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2024-07-12 19:18| 来源: 网络整理| 查看: 265

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Semiconductor Single Crystal SiliconIngot Puller

半导体单晶硅棒拉晶设备

FT-CZ1200Se/1400Se

这是在半导体工艺中利用我们的核心技术生产的单晶锭制造设备。在真空炉中熔解的硅原料形成硅溶液后,把晶体向上提拉以形成锭状。利用我们的真空密封技术维持设备内的真空状态。高温熔解原料的石墨加热器,以及作为容器的坩埚也是我们自己的产品。这些产品支持着单晶组件达成世界级的高转换效率。

尺寸 规格表     半导体级FT-CZ1200Se 半导体级FT-CZ1400Se 备注(适用于两种型号) 场所 周围温度 15~30 ℃ 15~30 ℃   周围湿度 65% (无结露,腐蚀气体 ) 65% (无结露,腐蚀气体 )   洁净度 10000 级(ISO6) 10000 级(ISO6)   噪音 75db 75db   地基 3000kg/ m2以上 3000kg/ m2以上   电源 定格电压 3P 380VAC±10%50/60Hz 3P 380VAC±10%50/60Hz   定格容量 320kVA 420kVA(主副合算)   定格电流 500A 650A(主副合算)   冷却水 流量范围 350 ~ 400L/min 500L/min   供给压力 0.3 ~ 0.4MPa 0.3 ~ 0.4MPa   设备参数 设备高度 极限真空度 坩埚行程 700mm 680mm   坩埚低速升降速度 0.03 ~ 3.0 mm/min 0.016 ~ 1.6 mm/min   坩埚转速 0.1 ~ 20rpm 0.1 ~ 20rpm   坩埚轴承重 MAX 600Kg MAX 1000Kg Δ 可根据客户要求加大承重量 侧加热器升降行程程 250mm 250mm   侧加热器升降速度 MAX 200mm/min MAX 200mm/min   磁场升降行程 1250mm 1500mm   磁场升降速度 MAX 400mm/min MAX 400mm/min   磁场机构承重 1000Kg 10000Kg Δ

※ 以上数据仅为我公司标准式样,“Δ”项数据可根据客户要求进行调整。

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上海 上海汉虹精密机械有限公司

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