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请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 证券研究报告|行业深度 2023 年 04 月 11 日 电子电子“AI 革命”革命”存储篇存储篇：算力拉动，拐点提前算力拉动，拐点提前 ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。据 NVIDIA 估算，训练 GPT-3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8 张 V100显卡训练时长预计达 36 年，1024 张 80GB A100 显卡完整训练 GPT-3 的时长为 1 个月，算力侧硬件需求全面增长。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相应增长。整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，进而对算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC 载板等多个领域硬件产生增量需求。国产化存储产业链迎来布局时刻国产化存储产业链迎来布局时刻。1）AI 服务器带来存力硬件需求上行：根据美光数据测算，人工智能服务器中 DRAM 内容是普通服务器的 8 倍，NAND 内容将是普通服务器的 3 倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2）库存边际改善，价格修复在即：美光 2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美金，同比下降 2.75%，有望持续改善。AI 服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据 TrendForce 数据，美光及 SK 海力士在内的部分供应商已启动DRAM减产计划，2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%。3）国产化存储产业链迎来布局时刻：国内存储产业链多元化布局，2023年有望完成产品结构快速升级。存储行业公司市场广阔，行存储行业公司市场广阔，行业业近期近期有望触底回升。有望触底回升。根据 IC Insight 数据，2011 年全球 DRAM 市场规模为 296 亿美金，而 2022 年全球 DRAM 市场规模将达 758 亿美金，CAGR 达 8.9%，其中 DDR4 需求疲软之下价格一路下行。根据中金企信统计数据，预计到 2025 年全球 NAND Flash 市场规模有望达到 931.9 亿美元，2021 年至 2025 年 CAGR 增速 7.4%，其中三星依旧占领较大的市场份额，但还未形成绝对的寡头地位。国内储存行业链公司有望持续发展，国产化替代空间广阔。DRAM&NAND Flash 强周期属性强周期属性，人工智能需求增长有望带动行业快人工智能需求增长有望带动行业快速修复速修复。DRAM 是存储器第一大产品，占比全球储存市场 53%的市场份额。当前以三星、海力士和美光三大家为主。看 DRAM 产品迭代，DDR4系当前主流，DDR5 接力入场。NAND Flash 供给端，呈现 CR6 市场规模占比约 99%，寡头市场持续集中。价格方面，我们认为主流及利基型产品价格 2022 年以来下跌跌幅将逐步趋缓。需求端，车规级储存受汽车智能化发展速度加快，AI 等高算力设备推动巨量数据存储或将有望成为新的快速增长点。人工智能算力及数据量增长，带动存储行业人工智能算力及数据量增长，带动存储行业技术迅速发展技术迅速发展。1）HBM：截至 2021 年，SK 海力士和 Rambus 已发布了数据传输速率为 5.2Gbps 和8.4Gbps 的 HBM3 产品，每个堆叠将提供超过 665GB/s 和 1075GB/s 的传输速率，有望快速在 AI 服务器中替代。2）存算一体：目前存算一体大致分为近存计算（PNM）、存内处理（PIM）、存内计算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（PNM），未来技术成熟度或将快速提高，突破算力存力中间壁垒。3）3D NAND 堆叠：3D NAND将成为主流方向，可突破存储容量限制瓶颈。3D NAND 将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了 2D NAND 在增加容量的同时性能出现下降的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。风险提示风险提示：下游需求不及预期，新品迭代不及预期。增持增持（维持维持）行业行业走势走势 作者作者 分析师分析师 郑震湘郑震湘 执业证书编号：S0680518120002 邮箱： 分析师分析师 佘凌星佘凌星 执业证书编号：S0680520010001 邮箱： 相关研究相关研究 1、电子：三星存储芯片或将减产，LLM 开启算力新时代2023-04-10 2、电子：“AI 革命”算力篇2023-04-08 3、电子：先进封装引领“后摩尔时代”，国产供应链新机遇2023-04-05 -32%-16%02 22-042022-082022-122023-04电子沪深300 2023 年 04 月 11 日 P.2 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 内容目录内容目录 一、AI 带动存力芯片用量快速提升.6 1.1 AI 带动算力及存力需求快速提升.6 1.2 AI 服务器需求快速增长，有望带动存储行业困境修复.8 1.3 海外龙头减产缩支，国产化存储产业链或将加快布局.12 二、DRAM：周期轮动，价格底部.16 2.1 DRAM：强周期属性，高垄断格局.16 2.2 行业寒冬，周期视角下的底部.19 2.2.1 供需端：需求短期等待修复，DRAM 厂商难逃行业寒冬.19 2.2.2 价格端：高水位库存 低需求市场，降价持续.21 三、NAND Flash:市场有望快速修复.23 3.1 NAND Flash 市场规模持续增长.25 3.2 等待下游需求恢复，价格欲将企稳修复.26 3.2.1 供需端:产业链进一步集中，供需逐渐修复.26 3.2.2 价格端：环比下降收窄，价格将逐步企稳.32 四、存储创新技术适配 AI 快速发展.34 4.1 HBM 突破技术瓶颈，逐渐凸显应用价值.34 4.1.1 HBM 堆叠技术进一步提高传输速率.34 4.1.2 HBM 技术已迅速发展，人工智能将带动技术快速突破.36 4.2 存算一体：嵌入计算能力，有效提升数据效率.38 4.2.1 存算一体，后摩尔时代发展的必然要求.38 4.2.2 国外龙头占据行业垄断地位，国内厂商积极布局.40 4.3 3D NAND：突破存储容量限制瓶颈.41 五、重点关注标的.44 5.1 兆易创新：业绩高速增长，看平台化公司如何打造.44 5.2 北京君正：收购北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增长、利润率有所修复.45 5.3 雅克科技：全球前驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求.47 5.4 东芯股份：国内 SLC NAND 龙头，短期业绩有望快速修复.48 5.5 深科技：存储芯片封测领先者，定增加码产能.49 5.6 普冉股份：存储行业新星，发力工业控制和车载领域.50 5.7 佰维存储：存储芯片小巨人，短期业绩承压.52 5.8 香农芯创：AI 服务器需求增长，带动内存有望提升.53 六、风险提示.54 图表目录图表目录 图表 1：ChatGPT 模型训练之路.6 图表 2：ChatGPT 所需数据量.6 图表 3：3072 张 80GBA100 训练 GPT，最大规模模型参数量是 GPT-3 原版规模的 5 倍.7 图表 4：GPT-3 VS GPT-4.7 图表 5：3D 堆叠封装显著降低成本.8 图表 6：先进封装提升性能及效率.8 图表 7：全球服务器出货量（万台）及增速（%）.8 图表 8：全球服务器市场规模预测（亿美元）同比（%）.8 图表 9：AI 服务器（推理）出货量预测及复合增速（千台，%）.9 4WdYkZnVeYmVsXvUrY6M9R7NpNoOoMpMjMmMrNlOqRpN6MpPvMuOqMwPvPrQnQ 2023 年 04 月 11 日 P.3 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 10：2022 年采购 AI 服务器占比（%）.9 图表 11：英伟达 DGX A100 产品.9 图表 12：英伟达 DGX H100 产品.9 图表 13：H100/A100/V100 产品算力对比.10 图表 14：DGX H100 vs DGX A100 平台升级.11 图表 15：华为 Atlas 800 型号 9010 训练服务器.11 图表 16：美光分业务营收.12 图表 17：美光 FQ3-23 业绩指引.13 图表 18：三星电子 2022 年及 2022 年 Q4 业绩.13 图表 19：海力士 FY2022 业绩.14 图表 20：海力士分产品业绩说明.14 图表 21：全球存储器细分市场结构占比.16 图表 22：DRAM 市场波动剧烈.16 图表 23：DRAM 全球市场规模.17 图表 24：2021 年全球 DRAM 下游应用分布（%）.17 图表 25：2019 年全球 dram 区域分布占比情况（%）.17 图表 26：2021 年 DRAM 市场格局.18 图表 27：各代 DRAM 产品情况.18 图表 28：全球 DRAM 市场结构拆分.19 图表 29：DRAM 的分支与演进.19 图表 30：供需位元状况及预测（%）.19 图表 31：DRAM 市场营收半年度情况.20 图表 32：DRAM 全球市场规模季度变化.20 图表 33：2022 年 Q4 各原厂 DRAM 营收排名(百万美元).20 图表 34：美光各季度库存（亿美元）.21 图表 35：DRAM 产品价格变动预测.21 图表 36：DRAM 主流合约平均价（美元）.22 图表 37：DRAM 主流现货平均价（美元）.22 图表 38：利基合约平均价（美元）.23 图表 39：利基现货平均价（美元）.23 图表 40：Flash 储存位元结构.23 图表 41：NAND Flash 基本构成.23 图表 42：嵌入式存储性能情况.24 图表 43：NAND Flash 出货形态应用情况.24 图表 44：2020-2023 年全球 NAND 闪存颗粒下游市场格局.24 图表 45：2016-2025 年全球 NAND Flash 市场规模预测.25 图表 46：全球 2D/3D NAND Flash 市场收入占比.25 图表 47：NAND Flash 行业格局.26 图表 48：等效 12”NAND Flash 产能情况（千片/月）.26 图表 49：NAND Flash 厂商技术路径汇总.27 图表 50：全球智能手机季度出货量.28 图表 51：智能手机 NAND 闪存平均容量（GB）.28 图表 52：全球 PC 季度出货量.29 图表 53：全球平板电脑年度出货量.29 图表 54：SSD 在电脑市场搭载率（%）.30 图表 55：SSD 近三年在台式机及笔电搭载率（%）.30 2023 年 04 月 11 日 P.4 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 56：全球数据储存量情况（ZB）及增速.31 图表 57：云数据及企业级数据储存需求（百万/GB）.31 图表 58：2022 年全球新能源汽车销量（分企业，万辆）.32 图表 59：中国新能源汽车月销量（辆）.32 图表 60：MLC NAND Flash 芯片现货平均价（美金）.33 图表 61：MLC NAND Flash 芯片合约价平均价（美金）.33 图表 62：各代 HBM 产品的传输路径配置.34 图表 63：HBM 内存堆叠示意图.35 图表 64：HBM 2 与其他几种内存方案的参数对比.35 图表 65：HBM 性能演进.37 图表 66：三星 DRAM Roadmap.37 图表 67：HBM 技术性能发展.38 图表 68：算力发展速度远超存储.38 图表 69：存算一体发展简史.39 图表 70：存内计算架构（右）在传输带宽上优于传统计算架构（左）.39 图表 71：存算一体技术的分类.39 图表 72：国内存算一体芯片市场规模估算.40 图表 73：国内存算一体芯片公司布局（按照应用场景大-小排序）.41 图表 74：2D 对比 3D NAND.42 图表 75：厂商 3D NAND 技术发展.42 图表 76：SK 海力士第 8 代 3D NAND 闪存技术.43 图表 77：三星 3D V-NAND.43 图表 78：兆易创新营收及增速.44 图表 79：兆易创新归母净利润及增速.44 图表 80：研发支出及同比.45 图表 81：销售利润率.45 图表 82：北京君正营收及增速.46 图表 83：北京君正营收及增速.46 图表 84：北京君正研发支出及同比.46 图表 85：北京君正利润率水平.46 图表 86：雅克科技营收及增速.47 图表 87：雅克科技归母净利润及增速.47 图表 88：雅克科技研发支出及同比增速.47 图表 89：雅克科技销售利润率.47 图表 90：东芯股份营收及增速.48 图表 91：东芯股份归母净利润及增速.48 图表 92：东芯股份研发支出及同比增速.49 图表 93：东芯股份销售利润率.49 图表 94：深科技营收及增速.50 图表 95：深科技归母净利润及增速.50 图表 96：深科技研发支出及同比增速.50 图表 97：深科技销售利润率.50 图表 98：普冉股份营收及增速.51 图表 99：普冉股份归母净利润及增速.51 图表 100：普冉股份研发支出及同比增速.51 图表 101：普冉股份销售利润率.51 2023 年 04 月 11 日 P.5 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 102：佰维存储营收及增速.52 图表 103：佰维存储归母净利润及增速.52 图表 104：佰维存储研发支出及同比增速.52 图表 105：佰维存储销售利润率.52 图表 106：香农芯创营收及增速.54 图表 107：香农芯创归母净利润及增速.54 图表 108：香农芯创研发支出及同比增速.54 图表 109：香农芯创销售利润率.54 2023 年 04 月 11 日 P.6 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 一、一、AI 带动存力芯片用量快速提升带动存力芯片用量快速提升 1.1 AI 带动算力及存力需求快速提升带动算力及存力需求快速提升 ChatGPT 是 OpenAI 开发的一款聊天机器人，能够更高层次理解人类需求并解决复杂问题。ChatGPT 基于 Transformer 架构算法，可用于处理序列数据模型，通过连接真实世界中大量的语料库来训练模型，可进行语言理解并通过文本输出，做到与真正人类几乎无异的聊天场景进行交流。ChatGPT 应用场景广泛，海外已有龙头落地成功案例：1）文字创意的生成：文字创意的生成：快速生成文章段落结构。2）客服系统：客服系统：与客户更流畅的交流。3）虚拟）虚拟人物对话：人物对话：传统虚拟人物会设定对话标准答案，ChatGPT 能够更自然真实地与人对话。4）结合）结合 Office 软件：软件：生成文档、表格、PPT 等。5）搜索：）搜索：替代部分搜索需求。6）咨询领域：）咨询领域：提供值得思考或探索的方向。ChatGPT 海外已有应用方案落地：为 BuzzFeed 提供个性化测试服务以及为 Amazon 解决工程师技术难题等。图表 1：ChatGPT 模型训练之路 图表 2：ChatGPT 所需数据量 资料来源：360 技术工程，国盛证券研究所 资料来源：360 技术工程，国盛证券研究所 ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧硬件全面增量需求。带动算力需求飙升，存算侧硬件全面增量需求。据 NVIDIA 估算，训练 GPT-3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8 张 V100 显卡训练时长预计达 36 年，1024 张 80GBA100 显卡完整训练 GPT-3 的时长为 1 个月，算算力力侧硬件侧硬件需求需求全面全面增长增长。2023 年 04 月 11 日 P.7 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 3：3072 张 80GBA100 训练 GPT，最大规模模型参数量是 GPT-3 原版规模的 5 倍 资料来源：EfficientLarge-Scale Language Model Training on GPU Clusters，国盛证券研究所 ChatGPT4 多模态演绎，算力需求进一步激增。多模态演绎，算力需求进一步激增。ChatGPT4 为多模态模型，使用图像、视频等多媒体数据进行训练，文件大小远超文字，进一步驱动算力需求飙升。以 LAION-5B 图文数据集为例，其包含 58.5 亿个 CLIP 过滤的图像文本数据集，我们认为图像、视频类训练数据将驱动算力需求进一步飙升。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此由此将对以服务器交换机为代表的将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求数据传输设备产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相相关高算力芯片需求量将相应增长。应增长。图表 4：GPT-3 VS GPT-4 资料来源：恒沙云，国盛证券研究所 高算力时代，高算力时代，Chiplet 助力突破芯片助力突破芯片制程制程瓶颈。瓶颈。在速度方面，采取 3D 封装技术的 chiplet缩短了线路传输距离，指令的响应速度得到大幅提升，寄生性电容和电感也得以降低，此外，更多更密集的 I/O 接点数，电路密度提升将提高功率密度。3D 封装由于采用更细小、更密集的电路，信号传输不需要过多的电信号，从而功耗也会相应降低。2023 年 04 月 11 日 P.8 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 5：3D 堆叠封装显著降低成本 图表 6：先进封装提升性能及效率 资料来源：AMD，国盛证券研究所 资料来源：AMD，国盛证券研究所 整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，由此将从算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC 载板等多个领域带动硬件市场增量需求。1.2 AI 服务器服务器需求快速增长，有望需求快速增长，有望带动存储行业困境带动存储行业困境修复修复 根据中商产业研究院数据，2021 年全球服务器出货量达 1315 万台，同比增长 7.8%，对应全球市场规模达 995 亿美元。根据 Counterpoint 预计，2022 年全球服务器市场规模有望达到 1117 亿美元，同比增长 17.0%。预计云服务提供商数据中心扩张增长驱动力主要来自于汽车、5G、云游戏和高性能计算。图表 7：全球服务器出货量（万台）及增速（%）图表 8：全球服务器市场规模预测（亿美元）同比（%）资料来源：Wind，中商产业研究院，国盛证券研究所 资料来源：Counterpoint，国盛证券研究所 AI 服务器渗透率依旧较低，增长空间巨大。服务器渗透率依旧较低，增长空间巨大。根据 TrendForce 数据，截止 2022 年全球搭载 GPGPU 的 AI 服务器（推理）出货量占整体服务器比重约 1%，同时 TrendForce 预测2023 年伴随 AI 相关应用加持，年出货量增速达到 8%，20222026 年 CAGR 为 10.8%。根据 TrendForce 数据，2022 年全球 AI 服务器采购中，Microsoft、Google、Meta、AWS为前四大采购商，合计占比 66.2%。中国地区 ByteDance（字节跳动）采购比例最高，达到 6.2%。-4%0%4%8 0040060080010001200140016002016201720182019202020212022E全球服务器出货量预测趋势图（万台）同比（%）-5%0%5 004006008001000120020182019202020212022F全球服务器市场规模（亿美元）同比（%）2023 年 04 月 11 日 P.9 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 9：AI 服务器（推理）出货量预测及复合增速（千台，%）图表 10：2022 年采购 AI 服务器占比（%）资料来源：TrendForce，国盛证券研究所 资料来源：TrendForce，国盛证券研究所 人工智能已成为解决艰巨业务挑战的首选解决方案。AI 正在为各行各业的企业组织开辟创新之路，从改善客户服务、优化供应链、获取商业智能，到设计新产品和服务等。NVIDIA作为 AI 基础架构的先行者，NVIDIA DGX 系统可提供更强大、完整的 AI 平台，将企业组织的核心想法付诸实践。目前 AI 大规模训练方面，NVIDIA 推出的最新 DGX 系统包括A100、H100、BasePOD、SuperPOD 四款产品，其中，DGX A100、DGX H100 为英伟达当前服务于 AI 领域的服务器产品。图表 11：英伟达 DGX A100 产品 图表 12：英伟达 DGX H100 产品 资料来源：NVIDIA，国盛证券研究所 资料来源：NVIDIA，国盛证券研究所 H100 采用先进工艺芯片采用台积电 4N 工艺 台积电 CoWoS 2.5D 封装，有 800 亿个晶体管对比 A100 有 540 亿个晶体管，同时搭载了 HBM3 显存，可实现近 5TB/s 的外部互联带宽。H100 是首款支持 PCIe 5.0 的 GPU，也是首款采用 HBM3 标准的 GPU，单个H100 可支持 40Tb/s 的 IO 带宽，实现 3TB/s 的显存带宽。Microsoft19%Google17%Meta16%AWS14%ByteDance6%Tencent2idu2%Alibaba2%Others22 23 年 04 月 11 日 P.10 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 13：H100/A100/V100 产品算力对比 资料来源：anandtech，国盛证券研究所 DGX H100 带来性能的快速飞跃，通过全新张量处理格式 FP8 实现。其中 FP8 算力是4PetaFLOPS，FP16 达 2PetaFLOPS，TF32 算力为 1PetaFLOPS，FP64 和 FP32 算力为60TeraFLOPS。在 DGX H100 系统中，拥有 8 颗 H100 GPU，整体系统显存带宽达 24TB/s，硬件上支持系统内存 2TB，及支持 2 块 1.9TB 的 NVMe M.2 硬盘作为操作系统及 8 块3.84TB NVMe M.2 硬盘作为内部存储。根据官网信息，NVIDIA DGX H100 对比上一代产品具有 6 倍的性能及 2 倍的网络速度和高速可扩展性，同时英伟达表示目前新款 DGX H100 已经全面投入生产。2023 年 04 月 11 日 P.11 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 14：DGX H100 vs DGX A100 平台升级 DGX H100 DGX A100 GPU 8 个 NVIDIA H100 Tensor Core GPU 8 个 NVIDIA A100 80GB Tensor Core GPU GPU 显存 共 640GB 共 640GB 性能 32 petaFLOPS FP8 5 petaFLOPS AI/10 petaOPS INT8 NVIDIA NVSwitch 4x 6 系统功耗 最高 10.2kW 最大 6.5kW 系统内存 2TB 2TB 存储 操作系统：2 块 1.9TB NVMe M.2 硬盘 内部存储：8 块 3.84TB NVMe U.2 硬盘 操作系统：2 块 1.92TB NVME M.2 硬盘 内部存储：30TB（8 块 3.84TB）NVMe U.2 硬盘 系统软件 DGX H100 系统预安装 DGX 操作系统，该操作系统基于 Ubuntu Linux，包含DGX 软件堆栈（所有必要软件包和驱动均针对 DGX 优化）。客户可以选择单独安装Ubuntu Linux或Red Hat Enterprise Linux 以及必要的 DGX 软件堆栈。Ubuntu Linux 操作系统同时支持：Red Hat 企业级 Linux CentOS 运行温度范围 5 至 30C 5C 至 30C 资料来源：NVIDIA，国盛证券研究所 国内华为的昇腾 Atlas 800（型号 9010）训练服务器是基于昇腾 910 Intel Cascade Lake的 AI 训练服务器，具有高计算密度、高能效比与高网络带宽易拓展、易管理等特点，该服务器广泛应用于深度学习模型开发和 AI 训练服务场景，适用于公有云、互联网、运营商等需要大算力的行业领域。AI 处理器昇腾 910 是一款具有超高算力的 AI 处理器，其最大功耗为 310W，华为自研的达芬奇架构大大提升了其能效比。八位整数精度（INT8）下的性能达到 640TOPS，16 位浮点数（FP16）下的性能达到 320 TFLOPS。图表 15：华为 Atlas 800 型号 9010 训练服务器 资料来源：华为，国盛证券研究所 Atlas 800（型号 9010）训练服务器从配置来看，拥有 8 个昇腾 910 模组，单模组支持 2023 年 04 月 11 日 P.12 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 HBM2e技术，且拥有32GB容量及1228GB/s传输速度，AI算力达2.24 PFLOPS FP16/1.76 PFLOPS FP16。本地存储支持 2 个 2.5 SATA 8 个 2.5 SAS/SATA 或 2 个 2.5 SAS/SATA 6个 2.5 NVMe。AI 服务器带来存力硬件需求服务器带来存力硬件需求快速快速扩展扩展。根据美光数据测算，人工智能服务器中 DRAM 内容是普通服务器的 8 倍，NAND 内容将是普通服务器的 3 倍，而大容量及高速率存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。我们认为，人工智能计算量日益增加，对于 AI 服务器硬件需求将进一步提升。从服务器硬件配置角度，HBM 技术将快速在 AI 服务器中普及，其价格远高于现有基础服务器配置，未来 AI 服务器需求将带领存储芯片出现量价齐升的趋势。1.3 海外龙头减产海外龙头减产缩支缩支，国产化，国产化存储存储产业链或将加快布局产业链或将加快布局 1.美光科技美光科技 公司最新发布公司最新发布 2023 年年 Q2 财报披露财报披露。2023 年 Q2 公司总收入约 36.93 亿美元，环比下降约 9.6%，同比下降约 52.6%，营业利润亏损 22.13 亿美金。2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美元，较上一季度环比回落 2.75%，有望持续改善。2023 年 Q2 财年的非 GAAP 每股亏损为 1.91 美元，低于上一季度的每股亏损 0.04 美元和上一年的每股收益 2.14 美元，其中 Q2 财政每股收益包括约 1.34 美元的库存减记损失。2023 年 Q2 财政的公司分存储芯片业务收入：a.DRAM：收入为 27 亿美元，占总收入的 74%。DRAM 收入环比下降 4%，出货量在预期范围内微增，其中价格下降约 20%。b.NAND 收入为 8.85 亿美元，占总收入的 24。NAND 收入环比下降 20，价格下降在 20%范围内。图表 16：美光分业务营收 资料来源：美光科技，国盛证券研究所 美光科技对于 2023 财年第三季度的 GAAP 收入指引为 37 亿2 亿美元，较 2022 财年第三季度 GAAP 收入的 86.42 亿美元同比下降约 57%，环比有望持平。公司认为财务业绩已在 2023 年第二财季达到较低位置，并看好未来几个季度的财务业绩快速修复。在经历整体市场及公司财务业绩低迷之后，公司预计将根据长期财务模型恢复正常的增长和盈利能力。2023 年 04 月 11 日 P.13 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 17：美光 FQ3-23 业绩指引 资料来源：美光科技，国盛证券研究所 2.三星电子三星电子 2023 年 4 月 7 日三星电子发布 2023 年 Q1 业绩，公司初步报表（未审计）预计 23Q1营收 63 万亿韩元，yoy-19%，营业利润为 6000 亿韩元，同比-95.8%。2022 全年公司业绩收入 302.23 万亿韩元，yoy 8.1%；毛利率 37.1%，yoy-3.4pcts；研发费用率 8.2%，yoy 0.2pcts；营业利润 43.38 万亿韩元，yoy-16.0%；营业利润率14.4%，yoy-4.1pcts；净利率 18.4%，yoy 4.1pcts。22Q4 单季度公司业绩收入 70.46万亿韩元，yoy-8.0%，qoq-8.2%；毛利率 31.0%，yoy-10.3pcts，qoq-6.4pcts；研发费用率 9.2%，yoy 0.8pcts，qoq 1.0pcts；营业利润 4.31 万亿韩元，yoy-68.9%，qoq-60.3%；营业利润率 6.1%，yoy-12.0pcts，qoq-8.0pcts；净利率 33.8%，yoy 19.6pcts，qoq 21.6pcts。（净利率大幅提升主因前期与子公司股息相关的递延所得税负债减少）图表 18：三星电子 2022 年及 2022 年 Q4 业绩 资料来源：三星电子，国盛证券研究所 基于 2022 年全年公司分产品业绩：1）DRAM：22Q4 ASP 下降了 30%，预计 23Q1 DRAM 市场出现低个位数下降，公司与市场保持同步。2）NAND：22Q4 ASP 下降了 20%，预计 23Q1 NAND 市场出现中个位数下降，公司表现略优于市场水平。3）出货量：移动端，22Q4 智能手机出货量为 5800 万部，ASP 为 240 美元，平板电脑 2023 年 04 月 11 日 P.14 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 出货量为 800 万部；预计 23Q1 智能手机出货量和 ASP 将上升，但平板电脑出货量将下降；电视端，22Q4 液晶电视销量增长了 15%，预计 23Q1 销量将下降 10%。3.海力士海力士 2022 全年业绩收入 44.65 万亿韩元，yoy 4%；营业利润 7.01 万亿韩元，yoy-44%；营业利润率 16%，yoy-13pcts；净利润 2.44 万亿韩元，yoy-75%。2022Q4 业绩收入 7.70万亿韩元，yoy-38%，qoq-38%；营业亏损 1.70 万亿韩元，上年同期为盈利 4.20 万亿韩元；营业利润率-22%，上季度为 15%，去年同期为 34%；净亏损 3.52 万亿韩元，上年同期为净盈利 3.32 万亿韩元。图表 19：海力士 FY2022 业绩 资料来源：海力士，国盛证券研究所 分产品业绩分产品业绩 1）NAND：NAND 产品在 2022Q4 收入为 2.39 万亿韩元，占 2022Q4 公司总收入 31%。从应用上来讲，SSD&Mobile 共占 NAND 的应用收入的 90%，USB，Card 和其他的应用占剩余的 10%。2）DRAM：DRAM 产品在 2022Q4 收入为 4.62 万亿韩元，占 2022Q4 公司总收入 60%。3）从 应 用 上 来 讲，Server 占 DRAM 的 应 用 收 入 的 50%，PC 占 20%，Graphics,Consumer&Mobile 占应用收入的剩下 30%。图表 20：海力士分产品业绩说明 资料来源：海力士，国盛证券研究所 2023 年 04 月 11 日 P.15 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 4.海外公司海外公司资本开支：资本开支：1）美光：美光：率先宣布将削减投资计划。之前美光已大幅削减资本开支，2023 年第二财季将进一步削减 2023 财年资本开支，目前预计投资约 70 亿美元，同比下降 40%，同时芯片设备方面的支出削减最多达 50%，以放缓供应增长。2）三星电子：三星电子：公司表示由于全球经济疲软以及客户专注于用完库存而放缓采购，内存需求急剧下降，从而进一步影响了行业定价及公司业绩。基于现有供给保障，公司将把存储芯片的产量降到一个较为平衡的水平。我们认为，公司相较之前减产态度有所改变，短期内或有望削减生产计划，但长期来看公司也将对基础设施及研究进行长期投资，以确保其行业领先地位。3）海力士：海力士：相比 2022 年海力士由于经济周期下行、设备交期等因素及芯片供给过剩，9 月底开始对设备商进行砍单。据韩媒 BusinessKorea 报道，公司 2022 年资本支出 19万亿韩元，2023 年将大幅缩减资本支出 50%。公司预期 2023 年 H2 整体存储行业需求端或将复苏，但资本支出削减有助于公司灵活经营业务。美光、三星、海力士对于行业价格及景气度预估将在 23 年 H2 恢复，各家公司减产及缩减资本开支有利行业快速触底反弹。我们认为，行业周期属性显著，缩减资本开支是周期的一部分，可以有效改善供需错配关系，优化行业格局和过剩产能，同时推动行业从周期底部向上修复。5.中国网信网公告对美光公司在华销售进行安全审查中国网信网公告对美光公司在华销售进行安全审查 根据 2023 年 3 月 31 日，中国网信网公告，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据中华人民共和国国家安全法中华人民共和国网络安全法，网络安全审查办公室按照网络安全审查办法，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。国产化存储产业链迎来布局时刻。国产化存储产业链迎来布局时刻。我们认为，随我国存储产业布局逐步完善，国内将对美光及一部分国外公司的依赖度将逐渐降低，国内存储产业链公司有望快速崛起。1）AI 服务器带来存力硬件需求上行：根据美光数据测算，人工智能服务器中 DRAM 内容是普通服务器的 8 倍，NAND 内容将是普通服务器的 3 倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2）库存边际改善，价格修复在即：美光 2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美金，同比下降 2.75%，有望持续改善。AI 服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据 TrendForce 数据，美光及 SK 海力士在内的部分供应商已启动 DRAM 减产计划，2023 年第二季度 DRAM 价格跌幅将收窄至 10%到 15%。3）国产化存储产业链迎来布局时刻：国内存储产业链多元化布局，2023 年有望完成产品结构快速升级。2023 年 04 月 11 日 P.16 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 二、二、DRAM：周期轮动，价格底部周期轮动，价格底部 2.1 DRAM：强周期属性：强周期属性，高垄断格局，高垄断格局 DRAM 系存储器第一大产品，占比全球储存市场 53%的市场份额。DRAM 属于易失存储器，多用于 cpu 和图像系统缓存的临时数据存储，若断电则存储数据会丢失。DRAM 产品缓存空间越大则可同时处理和储存的数据也相应更多，系电子设备不可或缺的组成部分。图表 21：全球存储器细分市场结构占比 资料来源：中商产业研究院，国盛证券研究所 复盘复盘 DRAM 历史周期变化情况，市场波动剧烈，周期历史周期变化情况，市场波动剧烈，周期属性属性较强较强。在过去 30 年中，DRAM市场经历过若干轮的惊人增长和毁灭性崩溃。2021年DRAM行业迎来42%的高速增长，而根据 IC Insight 预计，2022 年 DRAM 行业增速转而下降 18%。图表 22：DRAM 市场波动剧烈 资料来源：IC Insights，国盛证券研究所 波动上升，市场规模呈增长趋势。波动上升，市场规模呈增长趋势。DRAM 系千亿美金大市场，下游覆盖消费、PC、服务全球存储细分市场结构占比DRAMNANDNOR其他 2023 年 04 月 11 日 P.17 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 器等众多领域，行业规模在周期轮动中不断上升。根据 IC Insight，2011 年全球 DRAM市场规模为 296 亿美金，而 2022 年全球 DRAM 市场规模将达 758 亿美金，CAGR 达8.9%。图表 23：DRAM 全球市场规模 资料来源：IC Insight，国盛证券研究所 DRAM 下游应用主要在智能手机、PC 以及服务器三大领域，美国和中国系前两大市场。2021 年 DRAM 第一大应用领域智能手机占比 39%，第二大应用领域服务器占比 34%，PC 端整体出货量同比 2020 年增长 14.8%，但受核心配件价格高涨和办公需求萎缩的影响，整体占比下降，仅为 13%。从区域分布看，美国和中国系 DRAM 前两大市场，2019年合计份额超 70%。图表 24：2021 年全球 DRAM 下游应用分布（%）图表 25：2019 年全球 dram 区域分布占比情况（%）资料来源：华经情报网，国盛证券研究所 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 强周期属性大浪淘沙，集中度不断提升。在经历“需求提出需求提出-供不应求供不应求-价格上涨价格上涨-产能产能扩扩张张-供给供给过剩过剩-价格下跌价格下跌-重新洗牌重新洗牌”的多轮周期往复后，当前全球 DRAM 厂商形成了以三星电子（韩国）、SK 海力士(韩国)和美光(美国)三大巨头垄断的局面。2021 年全球市场份额中，三星、海力士、美光合计份额占比达 94%。020040060080010001200201120122013201420152016201720182019202020212022EDRAM市场规模（亿美元）2021年全球DRAM下游应用分布智能手机服务器PC其他2019年全球DRAM区域分布占比情况美国中国欧洲日本其他 2023 年 04 月 11 日 P.18 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 26：2021 年 DRAM 市场格局 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 DDR 技术不断演进，行业对于产品性能、内存容量和功耗的追求也越来越高，标准工作电压越来越低，芯片容量越来越大，同时 IO 速率也越来越高。从最早的 128Mbps 的 DDR发展到了如今的 6400Mbps 的 DDR5，每一代 DDR 产品的发布都伴随着数据传输速率的翻倍增长。图表 27：各代 DRAM 产品情况 资料来源：半导体行业观察，国盛证券研究所 DRAM 产品中，产品中，DDR4 系当前主流，系当前主流，DDR5 接力入场。接力入场。DRAM 产品有明显的新产品逐步取代老产品的趋势，老款 DRAM 逐步转为利基型 DRAM 直至停产淘汰。第一代 DDR 产品已停产，DDR2 在 2010 年占比高达 30%，而到了 2020 年仅占 1%，应用于利基市场。当前 DRAM 市场 DDR4 系主流，2020 年占比达 78%左右。根据 Yole，两代内存之间的过渡时间大约只需要两年，这意味着到 2023 年，DDR5 内存的市场份额将高于 DDR4。而到 2026 年，DDR4 份额或将降至 5%以下。全球DRAM市场格局（%）三星海力士美光南亚其他DRAMDRAM历代名称历代名称发行年份发行年份BUS频率BUS频率(MHZ)(MHZ)资料传资料传输速率输速率(MT/s)(MT/s)工作电压工作电压(V)(V)记忆体记忆体TopologyTopologyPrefetchPrefetch记忆体记忆体连结形式连结形式SDRAMSDRAM1993100-166100-1663.3T-Branch1n多重分支DDRDDR2000133-200266-4002.5T-Branch2n多重分支DDR2DDR22003266-400533-8001.8T-Branch4n多重分支DDR3DDR32007533-8001066-16001.5Fly-by8n多重分支DDR4DDR420141066-16002133-32001.2Fly-by8n点对点DDR5DDR520191600-32003200-64001.1Fly-by16n点对点 2023 年 04 月 11 日 P.19 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 28：全球 DRAM 市场结构拆分 图表 29：DRAM 的分支与演进 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 资料来源：半导体行业观察，国盛证券研究所 2.2 行业寒冬，周期视角下的底部行业寒冬，周期视角下的底部 2.2.1 供需端供需端：需求短期需求短期等待修复等待修复，DRAM 厂商难逃行业寒冬厂商难逃行业寒冬 2022 年年供需供需位元差加大位元差加大，供大于求困局供大于求困局未破未破。根据 TrendForce，2023 年 DRAM 市场需求位元成长率为 8.3%，系近年来首次低于 10%，远低于供给位元成长的 14.1%。因此2023 年的 DRAM 市场在供过于求的情势或愈演愈烈，供大于求仍是当前困局。图表 30：供需位元状况及预测（%）资料来源：Trendforce，国盛证券研究所 下游需求疲软，下游需求疲软，DRAM 市场规模连续多季度萎缩市场规模连续多季度萎缩。2022 年疲弱的经济状况和高通胀率降低了全球范围内个人电脑、智能手机和其他消费电子产品的需求，DRAM 需求也因此下降。预计 2022 年下半年 DRAM 销售额将下降-40%至 293 亿美元，而 2022 年上半年销售额达 490 亿美元。同时，根据 CFM 闪存市场，三季度存储市场规模环比大跌 29.72%至 177.64 亿美元，创 10 个季度新低，预计 2022 年 Q4 市场规模将进一步环比下跌。全球DRAM市场结构拆分DDR4及以上DDR3DDR2DDR10%5 %-4%-3%-2%-1%0%1%2%3%4%5%6%7 182019202020212022E2023F供需位元差Supply Bit GrowthDemand Bit Growth 2023 年 04 月 11 日 P.20 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 31：DRAM 市场营收半年度情况 图表 32：DRAM 全球市场规模季度变化 资料来源：科技号，国盛证券研究所 资料来源：CFM 闪存市场，国盛证券研究所 2022 年 Q4 多厂商业绩下行，行业平均下跌达 30%。三星：2022 年 Q4，DRAM 销售收入达 54.05 亿美元，环比减少 23.6%，市场份额为44.5%。DRAM Bit 出货量环比高个位数增长，ASP 环比下跌超 30%。SK 海力士：2022 年 Q4，DRAM 收入达 34.07 亿美元，环比减少 35.3%，DRAM 出货量环比持平，ASP 下跌超 30%。美光：2022 年 Q4，DRAM 收入为 28.29 亿美元，环比下跌 41.2%，DRAM Bit 出货量环比下降约 25%，DRAM ASP 环比减少 20%以上。南亚科技：2022 年 Q4，DRAM 收入环比减少 30.3%至 2.53 亿美元。华邦电子:2022 年 Q4，DRAM 收入环比减少 29.8%至 1.06 亿美元。图表 33：2022 年 Q4 各原厂 DRAM 营收排名(百万美元)资料来源：CFM 闪存市场，国盛证券研究所 -40%-30%-20%-10%0 0010015020025030020Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q1EDRAM全球市场规模季度变化（亿美元）同比（%）排名排名公司公司DRAM销售收入（百万美元）DRAM销售收入（百万美元）市场份额市场份额环比环比1三星540544.5%-23.6%2海力士340728.0%-35.3%3美光282923.3%-41.2%4南亚2532.1%-30.3%5华邦电子1060.9%-29.8%其他1551.3%-27.1%总计12155100%-31.8 23 年 04 月 11 日 P.21 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 2.2.2 价格端价格端：高水位库存高水位库存 低需求市场，降价持续低需求市场，降价持续 库存端，以美光各季库存进行追踪，自 2021 年 Q1 开始，公司库存逐步进入下降通道，至 2021 年 Q4 达到底部。自此开始，受下游需求疲软影响，公司库存水位逐步增加，至2023Q1，公司库存水位已达近三年最高点，为 81.29 亿美元，环比 2022 年 Q4 增幅超18%。高库存水位下，各厂商去库存压力迫在眉睫，同时叠加需求疲软，直接导致 DRAM市场产品价格大幅下跌。图表 34：美光各季度库存（亿美元）资料来源：wind，国盛证券研究所 供需对峙供需对峙下下，存储厂商存储厂商唯有降价唯有降价。根据 Trendforce，2023 年 Q1 下游各领域产品价格均有超过 10%的下降。目前来看，PC 制造商仍有 9 至 13 周的 DRAM 库存等待消化，但移动设备领域的库存水平相对健康，不过定价仍预计要下降 10-15%。由于消费者对 DRAM的需求低迷，供应商将销售的目光投向了服务器方面，然而这却导致服务器 DRAM 库存的大量堆积。图表 35：DRAM 产品价格变动预测 资料来源：TrendForce，国盛证券研究所 考虑到 DRAM 主流产品和利基产品的定位、单价和格局等不尽相同，我们对 DRAM 价格分主流产品和利基产品两大类进行跟踪。主流产品：主流产品：现货和合约价均下跌。现货和合约价均下跌。合约价：以合约价：以 DDR4 8Gb 1Gx8 2133Mbps(基于 8G 存储)为例，在经历 2022 年 10 月份合约平均价稳定后，至 2023 年 1 月价格进一步下跌至 1.81 美元，月度环比跌幅约 22%。01020304050607080902019Q12019Q32020Q12020Q32021Q12021Q32022Q12022Q32023Q1美光科技库存（亿美元）1Q23E2Q23FPC DRAMDDR4:down 15-20R5:down 18-23R4:down 8-13R5:down 10-15%Blended ASP:down 10-15%Server DRAMDDR4:down 20-25R5:down 23-28%Blended ASP:down 20-25R4:down 13-18R5:down 15-20%Blended ASP:down 13-18%Mobile DRAMdown 13-18%down 10-15%Graphics DRAMdown 18-23%down 10-15%Consumer DRAMdown 18-23%down 10-15%Total DRAMdown-20%down 10-15 23 年 04 月 11 日 P.22 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 现货价：现货价：以 DDR4 16G(2G*8)2666 Mbps 和 DDR4 8G(1G*8)2666 Mbps 为例，整体下跌趋势延续已久，进入 2023 年主流现货平均价跌幅趋缓，但仍未见反弹。截至 2023 年 4 月 6 日，以上所述的 16GB 和 8GB 产品现货价格分别为 3.21 美元和1.65 美元。图表 36：DRAM 主流合约平均价（美元）图表 37：DRAM 主流现货平均价（美元）资料来源：wind，DRAMexchange，国盛证券研究所 资料来源：wind，DRAMexchange，国盛证券研究所 利基产品：利基产品：价格仍在探底价格仍在探底。合约价合约价：DDR4：我们以 DDR4 4Gb 256Mx16 为例。下跌未见放缓趋势，截至 2023 年 2 月底产品价格为 1.24 美元，月度环比跌幅约 4.6%。DDR3:我们以 DDR3 4Gb 256Mx16 为例。与 DDR4 利基产品同样保持下探趋势，截至 2023 年 2 月底产品价格为 1.30 美元，月度环比跌幅约 5.7%。现货价：现货价：我们以 DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 产品为例，现货价格已至上一轮周期底部，利基市场主要面向存储速度性能不太高的市场，上一轮 DDR3 周期价格上行系三星、海力士等龙头厂商为准备利润更高的 DDR5 生产，逐步淘汰 DDR3 产能，导致 DDR3 短期内供需失衡所致。同样，在本轮的 DDR3 价格下行周期中，三星放缓 line13 的 DDR3 产能转换至 CIS，也给供给端带来更多压力。本轮底部区间，在行业面临寒冬，下游需求疲软，供给过剩的背景下，价格反弹压力较大。0123452020-11-30 2021-05-31 2021-11-29 2022-05-31 2022-11-30合约平均价:DRAM:DDR4 8Gb 1Gx8 2133Mbps(基于8G存储)合约平均价:DRAM:DDR4 8Gb 1Gx8 2133Mbps(基于8G存储)01234567892021-08-022021-08-302021-09-292021-10-272021-11-242021-12-222022-01-192022-02-232022-03-232022-04-222022-05-232022-06-212022-07-192022-08-162022-09-132022-10-112022-11-082022-12-062023-01-032023-02-072023-03-072023-04-04现货平均价:DRAM:DDR4 16G(2G*8)2666 Mbps现货平均价:DRAM:DDR4 8G(1G*8)2666 Mbps 2023 年 04 月 11 日 P.23 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 38：利基合约平均价（美元）图表 39：利基现货平均价（美元）资料来源：wind，DRAMexchange，国盛证券研究所 资料来源：wind，DRAMexchange，国盛证券研究所 三、三、NAND Flash:市场有望快速修复市场有望快速修复 NAND Flash 作为非易失性存储，被广泛应用在下游设备资料储存的应用领域。NAND Flash 从特性来看断电后不会丢失储存信息特征，在生产过程中主流产品已具备规模化、标准化的能力，同时容量大、价格较低，现阶段作为主流的储存介质，被广泛的应用于智能手机领域、笔电领域、服务器领域及汽车领域等。从微观结构基本构成来看，NAND Flash 的结构从小到大分别为 cell-line-page-block-plane-die。例如三星型号为 K9K8G08U0A 的 Nand Flash，其内部有两个 K9F4G08U0A的 chip，chip#1 和 chip#2，每个 K9F4G08U0A 的 chip 包含了 2 个 Plane，每个 Plane是 2Gb bit，所以 K9F4G08U0A 的大小是 2Gb2=4Gb=512MB，因此，K9K8G08U0A内部有 2 个 K9F4G08U0A，或者说 4 个 Plane，总大小是256MB1GB。图表 40：Flash 储存位元结构 图表 41：NAND Flash 基本构成 资料来源：与非网，国盛证券研究所 资料来源：与非网，国盛证券研究所 通过下游领域划分，其最终储存介质的出货形态划分以 eMMC/UFS（主要应用在移动设备）、SSD（主要应用在服务器和 PC）产品为主，及 SD/闪存盘（移动储存 SD 卡及 U 盘）为辅的产品设备中。在移动设备领域，相较于 eMMC 的封装形式，UFS 封装的闪存有着00.511.522.532020-11-302021-05-312021-11-292022-05-312022-11-30合约平均价:DRAM:DDR4 4Gb 256Mx16合约平均价:DRAM:DDR3 4Gb 256Mx1600.511.522.533.542019-01-022019-03-152019-05-232019-07-302019-10-042019-12-102020-02-212020-04-282020-07-072020-09-102020-11-182021-01-252021-04-082021-06-152021-08-192021-10-272021-12-312022-03-152022-05-242022-07-292022-10-042022-12-082023-02-20现货平均价:DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz现货平均价:DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 2023 年 04 月 11 日 P.24 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 更高的写入速度，更好的性能。智能手机端从 eMMC 发展现阶段 UFS3.1 规格储存，读写速度进一步提升，远超于 eMMC 几倍的速率。SSD 产品则依据下游应用场景对容量和速度的要求部分，分为消费级、数据中心级和企业级固态硬盘。图表 42：嵌入式存储性能情况 资料来源：三星，国盛证券研究所 根据闪存市场 CFM 数据，2021 年 NAND Flash 市场容量达到 5700 亿 GB，预计 2022 年将增长 30%，达到 7410 亿 GB。其中，2021 年 NAND Flash 主要以应用于 mobile 市场的 UFS、eMMC、eMCP 和 uMCP 产品为主的嵌入式存储产品，和应用于 PC 等消费类渠道市场的 cSSD、以及应用于服务器市场的 eSSD 产品为主，占比分别为 39%、25%和22%。根据 Trendforce 的数据统计，未来到 2023 年，智能手机板块的需求将小幅度上涨，而服务器的需求将大幅上涨，与此形成对应的则是在 PC 端的需求小幅下降。图表 43：NAND Flash 出货形态应用情况 图表 44：2020-2023 年全球 NAND 闪存颗粒下游市场格局 资料来源：闪存市场 CFM，国盛证券研究所 资料来源：Trendforce，国盛证券研究所 0 0Pp0 2020212022EMobilecSSDeSSD储存卡/UFD其他0 0Pp0 202023EPC服务器手机游戏控制其他 2023 年 04 月 11 日 P.25 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 3.1 NAND Flash 市场规模持续增长市场规模持续增长 根据中金企信统计数据，NAND Flash2020 年市场规模为 534.1 亿美元，预计到 2025 年，全球 NAND Flash 市场规模讲达到 931.9 亿美元，2021 年至 2025 年，CAGR 增速 7.4%。随着 PC 及智能手机平均储存容量的上升，及工业设备、传感器、汽车系统和医疗系统等设备中，人工智能和机器学习对海量数据处理需求增长，基于 NAND Flash 的储存趋势也将继续发展。图表 45：2016-2025 年全球 NAND Flash 市场规模预测 资料来源：中金企信国际咨询，国盛证券研究所 NAND Flash 技术一直基于二维平面的 NAND 技术，也就是我们说的 2D NAND 闪存。2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3D NAND 成为发展主流。根据 International business strategies 数据显示，2019 年，3D NAND 的渗透率为 72.6，已远超 2D NAND，且未来仍将持续提高，预计 2025 年 3D NAND 将占闪存总市场的 97.5。图表 46：全球 2D/3D NAND Flash 市场收入占比 资料来源：International business strategies，国盛证券研究所 -40%-30%-20%-10%0 0P002003004005006007008009001000201620172018201920202021E2022E2023E2024E2025E市场规模（亿美元）YoY（%）2023 年 04 月 11 日 P.26 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 3.2 等待等待下游需下游需求恢复，价格欲将企稳修复求恢复，价格欲将企稳修复 3.2.1 供供需需端端:产业链进一步集中产业链进一步集中，供需逐渐修复，供需逐渐修复 NAND Flash 寡头地位逐步增强，根据 Trendforce 数据显示，CR6 包括三星、铠侠、西部数据、美光、英特尔、海力士总体市场规模占比约 99%，其中三星、铠侠、西部数据三家行业龙头，约占比 70%的市场份额，在市场上有较大的影响力。图表 47：NAND Flash 行业格局 资料来源：Trendforce，国盛证券研究所 根据 Trendforce 数据的预测，预计受益于下游新增需求的快速发展，NAND Flash 的需求量也会有增长趋势。从行业供给格局来看，三星依旧占领较大的市场份额，但还未形成绝对的寡头地位，且国内公司长江储存也将持续发展，有望进一步提升市场份额。图表 48：等效 12”NAND Flash 产能情况（千片/月）资料来源：TrendForce，国盛证券研究所 2022 年 10 月 25 日，存储芯片大厂铠侠(Kioxia)和西部数据(Western Digital)在日本庆祝0 0Pp0 18Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q4三星铠侠西部数据美光英特尔海力士其他02004006008001000120014001600180020001Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q22E1Q23F2Q23F3Q23F4Q23FSamsungKioxia/WDCSK hynixSolidigm（Intel）MicronYMTCothers 2023 年 04 月 11 日 P.27 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 位于四日市最先进制程晶圆厂 Fab7 完工。此 Fab7 晶圆厂第一期的总投资约为 1 万亿日元(约合人民币 487.97 亿元)，具备生产第六代 162 层 NAND Flash 闪存和未来更先进 3D NAND Flash 闪存的能力，计划于 2023 年初开始出货 162 层 NAND Flash 闪存。头部厂商已正逐步覆盖 3D NAND 236 及 256 层甚至更高叠层工艺制程，持续技术迭代更新。图表 49：NAND Flash 厂商技术路径汇总 资料来源：全球半导体观察，国盛证券研究所 NAND Flash 需求端受到全球人工智能和机器学习对海量数据处理，其市场规模正快速增长。而 NAND Flash 主要覆盖的下游应用设备为手机、服务器、PC 及车载工控等，我们认为，手机及 3C 产品的储存容量和硬盘搭载率提升将推动 NAND Flash 需求量持续增高。对于服务器设备，云端储存及处理数据场景越发增长，服务器需求量及单设备搭载量同样推动 NAND Flash 市场的需求量提升。除此传统需求领域外，随着车载智能化的逐步提升，车载 NAND Flash 市场也有望迎来高速增长。1)手机及传统手机及传统 3C 产品，产品，NAND 单机搭载量提升单机搭载量提升 近十年，智能手机作为成熟市场，每年全球手机出货维持在 11 至 13 亿部左右，保持稳定波动。而随手机智能化水平越发提升，其摄影摄像功能、高清显示功能及各类多功能软件所消耗的储存空间持续增长，用户对于手机的储存空间越发增加。智能手机市场对应 Flash 市场的增长逻辑，主要来源于单机搭载量的持续提升。2023 年 04 月 11 日 P.28 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 50：全球智能手机季度出货量 资料来源：IDC，国盛证券研究所 根据 Counterpoint 数据显示，2020 年智能手机 NAND 闪存平均容量首次突破 100GB 大关。在 iOS 和 Android 手机中有所不同。在 iOS 手机中，2020 年第四季度的平均 NAND容量达到 140.9GB，而同期 Android 手机的平均容量为 95.7GB。Android 手机的平均容量在过去几年中一直在快速增长。2020 年 iOS 和 Android 手机的平均容量分别增长了5.6%和 20.5%。同时根据 Trendforce 数据显示，预估 2023 年智能手机 NAND Flash 单机搭载容量年成长仍能维持 22.1%。我们认为，IPhone 产品组合仍全线往更高容量 1TB靠拢；Android 高端机种也跟进将 512GB 做为标准配备，中低端机储存空间则随硬件规格持续升级而提高，因此整体平均容量仍有增长空间。图表 51：智能手机 NAND 闪存平均容量（GB）资料来源：Counterpoint，国盛证券研究所 全球 PC 市场（包括笔电、桌面 PC、工作站等）在 2020-2021 年期间迎来强换机周期且居家办公刺激需求端提前消费，根据 IDC 数据统计，2021 年全球 PC 出货量达 3.46 亿-20%-15%-10%-5%0%5 %001001502002503003504004505002016Q12016Q22016Q32016Q42017Q12017Q22017Q32017Q42018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q4全球手机出货量（百万台）YoY（%）2023 年 04 月 11 日 P.29 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 台。2022 年需求迎来疲软态势，根据 IDC 数据预测，2022 年整体出货量将下滑至 2.93亿台，同比降低 15.2%。另外，由于消费市场需求减缓，教育市场也获基本满足，及因经济状况弱化同样使商用市场需求遭到挤压。根据 IDC 数据预测，预计 2023 年全球 PC 市场将进一步萎缩。PC 加上平板电脑的整体市场预估 2023 年下降 2.6%，预计在 2024 年恢复成长。图表 52：全球 PC 季度出货量 资料来源：IDC，国盛证券研究所 根据 IDC 数据，由于 2020-2021 年受到居家办公的提前消费影响，平板电脑（包括二合一的可拆卸式平板在内）市场在 2020/2021 年出货量达到 1.65/1.69 亿部，同比增长13.8%/2.4%。但随 2022 年消费逐步疲软，根据 IDC 数据，2022 年全球出货量同比下滑 3.6%至 1.63 亿台。图表 53：全球平板电脑年度出货量 资料来源：IDC，国盛证券研究所 -40%-30%-20%-10%0 0Pp020304050607080901002018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q4全球PC季度出货量（百万台）YOY（%）-20%-15%-10%-5%0%5 .511.522.520152016201720182019202020212022全球平板年度出货量（亿台）YoY（%）2023 年 04 月 11 日 P.30 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 PC 及移动平板电脑作为存量市场，整体年度出货量波动不大，基本维持亿部的出货量。近些年随电脑固态硬盘替代传统硬盘趋势及单机储存量提升，其中SSD搭载率有所提升。据中国闪存市场 ChinaFlashMarket 数据，预计到 2018 年 SSD 240GB 价格与 1TB HDD同价的，在笔记本电脑上的搭载率将达到 52%。到 2019 年 SSD 480GB 价格与 1TB HDD同价的时候，在笔记本电脑上的搭载率将达到 65%以上。另外，消费类 SSD 在零售渠道市场每个月也有 200 万片硬盘升级 SSD 的出货量。图表 54：SSD 在电脑市场搭载率（%）资料来源：中国闪存市场，国盛证券研究所 据中国闪存市场数据显示，2020 年笔记本市场 SSD 的搭载率已经高达 80%，且 512GB SSD 出货量大幅增加。其中价位更加低廉的中低端市场是其成长驱动力。图表 55：SSD 近三年在台式机及笔电搭载率（%）资料来源：中国闪存市场，国盛证券研究所 2)AI 带动带动服务器及云端数据储存服务器及云端数据储存有望快速放量有望快速放量，进一步进一步推动推动 NAND Flash 需求需求 云计算时代市场的快速增长，云储存、云计算的数据量不断提高。在数字化时代的发展下，随工作量的云上迁移和云本地应用的加速开发，在移动互联网技术不断迭代升级的背景下，全球数据量呈现爆发式增长。根据 IDC 数据显示，全球数据储量由 2016 年的16ZB 增长至 2021 年的 54ZB，复合年均增长率为 27.5%，随着数字经济的不断发展，预计 2022 年全球数据储量将达 61ZB。0 0Pp 15201620172018201920202021SSD在电脑市场搭载率（%）0 0Pp 1920202021台式机搭载率（%）笔电搭载率（%）2023 年 04 月 11 日 P.31 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 56：全球数据储存量情况（ZB）及增速 资料来源：IDC，国盛证券研究所 根据 Omdia 数据，云数据及企业级数据储存需求将在 2026 年达到 5255 亿每 GB 当量，2021 年至 2026 年，CAGR 将达到 33.0%。图表 57：云数据及企业级数据储存需求（百万/GB）资料来源：Omdia，国盛证券研究所 3)车载车载 NAND Flash 有望受汽车智能化持续增长有望受汽车智能化持续增长 2022 年全球新能源汽车销量突破千万。根据 Clean Technica 数据，2022 年全球新能源汽车销量突破千万达 1009.12 万辆，占整体汽车市场 14%份额，其中比亚迪以 184.77万辆的全年销售数据获得全球销量冠军。根据中国汽车工业协会数据，2023 年 1 月和 2月我国新能源汽车月度销量分别为 40.78 万辆和 52.50 万辆，由于 1-2 月为汽车销量传统淡季，2023 年 1 月与 2 月销量与 2022 年 12 月 81.38 万辆的月销量相比仍有差距。后续随着汽车电动化进程不断深化，我们认为全球范围内新能源汽车销量将会维持高速增长态势。0 0P02030405060702016201720182019202020212022E全球数据储存量（ZB）YoY（%）010000020000030000040000050000060000020212022E2023E2024E2025E2026E云数据及企业级需求 2023 年 04 月 11 日 P.32 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 58：2022 年全球新能源汽车销量（分企业，万辆）图表 59：中国新能源汽车月销量（辆）资料来源：Clean Technica，国盛证券研究所 资料来源：中国汽车工业协会，Wind，国盛证券研究所 根据 IDC 及 IHS 数据显示，车用 DRAM 和 NAND 市场规模将从 2020 年的 20.4 亿和 12.6亿，增长到 2025 年的 85 亿美元和 61 亿美元，预计年复合增长率为 33%和 37%。车规级 NAND Flash 需要符合 AEC-Q100 等车规标准，随着汽车行业智能化、网联化的演进，与 SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即服务）得以实现，市场对车载存储的程序和处理的数据量提出更多的新需求。车用存储芯片规模成长的驱动因素，主要为三个方面，首先为智能座舱产生巨量数据交互，其次是 ADAS 系统及车载娱乐系统。随着自动驾驶的普及及自动驾驶等级的提升（L2L5），会产生大量的道路和环境数据，用于收集车辆运行和周边环境数据的各类传感器也会越来越多，包括摄像头、毫米波雷达、激光雷达等，根据安全和功能需要对数据进行处理和保存，从而产生了大容量 NAND 存储的需求。英特尔估计，自动驾驶汽车每天将产生 4000GB 的数据量，即再低等级的自动驾驶车辆也需要大量车载数据存储。根据 Semico Research 数据显示，L1/L2 级别的自动驾驶需要 8GB 的 NAND 容量，而 L3为 256GB，到 L5 的时候需要 1TB，自动驾驶技术升级对 NAND 需求呈现指数级的增长。3.2.2 价格端价格端：环比下降收窄，价格将逐步企稳环比下降收窄，价格将逐步企稳 考虑到 NAND Flash 主流产品和利基产品的定位、单价和格局等不尽相同，我们对 NAND Flash 价格分主流产品和利基产品两大类进行跟踪。主流价格：现货价增长后企稳，合约价自 2022 年 6 月开始下跌。现货价：以 MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）为例，经历 2022 年 4 月涨价后，价格逐步企稳跌幅趋缓。截至 2023 年 4 月 7 日，以上两款64Gb 和 32Gb 价格分别为 3.85 美金和 2.13 美金。020406080100120140160180200比亚迪特斯拉上汽通用五菱大众宝马奔驰广汽上汽长安奇瑞起亚吉利现代东风沃尔沃奥迪哪吒福特理想标致2022年全球新能源乘用车分企业销量情况（万辆）01000002000003000004000005000006000007000008000009000002018-012018-052018-092019-012019-052019-092020-012020-052020-092021-012021-052021-092022-012022-052022-092023-01中国新能源汽车月销量（辆）2023 年 04 月 11 日 P.33 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 60：MLC NAND Flash 芯片现货平均价（美金）资料来源：DRAMexchange，WIND，国盛证券研究所 合约价：以 MLC NAND Flash 128Gb（16Gx8）、MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）三款为例，从 2021 年 7 月价格稳定后，在 2022 年 6 月开始出现价格下降，截至 2023 年 2 月 24 日，以上三款合约价分别为 4.14/2.98/2.59 美金。图表 61：MLC NAND Flash 芯片合约价平均价（美金）资料来源：DRAMexchange，WIND，国盛证券研究所 00.511.522.533.544.52018-01-2018-02-2018-04-2018-05-2018-07-2018-08-2018-10-2018-12-2019-01-2019-03-2019-05-2019-06-2019-08-2019-09-2019-11-2019-12-2020-02-2020-04-2020-05-2020-07-2020-08-2020-10-2020-11-2021-01-2021-03-2021-04-2021-06-2021-07-2021-09-2021-10-2021-12-2022-01-2022-03-2022-05-2022-06-2022-08-2022-09-2022-11-2022-12-2023-02-NAND Flash:64Gb 8Gx8 MLCNAND Flash:32Gb 4Gx8 MLC01234562018-01-312018-03-302018-05-312018-07-312018-09-282018-11-302019-01-312019-03-292019-05-312019-07-312019-09-302019-11-292020-01-302020-03-312020-05-292020-07-312020-09-302020-11-302021-01-292021-03-312021-05-312021-07-302021-09-302021-11-302022-01-282022-03-312022-05-312022-07-292022-09-302022-11-302023-01-31NAND Flash:NAND 128Gb 16Gx8 MLCNAND Flash:NAND 64Gb 8Gx8 MLCNAND Flash:NAND 32Gb 4Gx8 MLC 2023 年 04 月 11 日 P.34 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 四、存储创新技术适配四、存储创新技术适配 AI 快速发展快速发展 4.1 HBM 突破突破技术技术瓶颈，逐渐凸显应用价值瓶颈，逐渐凸显应用价值 4.1.1 HBM 堆叠技术堆叠技术进一步提高进一步提高传输速率传输速率 高带宽存储器（英文：High Bandwidth Memory，缩写 HBM）是三星电子、超微半导体和 SK 海力士发起的一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，用于图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）等。HBM 主要是通过硅通孔（Through Silicon Via，简称“TSV”）技术进行芯片堆叠，以增加吞吐量并克服单一封装内带宽的限制，将数个 DRAM 裸片像楼层一样垂直堆叠。图表 62：各代 HBM 产品的传输路径配置 资料来源：半导体行业行业观察，国盛证券研究所 HBM 有两个核心特征：1）DRAM 颗粒以 3D 封装方式垂直摆放。2）3D DRAM 与 GPU/CPU 通过 interposer 合封，实现直接连接。这两个技术特征，目的是解决传统 DRAM 与 CPU/GPU 通过主板（Motherboard）连接的信号延迟与电磁干扰。2023 年 04 月 11 日 P.35 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 63：HBM 内存堆叠示意图 资料来源：AMD，国盛证券研究所 HBM 对比其他 DRAM 内存（如 DDR4 或 GDDR6）相比，拥有较宽内存总线。一个 HBM stack 由 4 个 DRAM die（4-Hi）堆叠而成，并拥有 8 个 128 位信道（每个 die 上 2 个），总宽度为 1024 位。因此，具有四个 4-Hi HBM stack 的 GPU 将拥有 4096 位宽度的内存总线。相比之下，GDDR 存储器的总线宽度为 32 位，同样 16 个信道则只具有 512 位存储器接口。HBM 支持每个 package 的容量最多为 4GB。对比第一代 HBM，第二代高带宽存储 HBM2，该标准指定了每个 stack 多达 8 个 die，将 pin 传输速率提高一倍来到 2 GT/s。保留 1024 位宽的存取，HBM2 能够达到每个 package 256GB/s 存储带宽。HBM2规范允许每个 package 容量高达 8GB，其性能也是超于同期 DRAM 内存。图表 64：HBM 2 与其他几种内存方案的参数对比 资料来源：集微网，国盛证券研究所 HBM 技术或将应用于高算力服务器、人工智能计算或是大型密集计算的数据中心。HBM其架构因为使用额外的硅联通层，通过晶片堆叠技术与处理器连接，其封装及工艺难度远大于现有技术，每个 HBM 堆叠都有上千个连接，使得其良率现阶段较现有传统 DRAM较低，同时单产品成本也相对较高。现阶段很难应用到成本敏感度较高的消费电子设备 2023 年 04 月 11 日 P.36 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 中，还是以数据中心服务器及高算力设备等应用为主。但随整体人工智能带动高算力设备的发展，对于存储传输速率的需求将逐步提高，未来或将有利于 HBM 技术的进一步发展。4.1.2 HBM 技术已迅速发展，人工智能将带动技术快速突破技术已迅速发展，人工智能将带动技术快速突破 HBM 技术已经发展了很长时间。在 2013 年推出的高带宽内存（HBM）是一种高性能 3D堆叠 SDRAM 架构，其数据传输速率约为 1Gbps。2016 年发布的 HBM2 继承了前一代产品的特点，每个堆叠包含最多 8 个内存芯片，并将管脚传输速率提升一倍至 2Gbps。HBM2 实现了每个封装 256GB/s 的内存带宽（DRAM 堆叠），支持 HBM2 规格，每个封装最大容量可达 8GB。首款使用高带宽存储器的设备是 AMD Radeon Fury 系列显示核心。2013年10月，高带宽存储器正式被JEDEC采纳为业界标准，第二代高带宽存储器（HBM2）于 2016 年 1 月被 JEDEC 采纳，同时 NVIDIA 在该年发表的新款旗舰型 Tesla 运算加速卡“Tesla P100”，AMD 的“Radeon RX Vega”系列及 Intel 的“Knight Landing”也采用了第二代高带宽存储器。2018 年底，JEDEC 宣布推出 HBM2E 规范，以满足增长的带宽和容量需求。当传输速率提升至每管脚 3.6Gbps 时，HBM2E 可实现每堆叠 461GB/s 的内存带宽。此外，HBM2E支持最多 12 个 DRAM 的堆叠，内存容量最高可达每堆叠 24GB。HBM2E 具备实现巨大内存带宽的能力。连接到一个处理器的四块 HBM2E 内存堆叠将提供超过 1.8TB/s 的带宽。通过 3D 堆叠内存，可在极小的空间内满足高带宽和高容量需求。NVIDIA 最新一代的 SXM4 A100 GPU 采用了 HBM2E 内存。从芯片内部结构图可见，A100计算核心两侧共有 6 个 HBM 内存放置空间。在 SXM4 A100 GPU 发布时，NVIDIA 实际上仅使用了其中 5 个 HBM 内存放置空间，提供 40GB HBM2E 内存容量，这意味着每个HBM2E 内存上堆叠了 8 个 1GB DRAM Die。对于升级版的 80GB SXM4 A100 GPU，每个HBM2E 内存上则采用了 8 个 2GB DRAM Die 进行堆叠。截至 2021 年，SK 海力士和 Rambus 已分别发布了最高数据传输速率为 5.2Gbps 和8.4Gbps 的 HBM3 产品，每个堆叠将提供超过 665GB/s 和 1075GB/s 的传输速率。同一时期，JEDEC 组织正式发布了新一代高带宽内存 HBM3 的标准规范，继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级，具体包括：主接口使用 0.4V 低摆幅调制，运行电压降低至 1.1V，进一步提升能效表现。传输数据率在 HBM2 基础上再次翻番，每个引脚的传输率为 6.4Gbps，配合 1024-bit 位宽，单颗最高带宽可达 819GB/s。如果使用四颗，总带宽就是 3.2TB/s，六颗则可达 4.8TB/s。独立通道数从 8 个翻番到 16 个，再加上虚拟通道，单颗支持 32 通道。支持 4 层、8 层和 12 层 TSV 堆栈，并为未来扩展至 16 层 TSV 堆栈做好准备。每个存储层容量 8/16/32Gb，单颗容量起步 4GB(8Gb 4-high)、最大容量 64GB(32Gb 16-high)。支持平台级 RAS 可靠性，集成 ECC 校验纠错，支持实时错误报告与透明度。2023 年 04 月 11 日 P.37 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 65：HBM 性能演进 资料来源：海力士，国盛证券研究所 2022 年三星也发布器 HBM3 技术产品，在三星发布的路线图中，其单芯片接口宽度可达1024bit，接口传输速率可达 6.4Gbps，相比上一代提升 1.8 倍，从而实现单芯片接口带宽 819GB/s，如果使用 6 层堆叠可以实现 4.8TB/s 的总带宽。图表 66：三星 DRAM Roadmap 资料来源：GizChina，国盛证券研究所 我们认为 2024-2025 年随人工智能算力需求进一步提升，将快速提高对存储器件高带宽的高传输速率要求，2024 年预计在不考虑高级封装技术带来的高多层堆叠和内存宽度提升下，将实现接口速度高达 7.2Gbps 的 HBM3p，从而将数据传输率相比这一代进一步提升 10%，从而将堆叠的总带宽提升到 5TB/s 以上。我们认为，2025 年将看到更多搭载HBM 下一代技术的产品服役于人工智能服及高算力设备中。2023 年 04 月 11 日 P.38 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 67：HBM 技术性能发展 资料来源：CSDN，Rambus，国盛证券研究所 4.2 存算一体存算一体：嵌入计算能力，有效提升：嵌入计算能力，有效提升数据效率数据效率 4.2.1 存算一体，后摩尔时代发展的必然要求存算一体，后摩尔时代发展的必然要求 存算一体（存算一体（Computing in Memory）是在存储器中嵌入计算能力，以新的运算架构进）是在存储器中嵌入计算能力，以新的运算架构进行二维和三维矩阵乘法行二维和三维矩阵乘法/加法运算，即利用存储器对数据进行计算，从而避免数据搬运加法运算，即利用存储器对数据进行计算，从而避免数据搬运产生的“存储墙”和“功耗墙”，提高数据的并行和效率。产生的“存储墙”和“功耗墙”，提高数据的并行和效率。经典冯诺依曼框架下，数据的存储和计算是分开的，处理器和存储器之间通过数据总线进行数据交换。在过去二十年，处理器性能以每年大约 55%的速度提升，内存性能的提升速度每年只有 10%左右。结果长期下来，不均衡的发展速度造成了当前的存储速度严重滞后于处理器的计算速度。因此在存储器和处理器之间形成了“存储墙”，严重限制了芯片的整体性能。由于处理器和存储器的分离，在处理数据的过程中，首先需要将数据从存储器通过总线搬运到处理器，处理完成后，再将数据搬运回存储器进行存储。搬运时间往往是运算时间的成百上千倍，能效非常低即称为“功耗墙”。图表 68：算力发展速度远超存储 资料来源：amirgholamigithub，国盛证券研究所 存算一体概念历史悠久，为打破冯诺依曼计算架构瓶颈，学术界和工业界尝试了多种方法。1969 年，斯坦福研究所的 Kautz 等人提出了存算一体计算机的概念。但受限于当时的芯片制造技术和算力需求的匮乏，那时存算一体仅仅停留在理论研究阶段，并未得到实际应用。后随着人工智能等大数据应用的兴起，存算一体技术得到国内外学术界与产 2023 年 04 月 11 日 P.39 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 业界的广泛研究与应用。图表 69：存算一体发展简史 时间时间 发展历史发展历史 1969 斯坦福研究所的 kautz 等人提出了存算一体概念。1997 加州大学伯克利分校的 Patterson 等人成功把处理器集成在 DRAM 内存芯片中，实现智能存算一体计算架构。2010 惠普实验室 Williams 教授团队用忆阻器实现简单布尔逻辑功能。2016 美国加州大学圣塔芭芭拉分校谢源教授团队提出使用 RRAM 构建存算一体架构的深度学习神经网络。2017 英伟达、英特尔、微软、三星、加州大学圣塔芭芭拉分校等推出存算一体系统模型。2020 美国存算一体 AI 芯片初创公司 Mythic 于 2020 年底推出第一代 AI 芯片 M1108。资料来源：国盛电子根据公开资料整理，国盛证券研究所 目前存算技术按照以下历史路线顺序演进：A、查存计算（、查存计算（Processing With Memory）：）：GPU 中对于复杂函数就采用了这种计算方法，是早已落地多年的技术。通过在存储芯片内部查表来完成计算操作。这是最早期的技术。B、近存计算（、近存计算（Computing Near Memory）：）：典型代表是 AMD 的 Zen 系列 CPU。计算操作由位于存储区域外部的独立计算芯片/模块完成。这种架构设计的代际设计成本较低，适合传统架构芯片转入。将 HBM 内存（包括三星的 HBM-PIM）与计算模组（裸 Die）封装在一起的芯片也属于这一类。近存计算技术早已成熟，被广泛应用在各类 CPU 和 GPU上。C、存内计算（存内计算（Computing In Memory）：）：典型代表是 Mythic、千芯科技、闪亿、知存、九天睿芯等。计算操作由位于存储芯片/区域内部的独立计算单元完成，存储和计算可以是模拟的也可以是数字的。这种路线一般用于算法固定的场景算法计算。D、存内逻辑（存内逻辑（Logic In Memory）：）：这是较新的存算架构，典型代表包括 TSMC（在2021 ISSCC 发表）和千芯科技。这种架构数据传输路径最短，同时能满足大模型的计算精度要求。通过在内部存储中添加计算逻辑，直接在内部存储执行数据计算。图表 70：存内计算架构（右）在传输带宽上优于传统计算架构（左）图表 71：存算一体技术的分类 资料来源：知乎，陈巍谈芯，国盛证券研究所 资料来源：知乎，陈巍谈芯，国盛证券研究所 存算一体的优势是成百上千倍存算一体的优势是成百上千倍的提高计算效率，降低成本的提高计算效率，降低成本。存算一体属于非冯诺伊曼架构，在特定领域可以提供更大算力（1000TOPS以上）和更高能效（超过10-100TOPS/W），2023 年 04 月 11 日 P.40 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 明显超越现有 ASIC 算力芯片。除了用于 AI 计算外，存算技术也可用于感存算一体芯片和类脑芯片，代表了未来主流的大数据计算芯片架构。存算一体技术的核心优势包括：（1）减少不必要的数据搬运。（降低能耗至 1/101/100）（2）使用存储单元参与逻辑计算提升算力。（等效于在面积不变的情况下规模化增加计算核心数）4.2.2 国外龙头占据行业垄断地位，国内厂商积极布局国外龙头占据行业垄断地位，国内厂商积极布局 进入互联网时代后，全球数据产生量快速攀升，数据产生量爆发式增长，特别是在人工智能、云计算、物联网背景的发展下，根据 IDC 预计 2025 年数据产生量将达到 175ZB，市场对数据的收集、存储、处理要求将不断提高。存算一体芯片必将从端侧小算力市场逐步扩展到整个 AI 芯片领域。未来行业将会呈现持续走高的态势。量子位智库预估 2025年，国内存算一体芯片市场规模为 125 亿元，2030 年为 1136 亿人民币，CAGR 为 55%。图表 72：国内存算一体芯片市场规模估算 资料来源：量子位智库，国盛证券研究所 目前可用于存算一体的成熟存储器有 NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM、NVRAM等。SRAM 在速度方面和能效比方面具有优势，特别是在存内逻辑技术发展起来之后具有明显的高能效和高精度特点。DRAM 成本低，容量大，但是速度慢，且需要电力不断刷新。适用存算一体的新型存储器有 PCAM、MRAM、RRAM 和 FRAM 等。其中忆阻器RRAM 在神经网络计算中具有特别的优势，是除了 SRAM 存算一体之外的，下一代存算一体介质的主流研究方向。目前 RRAM 距离工艺成熟还需要 2-5 年，材料不稳定，但RRAM 具有高速、结构简单的优点，有希望成为未来发展最快的新型存储器。学术界和产业界对存算一体的技术路径尚未形成统一的分类，目前主流的划分方法是依照计算单元与存储单元的距离，将其大致分为近存计算（PNM）、存内处理（PIM）、存内计算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（PNM）。）。特斯拉特斯拉：在 Hot Chips 大会上，公司测算 Dojo（AI 训练计算机）所用的 D1 芯片相比于统一时间的业内其他芯片，同成本下性能提升 4 倍，同能耗下性能提高 1.3 倍，占用空间节省 5 倍。阿里达摩院：阿里达摩院：在 2021 年，发布采用混合键合（Hybrid Bonding）的 3D 堆叠技术相比传统 CPU 计算系统。公司测算，相比一时间的存算一体芯片的性能提升 10 倍以上，能效提升超过 300 倍。三星：三星：在 2022 年 10 月，基于存内处理架构，发布存储器产品 HBM-PIM（严格意义上是PNM）。公司测算，与其他没有 HBM-PIM 芯片的 GPU 加速器相比，HBM-PIM 芯片将 AMD GPU 加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了约 50%。与仅配备 HBM 的 GPU 加速器相比，配备 HBM-PIM 的 GPU 加速器一年的能耗降低了约 2100GWh。02004006008001000120020252030市场规模（亿元）2023 年 04 月 11 日 P.41 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 知存科技：2022 年 3 月量产的基于 PIM 的 SoC 芯片 WTM2101 正式投入市场，公司认为，对比统一时间产品实现 10 倍以上的能效提升。亿铸科技：基于 CIM 框架、RRAM 存储介质的研发“全数字存算一体”大算力芯片，通过减少数据搬运提高运算能效比，同时利用数字存算一体方法保证运算精度，适用于云端 AI 推理和边缘计算。智芯科微：于 2022 年底推出业界首款基于 SRAM CIM 的边缘侧 AI 增强图像处理器。特斯拉、三星、阿里巴巴等拥有丰富生态的大厂以及英特尔，IBM 等传统的芯片大厂，几乎都在布局 PNM；而知存科技、亿铸科技、智芯科等初创公司，在押注 PIM、CIM 等“存”与“算”更亲密的存算一体技术路线。大厂对存算一体架构提出的需求是“实用、落地快”，而近存计算作为最接近工程落地的技术，成为大厂们的首选。而中国初创公司们，由于成立时间较短、技术储备薄弱：缺乏先进 2.5D 和 3D 封装产能和技术，为打破美国的科技垄断，中国初创企业聚焦的是无需考虑先进制程技术的 CIM。图表 73：国内存算一体芯片公司布局（按照应用场景大-小排序）厂商厂商 建立时间建立时间 存储介质存储介质 应用场景应用场景 亿铸科技 2020 RRAM GPT 等大模型云计算、自动驾驶、边缘计算 千芯科技 2019 SRAMRRAMMARM 云计算、自动驾驶、智慧安防 阿里达摩院 2017 异质集成嵌入式 DRAM VRAR、无人驾驶、天文数据计算 闪亿半导体 2017 新型忆阻器 PLRAM 智能手机、智能出行、LOT、VRAR、数据中心 新忆科技 2018 40nm RRAM 物联网、航空航天、工业控制、汽车电子 九天睿芯 2018 SRAM 手机平板、XR、物联网、自动驾驶 苹芯科技 2021 28nm SRAM 智慧城市、智能家居、工业物联网、以及各种智慧终端、可穿戴设备、自主无人系统 恒烁半导体 2015 NOR FLASH 可穿戴设备、AMOLED、智能家居、汽车电子 知存科技 2017 嵌入式 flash 工艺 智能可穿戴设备、智能家居、安防监控、玩具机器人 智芯科微 2019 A LOT 及智能穿戴设备 资料来源：偲睿咨询，国盛电子根据公开资料整理，国盛证券研究所 国内的头部初创公司（10 家左右），知存目前到了 B1 轮，其余均在 A 轮前后。由此可见，国内存算一体处于行业较为早期的阶段。国外方面比较有名的存算一体初创企业包括 Mythic、Syntiant。大多公司的融资已进入 C/D 轮，几家头部企业如 STT、Syntiant 和Mythic 走在全球商业化前列，芯片出货量最高达 2000 万级别（国内最高百万级），并有约 15 家公司实现了超 100 亿美元的营收（我国仅 1-2 家）。4.3 3D NAND：突破存储容量限制瓶颈突破存储容量限制瓶颈 NAND 从从 2D 到到 3D 是大势所趋，可突破存储容量限制瓶颈。是大势所趋，可突破存储容量限制瓶颈。2D NAND 是在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩存在物理极限，发展已趋缓。要在维持性能的情况下实现容量提升，3D NAND 成为主流方向。3D NAND 将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了 2D NAND 在增加容量的同时性能出现下降的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。2023 年 04 月 11 日 P.42 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 74：2D 对比 3D NAND 资料来源：搜狐，国盛证券研究所 3D NAND 的层数一直在发展。从最早的 24 层、48 层，发展到现在 238 层甚至 300 层，在未来甚至会突破 500 层。据 TechPowerup 介绍，SK 海力士最新第 8 代 3D NAND 闪存，容量为 1Tb（128GB），具有三级单元和超过 20Gb/mm的位密度（bit density）。该芯片的页容量（page size）为 16KB，拥有四个 planes，接口传输速率为 2400MT/s，最高吞吐量为 194MB/s（相比第 7 代 238 层 3D NAND 闪存提高了 18%）。密度的提升将降低制造过程中每 Tb 的成本，终端消费者最终能从性能和容量的提升中受益。图表 75：厂商 3D NAND 技术发展 资料来源：微型计算机，国盛证券研究所 2023 年 04 月 11 日 P.43 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 三星已经完成了第八代 V-NAND 技术产品的开发，堆栈层数达到了 236 层，2022 年 11月已量产。SK 海力士已宣布研发出了 238 层 NAND 闪存，预计 2023 年 H1 大规模量产。美光 232 层 NAND 已于 2022 年 12 月为消费类设备出货。国内厂商长江存储也于今年 8月份发布了 232 层的 3D NAND 闪存芯片 X3-9070，且于 2022 年 12 月或将应用于国内部分品牌客户产品。图表 77：三星 3D V-NAND 资料来源：三星，国盛证券研究所 在下游应用领域中，移动设备和数据中心是 3D NAND 技术的主要应用领域，随 ChatGPT等人工智能带来大数据存储的巨量级需求增加，未来 3D NAND 技术或将快速且进一步升级。图表 76：SK 海力士第 8 代 3D NAND 闪存技术 资料来源：TechPowerup，SK 海力士，国盛证券研究所 2023 年 04 月 11 日 P.44 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 五、五、重点关注标的重点关注标的 5.1 兆易创新：兆易创新：业绩高速增长，看平台化公司如何打造业绩高速增长，看平台化公司如何打造 立足中国覆盖全球，产品品类不断扩展。立足中国覆盖全球，产品品类不断扩展。兆易创新成立于 2005 年 4 月，是一家立足中国的全球化芯片设计公司。公司致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计研发。公司在上海、合肥、中国香港设有全资子公司、在深圳设有分公司，在中国台湾省设有办事处，并在日韩、美国等地通过产品分销商为客户提供本地化服务。公司产品包括 NOR Flash、NAND Flash、DRAM 以及 MCU 等，广泛应用于移动终端、消费电子、个人电脑、办公设备、汽车电子及工业控制设备等多个领域。公司作为 NorFlash 龙头积极拓展 DRAM 市场，已于 2021 年 6 月成功量产自有品牌19nmDRAM，未来将朝 17nm 演进。公司 2023 年 3 月 1 日公告，与合肥长鑫存储发生采购 DRAM 产品及代工业务，22 年与长鑫的实际采购额 8.74 亿元（其中自研 2.61 亿元，代销 6.13 亿元），预计 23H1 与长鑫关联交易金额预计约为 5.55 亿元（其中自研2.08 亿元，代销 3.47 亿元）。公司营收近年来稳步增长，即使在今年芯片行业寒冬的大背景下，公司前三季度营收依然维持正增长。更为可贵的是，公司的扣非归母净利润延续 2021 年远高于营收增速的态势，2022 前三季度，公司归母净利润同比增速达 26.92%。图表 78：兆易创新营收及增速 图表 79：兆易创新归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 公司业绩高增的一大原因系常年高投入的研发支出，带来了良好的成果转化，并以此建立深厚的技术壁垒。利润率水平来看，公司毛利率水平基本维持在 40%左右，且近两年有所上升，2022 年前三季度公司毛利率达 48%，对应净利润率达 31%。0 0Pp0020304050607080902018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)0 00000101520252018/12/312020/12/312022/9/30归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)2023 年 04 月 11 日 P.45 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 80：研发支出及同比 图表 81：销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 公司围绕智能化时代数据的感、存、算、控、联五个方面，涵盖消费、汽车、工业等多个领域，以存储器件为切入点，提供核心 IC 器件和相应软件一体化配套。具体来看：1）产品类别扩张：）产品类别扩张：围绕智能化不断扩张以内生发展（募集资金用于 DRAM 研发）和外延并购（收购上海思立微电子）为主，逐步从 NOR Flash、NAND Flash 和 MCU 扩展至DRAM 和 Sensor。2）平台化搭建：平台化搭建：通过应用领域的扩张完善以智能化为核心的产品布局，并实现已有产品已有产品的不断迭代的不断迭代和工艺制程的持续升级工艺制程的持续升级，驱动公司平台体系建设日趋完善。其中：（a）NOR Flash：工艺平台从 2018 年的 65nm 逐步实现 55nm 量产，并于 2022 年推动 45nm 工艺平台的研发。同时不断针对产品性能进行打磨，推陈出新。（b）NAND Flash：工艺制程从 2018 年的 38nm 逐步实现 24nm 量产，并开始进行19nm 的研发。同时不断针对车规市场进行开拓布局和研发。（c）MCU：产品覆盖逐步从 55nm 至 40nm 再到 22nm 制程，并针对物联网、工控和汽车领域不断扩张。（d）DRAM：逐步实现从 19nm DDR4 产品量产至 17nm DDR3 产品研发。（e）Sensor：在已有 LCD 较全品类的基础上进行 OLED 相关产品的研发，并即将推出OLED 相关产品。风险提示：新品孵化及技术升级不及预期风险，下游需求不及预期风险。5.2 北京君正：北京君正：收购北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增长、利润率有收购北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增长、利润率有所修复所修复 老牌老牌 IC 设计企业，收购北京矽成进军拓展存储市场。设计企业，收购北京矽成进军拓展存储市场。北京君正于 2005 年成立，是一家集成电路设计企业，拥有全球领先的 32 位嵌入式 CPU 技术和低功耗技术。公司主营业务为微处理器芯片、智能视频芯片等 ASIC 芯片产品及整体解决方案的研发和销售，拥有较强的自主创新能力，且已形成可持续发展的梯队化产品布局，各类芯片产品分别面0 0Pp234567892018/12/31 2019/12/31 2020/12/31 2021/12/31 2022/9/30研发费用同比(%)0 0P 18/12/31 2019/12/31 2020/12/31 2021/12/31 2022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.46 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 向不同市场领域。北京君正于 2020 年完成对北京矽成（ISSI）及其下属子品牌 Lumissil的收购，拥有其 100%股份。ISSI 存储部门有高速低功耗 SRAM，低中密度 DRAM，NOR/NAND Flash，嵌入式 Flash pFusion，及 eMMC 等芯片产品。受益车规受益车规产品放量，公司业绩实现高速增长。产品放量，公司业绩实现高速增长。2021 年公司营收达 52.74 亿元，同比增长143.07%，2022 年前三季度公司营收达 42.19 亿元，同比增长 11.23%。2021 年公司扣非归母净利润达 8.94 亿元，同比增速达 4265%，2022 年前三季度公司扣非归母净利润达 7.17 亿元，同比增长 16.83%。图表 82：北京君正营收及增速 图表 83：北京君正营收及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 公司研发投入高速增长，利润率水平得到修复。公司研发投入高速增长，利润率水平得到修复。2022 年前三季度公司研发支出达 4.64亿元，远超 2020 年全年水平，同比 2021 年增长达 26.78%。公司毛利率始终维持较高水平，2020 年毛利率下滑系收购子公司存货增值导致的毛利率下跌，2021 年公司调整迅速，毛利率和净利率水平已基本恢复至正常水平。2022 年前三季度公司毛利率达38.65%，净利率达 17.19%。图表 84：北京君正研发支出及同比 图表 85：北京君正利润率水平 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。00 0000P00020304050602018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)0 000000000023456789102018/12/312020/12/312022/9/30归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)0 0Pp0234562020/9/302021/9/302022/9/30研发费用(亿元)同比(%)0%5 %05E 18年12月2020年12月2022年9月销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.47 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 5.3 雅克科技：雅克科技：全球前驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求全球前驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求 公司 1 月 19 日发布 2022 年业绩预告，归母净利润盈利 5.2-5.9 亿元，同比提升 55.34%-76.25%。公司认为，LNG 保温复合材料及安装工程取得较大幅度增长，带动公司整体业绩增长和毛利率上升。公司 2022 年前三季度业绩，营收 31.67 亿元，同比提升 17.63%，公司实现归母净利润4.63 亿元，同比上升 18.88%。2022 年 Q3 单季度看，实现营业收入 11.08 亿元，同比上升 324.67%，实现归母净利润 1.82 亿元，同比提升 23.21%。图表 86：雅克科技营收及增速 图表 87：雅克科技归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 88：雅克科技研发支出及同比增速 图表 89：雅克科技销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 前驱体等半导体材料业务持续受益于国产替代。前驱体主要用于薄膜沉积环节，产品价值量、用量随制程迭代快速增长。全球领先玩家包括默克、法液空、SKM、DNF 等，公司市场份额有望稳步提升。看业务空间，1）高算力芯片搭配 HBM，HBM 对前驱体需求及价值量显著提升；2）海外存储客户整体稼动率见底，预计 2023 年 H2 将有所回升，同时美光科技被审查进一步提升国产份额，利好国产材料供应商；3）国内存储厂持续扩产，公司国内前驱体业务随下游爬坡放量持续成长。复合板材是 LNG 运输船核心材料，竞争格局极佳，进入高景气周期。LNG 船需要在-163的极低温下运输液化天然气，且体积被压缩超过 600 倍的液化天然气若在有限空间内泄漏，急剧膨胀会产生物理爆炸。因此，LNG 运输船被人们称为“沉睡的氢弹”。而复合板0 0Pp101520253035402018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)-50%0P00 0%0005023452018/12/312020/12/312022/9/30归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)0%5 %05.20.40.60.811.22018/12/312020/12/312022/9/30研发费用(亿元)同比(%)0%5 %05 18/12/31 2019/12/31 2020/12/31 2021/12/31 2022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.48 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 材作为 LNG 运输船核心材料，由金属薄膜、增强硬质闭孔聚氨酯泡沫、特殊配方树脂制成，不仅起到保温隔热功能，且对 LNG 运输船只的安全性作用关键。LNG 船复合板材具有极佳的竞争格局和较长的下游认证周期，公司作为国内造船厂核心供应商，具有全球领先的深冷复合材料技术。我们认为此次沪东造船厂订单有望成为公司 LNG 板材业务需求超预期的开始。此外，公司复合材料业务产业链的持续完善，有望使得业务盈利能力提升，板材业务进入高景气周期。光刻胶、电子特气、LDS、硅微粉等其他电子材料方面：我们认为，跟随下游客户稼动率提升，公司持续完善产品品类，持续推进客户导入和产能建设，实现稳步增长。风险提示：下游需求不及预期。5.4 东芯股份东芯股份：国内国内 SLC NAND 龙头龙头，短期业绩有望快速修复，短期业绩有望快速修复 公司披露业绩 2022 年年度业绩快报。2022 年公司营收 11.49 亿元，同比增长 1.34%。公司实现归母净利润 1.85 亿元，同比下降 29.51%。单季度看，公司 2022 年 Q3 实现营业收入 2.34 亿元，环比下降 36.63%，同比下降29.17%，实现归母净利润 5644 万元，环比减少 46.01%，同比下降 36.01%，2022 年第三季度业绩下滑主要系市场景气度下降所致。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利率为 30.27%，整体前三季度毛利率达 42.23%，同比提升 3.64pct。费用方面，公司前三季度研发费用达8393万元，同比增长77.08%，研发费率达到8.86%，同比提升2.82pct。图表 90：东芯股份营收及增速 图表 91：东芯股份归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 0 0P4681012142018/12/312020/12/312022/12/31营业总收入(亿元)同比(%)-400%-200%0 0000000000%-1-0.500.511.522.532018年12月2020年12月2022年12月归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)2023 年 04 月 11 日 P.49 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 92：东芯股份研发支出及同比增速 图表 93：东芯股份销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 公司逐步实现产品产品线拓展及技术创新 1）NAND Flash 方面：公司作为 SLC NAND 领域龙头企业，核心技术优势明显，实现了从 1Gb 到 32Gb 系列产品设计研发的全覆盖。公司开发的车规产品正在进行 AEC-Q100验证，同时先进制程的 19nm 已完成首轮晶圆流片，处于国际领先地位。2）NOR Flash 方面：公司自主设计的 SPI NORFlash 存储容量覆盖 2Mb 至 256Mb。支持多种数据传输模式，目前公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外知名终端客户提供产品。3）DRAM 方面：公司研发的 DDR3 具有高带宽、低延时等特点，在研的 LPDDR4x 进度符合公司预期，主要针对基带市场和模块类客户。风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。5.5 深科技：深科技：存储芯片封测领先者存储芯片封测领先者，定增加码产能定增加码产能 存储芯片封测领先者。存储芯片封测领先者。在半导体封测业务领域，公司主要从事高端存储芯片的封装与测试，产品包括动态随机存取存储器（DRAM）、NAND 型闪存（NAND FLASH）以及嵌入式存储芯片，具体有双倍速率同步动态随机存储器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗双倍速率同步动态随机存储器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合内嵌式存储器标准规格的低功耗双倍速率同步动态随机存储器（eMCP4）等。定增加码定增加码存储芯片封测产能。存储芯片封测产能。公司定增募资 14.62 亿元投向存储先进封测与模组制造项目。合肥沛顿已通过现有客户封装产品大规模量产审核，计划下半年进一步积极导入新客户。公司积极布局高端封测，规划建设凸点（Bumping）项目，目前净化间施工和首线设备采购正同步进行。未来，公司将以满足重点客户产能需求和加强先进封装技术研发为目标，聚焦倒装工艺（Flip-chip）、POPt 堆叠封装技术的研发、16 层超薄芯片堆叠技术的优化，致力成为存储芯片封测标杆企业。公司披露业绩 2022 年第三季度业绩报告。2022 前三季度公司营收 120 亿元，同比下滑2.08%，公司实现归母净利润 5.75 亿元，同比上升 11.32%。单季度看，公司 2022 年Q3 实现营业收入 44.6 亿元，环比上升 14.3%，同比上升 3.43%，实现归母净利润 1.2-10%0 0Pp.10.20.30.40.50.60.70.80.92020/9/302021/9/302022/9/30研发费用(亿元)同比(%)-20%-10%0 0P 18/12/312019/12/312020/12/312021/12/31 2022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.50 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 亿元，环比减少 43.66%，同比下降 50.9%。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利率为 3.31%，整体前三季度毛利率达 11.24%，同比提升 16.6%。费用方面，公司前三季度研发费用达 2.25 亿元，同比下降 27.4%，研发费率 1.87%，与上一年度基本持平。图表 94：深科技营收及增速 图表 95：深科技归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 96：深科技研发支出及同比增速 图表 97：深科技销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。5.6 普冉股份：存储行业新星，发力普冉股份：存储行业新星，发力工业控制和车载领域工业控制和车载领域 存储行业新星，两大产品线齐头并进存储行业新星，两大产品线齐头并进。公司主要产品包括 NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。公司披露 2022 年年度业绩快报。2022 年公司营收 9.25 亿元，同比下滑 16.15%。公司实现归母净利润 0.83 亿元，同比下降 71.44%。业绩下滑主要受市场需求疲软，产品线出货量和价格下降影响。单季度看，公司 2022 年 Q4 实现营业收入 1.61 亿元，同比下降 42.31%，实现归母净利润-0.55 亿元，同比减少 180.49%。费用方面，公司 2022 年研发费用达 1.49 亿元，同比上升 64%。-20%-15%-10%-5%0%504060801001201401601802018年12月2020年12月2022年9月营业总收入(亿元)同比(%)-50%0P00 0234567892018年12月2020年12月2022年9月归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)-30%-20%-10%0 0P.511.522.533.52020/9/302021/9/302022/9/30研发费用(亿元)同比(%)0%2%4%6%8 18/12/312020/12/312022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.51 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 98：普冉股份营收及增速 图表 99：普冉股份归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 100：普冉股份研发支出及同比增速 图表 101：普冉股份销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 持续拓展品类，发力工业控制和车载领域。持续拓展品类，发力工业控制和车载领域。公司 EEPROM 车载产品完成 AEC-Q100 标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，汽车电子产品营收占比显著提升；目前公司超大容量 EEPROM 系列开发完成，支持SPI/I2C 接口和最大 4Mb 容量，其中 2Mb 产品批量用于高速宽带通信和数据中心。公司产品介绍如下：1）NOR Flash：公司 NOR Flash 产品采用电荷俘获(SONOS)及浮栅(ETOX)工艺结构，提供了 512Kbit 到 128Mbit 容量的系列产品，覆盖 1.65V-3.6V 的操作电压区间，具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能，下游应用领域集中在蓝牙、IOT、TDDI、AMOLED、工业控制等相关市场。目前 NOR Flash 行业主流工艺制程为 55nm，公司 40nm工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技术水平。2）EEPROM：公司已形成覆盖 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 产品系列，操作电压覆盖1.7V-5.5V，主要采用 130nm 工艺制程，具有高可靠性、面积小、性价比高等优势，可擦写次数可达到 400 万次，数据保持时间可达 200 年。公司 EEPROM 产品应用领域集中在手机摄像头模组、工业控制、汽车电子、家电、计算机周边等领域。目前 EEPROM 产品国内行业主流工艺制程为 130nm，公司 95nm 及以下工艺制程下产品已实现量产，领先于业界主流工艺制程。-40%-20%0 00046810122018/12/312020/12/312022/12/31营业总收入(亿元)同比(%)-100%-50%0P00 0%000.511.522.533.52018年12月2020年12月2022年12月归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)0 0Pp.20.40.60.811.21.41.62020/9/302021/9/302022/12/31研发费用同比(%)0%5 %05 18年12月2020年12月2022年12月销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.52 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。5.7 佰维存储：佰维存储：存储存储芯片小巨人，短期业绩承压芯片小巨人，短期业绩承压 存储芯片小巨人，嵌入式存储为业务基石。存储芯片小巨人，嵌入式存储为业务基石。公司主要从事半导体存储器的存储介质应用研发、封装测试、生产和销售，主要产品及服务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。根据中国闪存市场调研数据，公司 eMMC 及 UFS 在全球市场占有率达到 2.4%，排名全球第 8，国内第 2。公司披露 2022 年年度业绩快报。2022 年公司营收 29.74 亿元，同比增长 13.98%。公司实现归母净利润 0.73 亿元，同比下降 37.24%。业绩下滑主要受市场需求疲软，研发投入加大影响。单季度看，公司 2022 年 Q3 实现营业收入 8.01 亿元，同比上升 42.27%，实现归母净利润 0.27 亿元，达到上一年度 26 倍。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利率为 3.25%，整体前三季度毛利率达 14.77%，同比下降 15.84%。费用方面，公司前三季度研发费用达 0.94 亿元，同比下降 12.15%，研发费率 4.28%，较上一年度上升 4.39%。图表 102：佰维存储营收及增速 图表 103：佰维存储归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 104：佰维存储研发支出及同比增速 图表 105：佰维存储销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所-20%-10%0 0Pp1015202530352018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)-100%-50%0P00 0%00050%-1.5-1-0.500.511.52018年12月2020年12月2022年12月归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)-20%0 0.20.40.60.811.22018/12/31 2019/12/31 2020/12/31 2021/12/31 2022/9/30研发费用(亿元)同比(%)-15%-10%-5%0%5 18年12月2020年12月2022年9月销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.53 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 公司产品可分为如下三类：1）嵌入式存储：）嵌入式存储：公司嵌入式存储产品类型覆盖了 ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGASSD、LPDDR、MCP、SPI NAND 等，广泛应用于手机、平板、智能穿戴、无人机、智能电视、笔记本电脑、智能车载、机顶盒、智能工控、物联网等领域。其中，车载存储器产品的设计和生产达到车规标准，于 2018 年获得 IATF16949:2016 汽车质量管理体系认证。2）消费级存储：）消费级存储：公司的消费级存储包括固态硬盘、内存条和移动存储器产品，主要应用于消费电子领域。公司固态硬盘产品传输速率最高可达 7,400MB/s，处于行业领先地位；公司已正式发布 DDR5 内存模组，传输速率已达 5,200Mbps，未来可达 6,400Mbps。3）工业级存储：）工业级存储：包括工规级 SSD、车载 SSD 及工业级内存模组等，主要面向工业类细分市场，应用于 5G 基站、智能汽车、智慧城市、工业互联网、高端医疗设备、智慧金融等领域。风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。5.8 香农芯创香农芯创：AI 服务器需求增长服务器需求增长，带动带动内存内存有望提升有望提升 公司 1 月 16 日发布 2022 年业绩预告，归母净利润盈利 2.6-3.4 亿元，同比提升 16.16%-51.90%。公司 2022 年前三季度业绩，营收 107.67 亿元，同比提升 132.20%，公司实现归母净利润 1.55 亿元，同比上升 10.47%。2022 年 Q3 单季度看，实现营业收入 21.23亿元，同比下降 52.74%，实现归母净利润-0.09 亿元，同比降低 111.90%。在国内外多重因素影响下，自 2022 年第三季度存储器需求放缓、价格下滑。因此第三季度，公司半导体分销板块的收入下降、利润下滑。公司作为海外大客户国内分销厂商，将积极开发新客户，巩固与核心原厂的合作关系。公司将在维护现有客户、提高客户黏性的同时，发挥自身在优势领域的竞争优势和良好口碑，持续开发新客户，不断巩固与核心原厂的合作关系。同时公司将积极维护与现有主要客户的合作关系，深度挖掘客户需求及多维度合作的可能性，提升服务质量，根据市场情况适时调整经营策略。公司认为，云计算是典型的重资产行业，需要持续、大量的资本投入。目前国内主流云厂商资本支出和市场占有率与全球云服务巨头亚马逊网络服务（AWS）、微软（Microsoft Azure）、谷歌（Google Cloud）相比仍有较大差距。受益于国家政策支持以及数据中心应用场景的不断丰富，加之数字化转型为长期、系统性的趋势，存储器采购需求上表现为刚性及稳定的特点，为公司的持续、稳定发展提供了坚实的基础。2023 年 04 月 11 日 P.54 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 106：香农芯创营收及增速 图表 107：香农芯创归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 108：香农芯创研发支出及同比增速 图表 109：香农芯创销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 风险提示：下游需求不及预期。六、风险提示六、风险提示 下游需求不及预期下游需求不及预期：存储器行业面向下游消费电子、PC、服务器、汽车等多个市场，若下游需求不及预期，存储器行业产品将面临难以售出风险，对业内公司业绩产生不利影响。产产品研发不及预期品研发不及预期风险风险：存储器行业系充分竞争行业，行业壁垒高，头部公司竞争优势显著，若行业内公司产品迭代不及预期，或将丢失下游相应份额，从而对公司业绩造成不利影响。行业竞争加剧风险：行业竞争加剧风险：存储器行业系周期性行业，在需求疲弱时，若行业内其他公司存在供给端增加产能等措施，则有可能引起产品价格战，从而对公司业绩造成不利影响。-500%0P00000 00%000005000004060801001202018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)-100%-50%0P00 0%000.511.522.52018/12/312020/12/312022/9/30归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)-29%-29%-28%-28%-27%-27%-26%-26.050.10.150.20.252018/12/312020/12/312022/9/30研发费用(亿元)同比(%)0%5 %05 18/12/312019/12/312020/12/312021/12/31 2022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.55 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 免责声明免责声明 国盛证券有限责任公司（以下简称“本公司”）具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本报告仅供本公司的客户使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。本报告的信息均来源于本公司认为可信的公开资料，但本公司及其研究人员对该等信息的准确性及完整性不作任何保证。本报告中的资料、意见及预测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，可能会随时调整。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。本公司力求报告内容客观、公正，但本报告所载的资料、工具、意见、信息及推测只提供给客户作参考之用，不构成任何投资、法律、会计或税务的最终操作建议,本公司不就报告中的内容对最终操作建议做出任何担保。本报告中所指的投资及服务可能不适合个别客户，不构成客户私人咨询建议。投资者应当充分考虑自身特定状况，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。投资者应注意，在法律许可的情况下，本公司及其本公司的关联机构可能会持有本报告中涉及的公司所发行的证券并进行交易，也可能为这些公司正在提供或争取提供投资银行、财务顾问和金融产品等各种金融服务。本报告版权归“国盛证券有限责任公司”所有。未经事先本公司书面授权，任何机构或个人不得对本报告进行任何形式的发布、复制。任何机构或个人如引用、刊发本报告，需注明出处为“国盛证券研究所”，且不得对本报告进行有悖原意的删节或修改。分析师声明分析师声明 本报告署名分析师在此声明：我们具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，本报告所表述的任何观点均精准地反映了我们对标的证券和发行人的个人看法，结论不受任何第三方的授意或影响。我们所得报酬的任何部分无论是在过去、现在及将来均不会与本报告中的具体投资建议或观点有直接或间接联系。投资评级说明投资评级说明 投资建议的评级标准投资建议的评级标准 评级评级 说明说明 评级标准为报告发布日后的 6 个月内公司股价（或行业指数）相对同期基准指数的相对市场表现。其中 A 股市场以沪深 300 指数为基准；新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为基准，美股市场以标普 500 指数或纳斯达克综合指数为基准。股票评级 买入 相对同期基准指数涨幅在 15%以上 增持 相对同期基准指数涨幅在 5%之间 持有 相对同期基准指数涨幅在-5% 5%之间 减持 相对同期基准指数跌幅在 5%以上 行业评级 增持 相对同期基准指数涨幅在 10%以上 中性 相对同期基准指数涨幅在-10% 10%之间 减持 相对同期基准指数跌幅在 10%以上 国盛证券研究所国盛证券研究所 北京北京 上海上海 地址：北京市西城区平安里西大街 26 号楼 3 层 邮编：100032 传真：010-57671718 邮箱： 地址：上海市浦明路 868 号保利 One56 1 号楼 10 层 邮编：200120 电话：021-38124100 邮箱： 南昌南昌 深圳深圳 地址：南昌市红谷滩新区凤凰中大道 1115 号北京银行大厦 邮编：330038 传真：0791-86281485 邮箱： 地址：深圳市福田区福华三路 100 号鼎和大厦 24 楼 邮编：518033 邮箱：