IMC 压力，适当增高能一定程度上提高 IMC 耐温性，但最好不要超过 16。实际操作中三种方法同时考虑，并用 TM5 长测和 YC 长测来验证高温下的稳定性。

2、为什么我 TM5 能过，YC 不能过；或者我 YC 能过，TM5 不能过？

有必要知道，YC 更多的是对 CPU 的压力，而不是 IMC 和内存的压力；而 TM5 更多的是对 IMC 和内存的压力，而不是对 CPU 的压力。分别运行时，三个部件的温度如表格所示：

                                CPU             IMC            内存

YC 算 pi(0/1/8)       热        略低于 CPU         冷

YC VST 20 圈          热        约等于 CPU         冷

TM5 20 圈               冷                 热                热

由于 12/13 代英特尔 CPU 都是单 die 设计，CPU 逐渐发热会逐渐扩散给 IMC。因此即使 YC 算 pi 不要多久，也会让 IMC 适当升温。而 VST 跑很久一定会让 IMC 也接近 CPU 自身温度。

根据这个表，如果 TM5 能过而 VST 不能过，那显然是 CPU 温度太高。解决的方法是要么给 CPU 降频降压，要么适当拉高 SA 提高耐温，但也不是能一直拉的，原因上文已写不再赘述，说不定你还得给 SA 降降。如果 VST 算 pi 能过而 TM5 不能过，则很可能是 IMC 不耐温，短期升温撑得住，长期就不行了，解决方法如上文所示。如果 VST 20 圈能过而 TM5 不能过，这就很少见了，这里暂时只能认为是内存不耐温，降低 tREFI 或者上更好的内存散热。

另外多嘴一句：测稳定性跑 N64 都是自欺欺人。

3、调节好 ODT  后，为什么单通道能过，双通道插上后就不能过？

双通道下，不仅烤机时 IMC 发热量更高，CPU 发热量也会更高，本质还是不耐温问题，具体解决方法见问题一和二。

2023/07/18 更新

最近试了试 13 代的 ODT，也收到了不少反馈，因此有不少新的结论和注意事项，在这里补充。

1、ODT 应该填在哪里。四槽板，四个插槽从 CPU 由内向外分别是 A0 A1 B0 B1，经常插 2 4 槽的就对应 A1 B1，空着的两个就是 A0 B0。双槽板，两个插槽从 CPU 由内向外分别是 A0 B0。

注意，这并不意味着四槽板的 A0 B0，以及双槽板的 A1 B1 就可以不填 ODT 或者 Auto！哪怕你是双槽，那虚空的 1 插槽 ODT 值也是会对稳定性有影响的，四槽板更是如此。

2、ODT 填写的思路。上文所说四槽板的 1 槽和双槽板的 0 槽，是对稳定性最为影响的，我这里叫做主槽。而四槽板的 0 槽和双槽板的 1 槽，对稳定性影响较小（但不是没有！），我这里叫副槽。实际探索过程中，可以先 Auto 副槽，摸索一个报错最少的主槽 ODT，然后固定这个主槽 ODT，再去摸索副槽的最稳定以至于不报错的副槽 ODT。这就像显微镜的粗准焦螺旋和细准焦螺旋，先调粗能大概看清轮廓，再调细取得最佳影像。

3、ODT 的值要怎么给。这是很复杂的地方，我摸过的 CPU 太少，没法给出经验性的判断。但个人感觉，NOM 的两项给 0 可能就是最好的，对 VDDQ 的要求也最低。NOM、PARK 组内的两个是否一定要相同也是个谜，我见到有人冲击高频，会选择不同的值，比如 PARK 的两个一个 80 一个 120。我个人倾向于给相同的值，至少我没有感觉取不同值会增强稳定性。两个通道的主槽或副槽最好给一样的 ODT，而主槽与副槽之间根据 CPU 的不同，可能会有差异。

例如，12500QS，7800 C34，VDDQ 1.16V

主槽均为 40/0/0/80/80 副槽均为 40/0/0/80/80

这颗 U 下主槽副槽 ODT 都相同；

Q0L7，8000 C34，VDDQ 1.3V

主槽均为 48/0/0/80/80 副槽均为 0/0/0/0/0（可以看我动态）

这颗 U 下主槽副槽 ODT 不同。

这俩要不要相同，看 CPU 特性。因此当你摸索完主槽 ODT 感觉已经离稳定不远的时候，可以先直接套用到副槽，看看能不能直接稳定，再决定怎么调节副槽。

4、ODT 与电压的调节步骤

固定一个调另一个，对两者都要有耐心。比如固定了电压，就尽可能只调 ODT；固定了 ODT，就尽可能只调电压。不要填完 ODT 感觉不稳就立即去调电压，给其中一方充足的探索时间，直到实在是调不稳了，再去调另一方。