佳能发布纳米压印半导体设备，可实现 2nm 节点工艺

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佳能（Canon）近日发布了一款名为 FPA-1200NZ2C 的纳米压印半导体制造设备，宣称通过纳米压印光刻（NIL）技术实现了目前最先进的半导体工艺。该技术与传统的投影曝光技术不同，可以直接将电路图案压印在晶圆上，从而提高效率和精度，降低成本和功耗。

据佳能官方介绍，NIL 技术可以形成最小线宽为 14nm 的图案（相当于现在 5nm 节点工艺），而且通过进一步改进掩模，还将有可能支持 10nm 的最小线宽（相当于 2nm 节点工艺）。这意味着该技术可以实现比目前 ASML 的 EUV 光刻机更高的分辨率和更小的晶体管尺寸。

佳能的 NIL 设备采用了自家的喷墨技术，可以在合适的位置添加适量的抗蚀剂，然后将掩模印在涂有抗蚀剂的晶圆上进行精准曝光。这样，单一压印即可形成复杂的 2D 或 3D 电路图案。该设备还具有以下优点：- 结构简单，不需要 EUV 的大规模特殊波长光学系统和真空腔，所以基于 NIL 技术的设备得以大幅缩小体积。- 功耗低，相比传统的 EUV 投影曝光设备在形成图案时对应的功耗可降低至 1/10，同时也显著减少了碳排放。- 环境控制新技术可抑制内部细颗粒的产生和污染，实现多层半导体制造所需的高精度对准，并减少由颗粒引起的缺陷。佳能表示，该设备未来要扩大该类半导体设备的阵容来覆盖广泛的市场需求。除了半导体器件外，该设备也可用于生产具有数十纳米微结构的 XR 超透镜等产品。

佳能以相机、光学设备或打印机等产品领先而闻名，但随着半导体和人工智能等领域的发展而重新开始注重半导体供应链。同尼康一样，两者在半导体制造设备的市场竞争中均落后于 ASML。2004 年佳能开始进入纳米压印光刻领域，本次发布半导体设备也说明其正在寻求缩小与 ASML 的市场差距。目前，台积电和三星代工都计划将于 2025 年开始量产自己 2nm 工艺芯片。对于 NIL 设备究竟是否能威胁到 ASML EUV 的市场地位，我们将拭目以待。

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