1N5819肖特基二极管引脚配置及应用特点

肖特基二极管采用金属与硅基结设计，以提供特殊特性。根据制造商的不同，有不同的肖特基二极管可供选择，例如1N5819肖特基二极管就是一款比较热门的型号。

1N5819肖特基二极管正向压降更小，开关速度最大，适用于DC-DC转换器、逆变器等需要高频的地方。本文简单介绍下1N5819肖特基二极管引脚配置及应用特点。

1N5819肖特基二极管包括600mV的正向压降和1A的正向电流。与普通的PN结二极管相比，一旦通过它提供1A的电流和快速的开关速度，该二极管的正向压降就会更小。因此，该二极管用于具有反极性的保护电路和基于高频的开关电路。

1N5819肖特基二极管的反向阻断电压仅为28V左右，这对所有肖特基二极管来说都是不利的，因此请确保这不会影响电路的性能。另外，该二极管的构造可以通过结合金属和半导体材料来完成，其阳极端子可以通过金属材料形成，而阴极端子由半导体制成。

引脚配置

1N5819肖特基二极管的引脚配置及其符号如下所示，该二极管包括下面讨论的两个端子。

1N5819肖特基二极管的特性和规格包括以下几点内容：

替代1N5819肖特基二极管是1N4733A、1N4148、1N5408、1N5822、1N5824和BAT54A。

与普通的PN结二极管相比，这种二极管的工作方式有些不同，因为基于P型半导体被金属改变了。

一旦金属和半导体材料连接起来，它们就会形成一个金属-半导体结，允许电子从一个水平流到另一个水平，就像从高到低一样。在N型半导体中，可用电子表现出更多能量并开始从半导体区域流向金属。

众所周知，一旦原子放下一个电子，它就被称为正离子，而它得到电子，它就是一个负离子。金属和半导体区域中可用的正负电荷载流子可以形成耗尽区。N型半导体中电荷载流子的宽度高于从半导体材料移动到金属的电子。为了使电子从半导体区域流向金属，与固定电压相比，电子的位置能量应该更高。

12Volts到24Volts DC-DC转换器的电路图如下所示。设计该电路所需的元器件主要包括面包板、连接线、NE555定时器IC、12V直流输入电源、稳压二极管（24V/1W）、100uH电感（2A/3A）、1N5819肖特基二极管、BD139 NPN晶体管、电容器等10nF、1uF/50V和560pF、 1K和10K等电阻器、电池夹。

在当今的电子产品中，12伏至24伏直流到直流转换器是必不可少的设备。这些用于可变驱动器的负载匹配，也用于测试或排除电子设备故障。因此，在这个项目中，将使用NE555 IC和基于24V/1W的齐纳二极管构建一个简单的12V到24V DC-DC转换器电路。

在这个电路中，NE555定时器IC是一个像非稳态多谐振荡器一样工作的重要元件。一个不稳定的多谐振荡器在两个不平衡状态之间连续切换。

该电路中的晶体管在没有外部信号的情况下以电路中的RC时间常数确定的频率连续从截止状态切换到饱和状态。如果这些时间常数相等，则方波信号将产生1/1.4 R x C频率。因此，非稳态多谐振荡器也是方波或脉冲发生器。

这个直流到直流转换器电路在非稳定模式下转动NE555 IC功能。所以这个IC通过电路中的电阻和电容产生一些频率信号。在该电路中，NE555集成电路的两个引脚（如引脚2和6）连接以持续自触发，从而在集成电路的o/p引脚3处提供信号。

另外，其输出引脚例如pin3与BD139晶体管相连，一旦获得信号，晶体管将被打开并在电感器内产生一定量的能量。而一旦BD139晶体管关闭，则电感器中节省的能量通过1N5819肖特基二极管馈送到50V 1uF 电容器。所以最后，该电路的o/p电流范围为100mA – 150mA。该电路用于培训板电源、测试台电源等应用。

1N5819肖特基二极管的应用包括以下几方面内容：

以上就是关于1N5819肖特基二极管引脚配置及应用特点的相关内容介绍，希望对大家有所帮助。需要注意的是，1N5819肖特基二极管与普通二极管相比具有更快的开关速度，因此适用于高频开关电路，但1N5819二极管的反向阻断电压仅为28V，所以相对于其它肖特基二极管来说，这个是主要缺点之一。