PERC电池LID/LeTID原理与控制 本文综述了晶硅光伏组件的LID（光衰）现象，介绍了硼

来源：雪球App，作者： 摩尔光伏，（https://xueqiu.com/8809103740/135192254）

本文综述了晶硅光伏组件的LID（光衰）现象，介绍了硼-氧LID的原理与解决方案，引出了LeTID的发现并初步介绍了其影响因素。后面进一步讨论LeTID的原理与控制。

一.光衰的复杂性

晶体硅光伏电池产品一般为光伏组件。光伏组件需要在户外环境使用，产品的户外可靠性是产品的重要性能指标。光衰是广泛讨论及验证产品可靠性的指标之一。

数学意义上的晶体硅光伏产品光衰定义为：

光衰比例的计算，需要测试光衰前后组件产品的功率，通过公式（1）计算得到。功率测试，受到环境温度，光源光谱精度等影响。一般的测试校准，都使用认证机构的标样生成二级标片进行测试。以TUV莱茵对组件产品的功率标定为例，A级模拟器下最大功率的测试的重复性为±0.1%，再现性为±0.5%[1]。生产型企业，如果没有进行光谱校正，其由光谱失配所造成的测试不确定度会增加至±2.0%。

精确的晶体硅光伏产品的测试，是比较光衰比例的前提。

晶体硅光伏组件光衰的原因相当复杂。

     狭义的光衰通常是指硼氧复合体光衰（BO-LID），常被认为是晶体硅电池初始光衰的主要因素，一般发生在p型掺硼硅片制作的电池产品中。在IEC 61215标准中，通常测试5kWh的累计辐照度前后组件功率的衰减比例，作为初始光衰。

       广义的光衰是指在户外使用中长期的衰减过程。户外环境因素复杂，包括光照，温度，湿度，水汽，大气环境，机械压力，系统电压等因素。组件产品在户外使用过程中的衰减，都有可能受到上述因素的影响。

而光照引起的晶体硅电池光衰，一般主要有三类，一是硼氧复合体光衰BO-LID，二是高温引起的辅助衰减LeTID，三是紫外光引起的表面钝化衰减UVID。本文将主要讨论前两类。

2015年，Friederike Kersten在Solar Energy Material&Solar Cells发表文章 [2]，在多晶PERC组件中发现了一种新的衰减机制，称作为高温辅助衰减，LeTID（Light and elevated Temperature InducedDegradation）。未经处理的多晶PERC组件（LeTIDsensitive PERC module）在户外使用中，背面使用发泡聚苯乙烯（Styrofoam）覆盖以增加组件的工作温度。在五周左右（图1，CW,30），多晶PERC组件达到最大的LeTID。这是一种在相对高的温度时引起的辅助衰减。部分多晶PERC的组件在这种测试条件下，光衰最大值接近10%。由于组件背面使用了保温材料，这样多晶PERC组件的衰减-恢复过程在十几周时间内就可以被观察到。

虽然近三年来学术界，包括UNSW，Konstanz，ISFH，ISE，ANU等知名机构进行了广泛而深入的研究，但至今为止LeTID的机制仍然众说纷纭。由于LeTID的担忧，这引起了PERC电池结构在多晶硅材料的商业化应用的速度较慢，仅有少数厂商将多晶PERC作为主打产品。

图1 单个多晶PERC组件在户外较高温度下开路工作，背面使用发泡聚苯乙烯（Styrofoam）覆盖以增加组件的工作温度，按照日历周(CW，calendar week)测试的组件功率衰减 [2]

根据以上信息，对光衰值的理解，需要小心处理，包括：

光衰的比较，需要在良好的测试精度和重复性基础上比较；

在温度较低时，硼氧复合体的光衰是掺硼p型PERC电池的主要初始光衰机制；

当温度升高，例如75℃时，温度升高引起新的光衰机制，且时间长，而这种光衰的物理机理尚未明确；

暂时无法确定的事项还包括：

光衰的测试，使用怎样的条件，可以合理反应产品在户外的使用？

LID和LeTID是否可以有效区分？

进一步的，硅材料，电池结构和工艺，组件结构及辅材，测试精度，户外环境，都有可能影响晶体硅电池的光衰结果。使光衰的根本原因解释极其复杂。

二.BO-LID

2.1 BO-LID现象

硼氧复合体引起的光衰（BO-LID）机理和解决方案在2000年前就得到了广泛的研究。早在1997年，ISFH的Jan Schmid教授就发现了使用Ga作为掺杂剂可以解决BO-LID[3]。在1999年，Tokyo University of Agriculture and Technology的T. Saitoh教授广泛研究了掺Ga，掺硼的p型CZ，MCZ和FZ硅片的光衰行为[4]。

图2 （左） 掺杂剂硼和氧对BO-LID的影响[3]（中，右）低氧含量的MCZ和不同氧浓度CZ对BO-LID的影响 [4]

单多晶BO-LID的区别

p型单晶电池如果使用掺硼硅片制作，BO-LID被认为是单晶电池初始光衰的最主要原因。

单晶硅片使用石英坩埚制作，单晶拉晶一般需要使用全熔工艺，坩埚内部的涂层不能很好的阻挡来自于石英坩埚的氧元素，在拉晶并冷却的过程中氧留在硅片中，使单晶硅片中的氧浓度一般有10ppma以上。

多晶硅片使用半熔的工艺，铸锭多晶有效的涂层技术，更大的挥发面积以及较小的坩埚接触面积有效减少氧的扩散。因此，一般情况下，多晶硅片的氧含量只有靠近坩埚的部分有接近10ppma的氧，硅片内部的氧含量一般是单晶硅片的十分之一左右，约1ppma。

单多晶p型硅片的电阻率接近，即掺硼量接近。在BO-LID上，单晶长期占劣势。在单晶PERC电池量产之前，普遍的认识是单晶产品光衰比多晶大。晶体硅组件的首年质保，常规单晶组件的首年光衰质保一般为3%，而多晶为2.5%，差异就来自于单多晶BO-LID的初始光衰不同。

2.2 BO-LID的解决方案

在晶体硅电池进入PERC时代之后，BO-LID的影响程度进一步显现。PERC电池使用背钝化技术，增加了长波段入射光子的有效吸收，将电池效率在铝背场电池结构上提升约1%。然而电池背面产生的光生少数载流子（电子）需要经历较远的路径才可以被正面的pn结有效分离并被电极收集。因此，虽然背钝化使PERC的效率大幅提升，却由于硅片本身的BO-LID，使电池的初始光衰增大到了5%以上。

多种技术方案均被尝试应用到BO-LID的降低上。显然，降低硼含量会降低PERC电池的效率，而降低氧含量的技术会使硅片成本增加。使用掺Ga代替掺硼，由于Ga在硅中的分凝系数远大于硼，也会增加硅片成本。

好在学术界以及工业界对于BO-LID的进一步的研究寻找到了BO-LID的工业化解决方案。

2006年，Konstanz University的Alex Herguth发现在较高温度（如图4）的光照或者使用正向电流，可以使BO-LID经历衰减-再生的过程，且后续持续的光照或者电注入不会使电池的开路电压下降。这是首次关于LIR现象的报道[5]。由于这一项工作，Alex Herguth获得了SolarWorld 2006年的Junior Einstein Award.

图4 在光照或者正向电压的情况下，BO-LID发生先衰减再恢复的现象[5]

近几年来，PERC电池技术的设备和产业化逐渐成熟，学术界对于BO-LID光衰解决方案也逐渐实现了工业化。使用更高的光强，较高的温度可以缩短LIR工艺的时间。

BO-LID的工业化解决方案包括光注入和电注入两种方法。其中，光注入可以使用卤素灯，LED，激光等光源。2017年，隆基联合澳大利亚新南威尔士大学、武汉帝尔激光公开联合研发的LIR技术，解决了单晶PERC组件的初始光衰问题[6]。

根据硅材料中的硼氧复合体浓度的不同，以及不同设备能够达到的注入水平不同。激光能够达到单位面积更高的光强，能将LIR过程控制在5秒以内。而LED，卤素灯等，光强相对较弱，约需要30~60秒。使用电注入，由于注入强度和温度低于前面的手段，约需要十多分钟的时间。无论如何，LIR工艺，由于其短时间低成本的工艺特性，在工业界得以应用，充分解决BO-LID初始光衰的问题。

单晶硅片价格的下降，电池制造设备的国产化，以及BO-LID的工业化解决方案的实施，共同使晶体硅光伏产品进入了PERC时代。

更多的关于BO-LID现象和解决方案的机理总结，由Herguth和新南威尔士大学的Brett共同发表[7]。

三.LeTID

3.1 LeTID现象

LeTID现象具有普遍性，不仅存在于多晶中。

2017年，Fabian Fertig在SiliconPV发表文章[8]，在单晶PERC电池中同样发现有LeTID，如图5。图5中，CZ单晶在电注入模式下，CIDOC（Current induced degrade，open circuit），25℃测试，电池光衰在1~2%之间。在最大功率点电注入CID MPP模式，在75℃测试，在单晶中发现了Medium LeTID(中等程度的LeTID)。而在多晶中，有可能发生高度LeTID和中等的LeTID。

图5 单晶和多晶PERC电池均发现了LeTID现象[8]

同样的现象，在FZ[9]，铸造单晶[10]，甚至n型中也有报道[11]，这使LeTID的真正原因变得非常复杂。

图6 （左图）p型区溶硅中的LeTID现象[9]；（右图）900℃热处理的掺硼FZ的LeTID前，LeTID后，LeTID恢复后的PL图[9]

LeTID在区溶硅中存在[9]。

图6（左图）中，1Ωcm的FZ硅片，氧含量很低，使用Al2O3/SiNx叠层钝化，且热处理温度很高（900℃）时，会产生LeTID现象（卤素灯曝晒，75℃）。随着热处理温度的增加，LeTID现象更加明显。在FZ硅片中缺陷，杂质很少，而LeTID在掺硼区溶硅中的发现可以证明其普遍性。图6（右图）中，可以看到圆形区溶硅片的边缘，并没有很明显的LeTID现象，是因为实验时Al2O3/SiNx 的叠层膜没有覆盖在硅片边缘。而LeTID现象，使FZ硅片体寿命在3小时内就严重下降。虽然文章作者未对此详尽的解释，但从FZ的LeTID现象中可以得到如下的推测：LeTID现象均匀分布在表面有Al2O3/SiNx钝化的硅片中；一种可能的原因是热处理温度升高，使SiNx中的氢更多的扩散进入硅片，被硅片中的缺陷俘获，即LeTID很可能与来自于SiNx的氢[10]；低氢含量的无SiNx覆盖硅片边缘，LeTID不明显；有氢的即SiNx覆盖的区域，LeTID明显；局部的LeTID还与FZ硅片生长过程中的硅片缺陷有关，形成环状。由于FZ硅片中金属、氧含量很低，因此这两个因素，不是LeTID在FZ的发现主要原因。

LeTID在铸造单晶中也存在[10]。

图7 SiNx钝化的各种硅片，FZ，CZ，mc-Si以及铸造单晶在2sun 80℃(a)和145℃（b）的LeTID现象

图7中，SiNx钝化的各种硅片，在快速热处理并且冷却后，FZ，CZ，mc-Si以及铸造单晶的少子寿命，在2sun 80℃下曝晒后，各种硅片的少子寿命均产生了衰减，包括n型。其中p型CZ样品衰减-恢复的周期最短，大约100分钟，铸造单晶衰减-恢复的周期约为500分钟，多晶衰减-恢复的周期在3000分钟以上。N型CZ和多晶，以及p型FZ的少子寿命下降现象，因为其少子寿命在5000min后才具有一定的程度下降，其长期性无法观测，使其具有不确定性。将温度升高到145℃，这种长期下降的现象，在n型的多晶中也明显观测到了。不同硅片中观测到的LeTID现象的所需要的温度，时间不同。一个一般规律是，缺陷更多的多晶需要更长的衰减和恢复周期，衰减幅度也很可能更大。

不同硅材料中硅片中的衰减，UNSW将LeTID的原因更多的归结于来自于氢，将其称为Hydrogen induced degrade，HID[12]。

3.2 LeTID的影响因素讨论

由于LeTID现象的普遍性，且其根本原因尚未有明确的物理机理。

总的来说，LeTID与下述因素有关：

LeTID普遍存在于各种硅材料中，包括p型，n型，单晶，多晶。

LeTID引起硅片体寿命衰减。

长时间的高温光照，LeTID可以恢复。

不同硅片种类，LeTID程度与恢复所需要的时间周期不同；p型中，一般多晶的LeTID比单晶更难恢复。

LeTID的一种重要因素上来自于钝化介质层中的氢，氢来自于钝化用介质膜。介质膜的制备使用的原料中通常有氢源，氢是电池工艺过程引入的。UNSW将LeTID现象更加明确地解释为HID。

更多的关于LeTID的讨论，将在下一篇文章中介绍。

上文详细介绍了晶硅光伏组件的LID（光衰）现象原理和解决方案，本文将主要针对LeTID（热辅助光致衰减，实为氢致衰减）的原理及控制方法进行综述。

一.LeTID的机理研究

LeTID现象具有普遍性。其普遍性体现在不同的硅材料和电池结构都有可能发生LeTID，对于产品的影响程度不尽相同，这又突出了LeTID的复杂性。LeTID被发现后，光伏界知名的学术机构都对此问题进行研究，尝试给出其真正的原因。

1.1 LeTID的实验研究

多种实验方法被用来研究LeTID的根本原因。

使用”Google Scolar”将限定词限制为“LeTID in crystalline silicon solar cells，自2015年以来”共找到词条817条。本文仅介绍典型的实验结果。

温度、硅材料和电池结构的影响

温度升高引起多晶硅电池光衰增大的现象最早由KlausRamspeck发现于2012年 [1]。如图1（1），Klaus测试了常规BSF和PERC两种电池结构在75℃，400W/m2光衰条件下效率衰减趋势，电池使用单晶或多晶硅制作。在20小时测试后，单晶PERC电池衰减最大，达到3%，主要由于BO-LID引起，其次是多晶PERC，准单晶PERC和单多晶常规BSF电池。在300小时测试后，多晶PERC光衰大于5%，多晶BSF约3%，铸造单晶约2%，最终单晶PERC衰减在1.5%左右，单晶BSF在1%以下。因为单晶因BO-LID硼氧复合体损失的效率在75℃以上会缓慢再生，效率逐渐恢复。

这五种硅片制作的电池，并没有经过LIR类工艺处理BO-LID。

从300小时的衰减测试过程看，衰减分为几种。短期光衰（24小时内）：单晶PERC电池BO-LID为主，短期光衰大；多晶PERC不应有明显的BO-LID，但其短期的LeTID也较高，其他材料和结构电池短期光衰小于2%。从300小时长期衰减结果看，多晶PERC的LeTID很大，多晶BSF电池的长时间测试结果也接近3%，反而单晶PERC和单晶BSF电池的光衰较小且低于2%。

从衰减的趋势看，多晶PERC和多晶BSF电池的衰减有逐渐增大的趋势，单晶PERC和单晶BSF电池由于在较高的温度可以“再生”因部分BO-LID损失的效率，衰减程度呈现先增大后减小的情况，逐渐恢复初始效率。在有了LIR技术解决短期的BO-LID后，单晶的短期衰减也可以被有效抑制。而LeTID对多晶材料影响更加明显，特别是多晶PERC，需要开发新的方法降低其LeTID。

图1（2）给出了四种不同温度条件下的多晶PERC光衰趋势，光衰时电池温度上升，会使衰减速度加快即短期衰减幅度增大。每种测试温度·，得到的衰减程度，衰减速度不尽相同。图1（2）中都是多晶PERC电池，温度不稳定将难以确定衰减的最大幅度，而图1（1）中，对于不同的材料以及不同的电池结构，LeTID测试过程中，同时也伴随着BO-LID的衰减和恢复过程，使LeTID的真正原因难以从简单的光衰监控实验中得到结论。

图1 （1）CZ-BSF，CZ-PERC，mc-BSF和mc-PERC以及铸造单晶在75℃，400W/m2光衰条件下效率的衰减趋势 （2）多晶PERC电池在不同温度的衰减趋势（所有电池都没有经过抗光衰处理）

吸杂工艺

磷扩散是晶体硅电池常用的工艺，具有一定的吸杂能力。磷吸杂是指将硅片体内的金属杂质吸引到表面扩散层或者磷硅玻璃，其有益的效果是降低硅片体内的快速扩散的金属杂质含量。Konstanz大学的Annika Zuschlag研究了SiNx双面钝化的p多晶硅片以及55Ω/□磷吸杂对LeTID过程的影响[2]。使用自校准时间分辨光致发光照相（TR-PLI）技术，样品在75℃1sun条件下曝晒，实时监控多晶硅片中每个点的少子寿命随时间的变化，如图2。没有磷扩散的样品，少子寿命衰减都较大，在300小时后，原少子寿命较高的点，少子寿命较早开始恢复；原少子寿命低的区域，恢复被延迟到500小时以上，且恢复程度较少。有磷扩散的样品，在曝晒条件下，少子寿命衰减在初期1小时内有一定的衰减后，后续保持基本稳定但并没恢复。这个实验说明晶体硅电池普遍使用的磷吸杂，对缓解LeTID有一定的作用。也说明了，LeTID现象在硅片内部普遍分布，且在长期光照中，多晶中少子寿命低的区域是难以恢复的。

图2 有效寿命随着曝晒时间的变化，曝晒条件75℃1sun（左）SiNx双面钝化的多晶硅（右）磷扩散吸杂的多晶硅

硅片厚度变化确定杂质种类

为了研究引起LeTID缺陷的种类是哪种，一种有效的方法是测试这种杂质的扩散系数进行筛选。ISFH的Dennis Bredemeier巧妙的设计实验，利用不同的硅片厚度，测试不同厚度硅片的LeTID衰减规律[3]。如图3，硅片厚度下降，杂质的总含量下降，且呈一定的线性关系。拟合得到这种杂质的在75℃的扩散系数为范围为。在常见的杂质种类范围中，Co，Ni，H在和测试的扩散系数接近。因此，Co，Ni，H中的一种或多种，有可能是LeTID的原因。具体是哪一种，还需要进一步研究。

图3 （1）不同厚度的多晶硅片归一化杂质浓度在LeTID测试条件下的变化（2）由图1中拟合的普通多晶和高效多晶的最大杂质浓度（3）根据杂质的扩散系数，与常见的杂质扩展系数对比区分

改变烧结温度

有多篇文献验证降低烧结温度可以降低LeTID[4,5,6]。UNSW Catherine Chan[4]和Daniel Chen[5]从不同角度研究了烧结温度对于LeTID行为的影响。烧结温度升高，LeTID程度明显增加，如图4。UNSW认为烧结过程中，SiNx释放的氢，是LeTID的主要原因[7]。氢也是在ISFH硅片厚度研究的得到的三种可能杂质的范围内[3]。一种可能解决LeTID的方案是进行第二次较低温度的烧结[4],或者是将烧结曲线在后半部分增加一个较低温度的保温过程，或者慢速冷却[6]。

图4 烧结温度对于LeTID的影响

改变介质层性质

介质层是电池内部主要的氢的来源。常用的介质层是SiNx，Al2O3。其中SiNx的氢含量较高，大于10%；Al2O3的氢含量较少，约3%。

2016年，FriederikeKersten发现，烧结时，当介质膜存在时候，后续会发现LeTID现象；当介质膜不存在，后续没有明显的LeTID[7]，如图5(1)。

结合烧结温度，镀膜温度，膜层物理性质等，UNSW CarlosVargas进行了更深入的研究[8]。例如图4中，LeTID的增加是因为烧结温度增加，硅片中引入了更多的氢，过多的氢虽然可以临时提升少子寿命，但也引入了更多不稳定的氢源，引起更大的LeTID/HID。图5比较了氢的释放量与LeTID相关缺陷密度的关系，氢释放量增加，缺陷密度也增加；沉积SINx的温度增加，LeTID也有增加的趋势，如图5（2）。

图5 (1) 烧结时有SiNx/Al2O3介质层和无介质层的少子寿命对比[7]

（2）氢的释放量、SiNx沉积温度和LeTID相关缺陷密度的关系[8]

2018年WCPEC会议，UNSW进一步的验证，增加沉积SiNx厚度，LeTID相关的缺陷也是线性增加趋势 [9]。如图6。

图6 增加SiNx厚度，SiNx沉积条件和参数接近，LeTID相关缺陷增加[9]

暗退火

对于BO-LID，暗退火可以使已经再生的硼氧复合体被分解，再一次光照产生新的衰减循环。这样的循环被“加速光衰-暗退火”过程验证。循环过程周期，幅度接近。

而LeTID的“加速光衰-暗退火”循环，循环的时间周期不同，幅度逐渐下降。这个现象UNSW使用“四态”模型解释，引入了”缺陷前驱体储存态”。Professor Stuart提出了通俗易懂的“水桶理论”。简而言之，就是减少储存态“水桶”中的氢可以降低LeTID/HID。

图7（a）BO-LID的加速光衰-暗退火循环（b）LeITD的LIR-暗退火循环[10]

1.2 HID

根据现有的知识分析，在硅片中多余的氢，是LeTID的主要因素。

Stuart教授使用氢的水桶理论解释LeTID/HID，氢在不同的水桶中转移，如图8。电池在烧结后，氢会储存在水桶B1（临时储存缺陷前驱体）和B2（缺陷前驱体）。在LeTID的测试条件下（例如75℃，1sun），氢向水桶B3（形成缺陷）转移，而这会引起衰减。最初，B1水桶中的氢是满状态，B2是半满；逐渐B3中氢变多，B1和B2中的减少，B3中的氢达到最多时，衰减达到最大值。LeTID在长时间光照后逐渐恢复，即B3桶逐渐变空，条件是B1，B2，B3都要变空，才能够使LeTID充分恢复。通常，电池在SiNx沉积后，大量的氢储存在SiNx中；烧结后，SiNx中的氢释放到硅体内，氢有可能储存在硅片中各个位置，例如重掺杂层，与其他杂质结合，与掺杂剂硼结合，与硅片中的空位，位错，层错，晶界结合。具体的，例如氢的二聚体（H2）可以认为是B1，氢与硼结合的B-H可以认为是B2，B-H键很容易在光照下断裂。快速退火改变B1，B2桶内氢含量（促进B1的H向B2转移），B2桶氢流向B3形成缺陷引起复合（光衰）。

图8 Stuart教授的HID水桶理论

二.光伏产品各环节对于LeTID/HID的控制

LeTID现象成因复杂，但从第一部分的分析可以看出，氢是其中的主要因素。LeTID/HID的可能解决方法就是去除氢。但对于晶体硅电池来说，氢是必不可少的钝化源，氢对器件缺陷的钝化有助于提升电池的开路电压与效率；特别是低质量硅片更需要氢钝化。因此在光伏产品制造的每个环节，掌握控制氢的技术，是制造稳定的电池的关键。

2.1 硅片

太阳能级硅片的制造方法分为直拉和铸造两种，产品是单晶和多晶。

单晶的晶格完整，缺陷较少。在单晶中，储氢的位置包括掺杂剂，空位，填隙，少量的金属杂质等。

多晶硅片相比于单晶常见的缺陷位置还有位错网络，晶界，以及更多的金属。更高的缺陷密度，需要更好的氢钝化，但SiNx提供氢钝化的同时，多晶硅片内部储存了更多的氢，使HID严重且衰减过程漫长。

由于硅片中所有的不完美结构都有可能限氢，硅片制造商需尽力减少硅片的缺陷和杂质。显然，这个任务对于多晶来说更加艰巨。

2.2 电池

在电池制造过程中，氢来自于SiNx的释放。氢的控制需要细致处理电池工艺中的热过程。包括SiNx镀膜的温度；金属化温度，时间，冷却过程等。SiNx的性质影响电池钝化性能，还影响产品的外观。PERC电池，双面都有SiNx，氢源进一步增加。氢钝化效果提升，体内的氢也增加，HID风险加大。

假如完美的电池工艺可以提供足够的氢钝化即可，不引入过多的氢。但现在的电池金属化烧结要求高温玻璃融化并且烧穿氮化硅形成接触，这使得烧结工艺过程可调节的范围不大，700℃以上的高温引入了过多的氢。

单多晶PERC电池的LeTID的区别，与各自硅片体内多余的氢含量相关。氢浓度增加，HID衰减会增大；HID的恢复，需要氢清除出硅片的体内。多晶结构有更多的与氢的结合点，例如更多带正电的金属，会阻碍氢离子运动；在多晶缺陷很多的位置，例如原始少子寿命很低的位置，LeTID/HID将难以恢复，如图2中的黑色曲线。

2.3 产品和用户注意事项

因为LeTID程度和组件所处的温度有关，一般组件工作温度小于70℃，温度上升，LeTID增大。对于制造组件产品的制造商来说。需要优化产品的材料和工艺，降低组件工作温度。这一点难度甚高，特别是在组件效率不断提升的情况下。产品电流的提升也增加组件的工作温度。

在用户端，安装时需注意消除热斑现象，更好的通风环境都有助于降低组件的工作温度，减少LeTID。

来源：隆基乐叶