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文章目录
1.MOS电容C-V特性仿真(1) 绘制仿真电路图(2) 设置ADE L窗口(3) 进行参量扫描设置(4) 添加Outputs
2.MOS晶体管其他参数查看
1.MOS电容C-V特性仿真
MOS晶体管电容 C g g C{gg} Cgg是指晶体管的栅漏都接地时,栅对源 C g s C{gs} Cgs,栅对漏 C g d C{gd} Cgd,栅对衬底 C g b C{gb} Cgb三个电容之和。 (1) 绘制仿真电路图设置如下,添加变量vdc,value设置为0(这里可以随便设置,后面会进行参量扫描),DC分析只用保留直流工作点 点击Tools–>Parametric Analysis,Variable一栏选择变量vdc,电压从-3V~3V进行扫描,设置线性步长Linear Steps,步长为0.2,点击绿色的Start按钮,开始扫描 将MOS电容参数添加到ADE L界面的outputs中。点击Tools–>Calculator 在ADE L 界面对vdc的值设置,点击Netlist and Run,直接进行仿真。运行后点击Results–>Print–>DC Operating Points,然后在原理图中点击MOS管,即可在Results Display Window界面中查看晶体管参数。 |
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