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一. 晶体管及其放大电路 分析:凡从基级输入(共射,共集电),输入电阻均为RB//(rbe+(1+Bata)RE),从射级输入,输入电阻等于射级输出的输出电阻:RE//(rbe/(1+Bata));从集电极输出(共射,共基)输出电阻为Rc,从射级输出,输出电阻为RE//(rbe/(1+Bata))。 从基到集电的放大倍数:-βRL’/rbe;从基到射的放大倍数:(1+β)R’E/(rbe+(1+β)R’E);从射到集电的放大倍数:βRL’/rbe 二. 场效应管及其放大电路总结:输入电阻:凡是从栅极输入,Ri=RG。从源级输入,Ri=RS//1/gm(与共漏级Ro一样)。输出电阻:凡是从漏级输出,Ro=RD,从源级输出,Ro=Rs//1/gm 放大倍数:共源级:-gmR’L ; 共漏级:gmR’L/(1+gmR’L);共栅级:gmR’L 跨导计算:根据 JEFT(和耗尽型MOS管)和增强型MOSEFT分别有, 所以跨导分别为, 三. 差分放大电路1. 差模输入:射级虚地 ① 放大倍数: 总结:①由于差分电路RB的位置与共射不同(差分RB和rbe串联),所以共射放大倍数中的分母由rbe变为rbe+RB。②双出输入输出都扩了2倍,所以Au不变。单出输出只有一半,所以需要除以2。③有负载时,负载看作两个RL/2的串联,因此原共射放大倍数的Rc//RL变为Rc//(RL/2)。④差模输入,射级虚地,所以Au没有RE的作用。 ② 差模输入电阻 显然与单出双出,接不接负载没有关系。因此, 该电阻是“两个输入端”看进去的输入电阻,很显然是两倍的共射电路输入电阻。又由于RB的位置不同,所以并联改为相加。 ③ 差模输出电阻 将两个输入端相连。 2. 共模输入:射级不再虚地 ① 共模放大倍数 分析:差分放大电路双出可完全消除共模信号,所以共模双出放大倍数为0. 单出时,RE的负反馈可抑制放大倍速(共射电路同样),与差模不同的是,此时不存在输入输出扩大二倍的问题,所以β不用除以2,但是RE要等效为两个2RE并联,所以共射放大倍数中(1+β)RE要改写成(1+β)2RE。单出负载不除以2. ② 共模输入电阻 与输出方式无关。 ③ 共模输出电阻 输出电阻与输入无关,输入电阻与输出无关。即输入电阻与差模共模无关,单出就是Rc,双出2Rc;输入电阻与单出双出无关。 四. 频率响应1. 基本单元的频率响应 分析:f=f0,增益衰减为1/sqrt(2),所以基本单元的频率响应应为1/(1±jf/f)的形式,这样才能保证f=f0时Au=1/(1±j);可认为j始终与f相乘,而一律写成1+的形式。低通结构f0在分子,即f很大时Au趋于0 2. 晶体管低频特性:考虑旁路,耦合电容 取二者显著较大的值;若flin和flout接近,则: 总结:忽略RB,忽略RE;低频特性受旁路电容CE,耦合电容C1,C2影响大;CE要等效到输入回路(阻抗乘以1+β,所以电容除以1+β);CE等效到输入回路后很小,一般的若CE存在,则CE决定fL。 3. 晶体管高频特性:考虑负载电容 经米勒等效后,输入回路成为Us串Rs串rbb’串(rb’e//C1)的结构,根据戴维宁等效再次化简。不考虑结电容时,输出回路 即CL存在时,CL决定fH 五. 运算电路六. 信号处理七. 信号发生1. 正弦波发生器 放大环节A,正反馈环节F,选频网络,稳幅环节 ① 文氏电桥振荡器:同相比例器+电压反馈(反馈网络RC串并联) 稳幅措施:温度;稳幅二极管 ② LC型正弦信号发生器 2. 非正弦波发生器 开关器件(比较器),反馈网络,延迟环节 ① 三角波:迟滞比较器+积分器 ② 方波:迟滞比较器+RC串联反馈延迟环节。 ③ 压控振荡器VCO: 八. 功率放大电路1. 甲乙类功放各项指标 2. 晶体管的选择(极限参数) 九. 直流稳压电源1. 全波整流 2. 电容滤波 3. 串联反馈型线性稳压 4. 集成三端稳压器 集成了串联反馈型线性稳压电路,高精度基准电压源,过流保护电路等。 78系列123输出正电压;79系列213输出负电压。 |
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