DDR3三星颗粒有多强?!

    三星的B-die称霸了DDR4时代，那DDR3时代的三星颗粒有多强呢？虽然将近十年前的那个DIY还未衰落的时候，统治DDR3的是美光的D9颗粒(E-die)，但三星其实也不败下风。

    这是一条记忆科技的DDR3-1600低压内存条，型号为RMR5030KE68F9F1600，单面颗粒，容量为4 GB，生产于2016年。它使用了8颗三星颗粒，型号为K4B4G0846E-BYK0，是三星的第6代颗粒，默认时序电压为1600 MHz, 11-11-11, 1.35 V。

    测试使用的是i5-4590，搭配某品牌的Z97主板。

    直接超频到2933 MHz, 14-16-16-36 CR1, 1.65 V。AIDA64测试结果：读取14824 MB/s，写入17694 MB/s，复制15612 MB/s，延迟48 ns。并随意通过烧机测试。

    细调后，参数来到了2933 MHz, 13-15-14-36 CR1, 1.6 V, tRFC = 336, tFAW = 24, tRRD = 8, tRTP = 10, tWTR = 10。AIDA64测试结果：读取14932 MB/s，写入17795 MB/s，复制15778 MB/s，延迟46 ns。并通过烧机测试。此时我用手试一下颗粒的温度，也仍不烫手。

    这也估计不是极限，这张主板的内存频率最高只能到2933 MHz，而且时序也压的比较宽松。

    在热心读者 @图吧瞪眼喵 的指导下，我将tRDRD和tWRWR两项时序收紧到4，成绩又更上一层楼了。