读 WE高 地址线先有效,以便进行地址译码,选中存储单元 片选信号CS和读出使能信号OE也必须有效(高电平变低电平) 从地址有效开始经Taq(读出)时间,数据总线上出校有效的读出数据 此后cs、OE信号恢复高电平,Trc以后才允许地址总线发生改变。tRC也叫读周期时间 写 WE有效,低电平 地址线有效,接着片选信号CS有效,写命令WE有效(低电平),此时数据总线I/O上必须写入数据,tWD时间段内将数据写入存储器 之后撤销写命令WE和CS I/O的写入数据要有维持时间thD,为了写入可靠 CS的维持时间也比读周期长 tWC叫做写周期时间 一般取tRC=tWC,即存取周期
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