| STM32 | 您所在的位置：网站首页 › stm32单片机flash上电自动擦除的原因 › STM32 |
STM32
|
1024G 嵌入式资源大放送！包括但不限于C/C++、单片机、Linux等。关注微信公众号【嵌入式大杂烩】，回复1024，即可免费获取！ 本次分享关于STM32内部FLASH的笔记。 STM32 芯片内部的 FLASH 存储器，主要用于存储我们代码。如果内部FLASH存储完我们的代码还有剩余的空间，那么这些剩余的空间我们就可以利用起来，存储一些需要掉电保存的数据。 本文以STM32103ZET6为例。STM32103ZET6属于大容量产品，其闪存模块组织如下：
其主存储器大小为512KB，分为256页，每页大小都为2KB。我们的程序一般默认烧写到第0页的起始地址（0x08000000）处。当BOOT0引脚和BOOT1引脚都接GND时，就是从这个地址开始运行代码的。这个地址在keil中可以看到：
假如我们要下载的程序大小为4.05KB，则第0、1、2页用于保存我们的程序，我们需要掉电保存的数据只能保存在第3页至第255页这一部分空间内。我们最终要下载的程序大小可在工程对应的.map文件中看到。.map文件可以双击工程的Target的名字快速打开，如：
下面对STM32的内部FLASH进行简单的读写测试： STM32的内部FLASH读写测试过程图如下（省略异常情况，只考虑成功的情况）：
示例代码： 本例的关键代码如下： /******************************************************************************************************* *------------------------------------------STM32 Demo--------------------------------------------------- * * 工程说明：STM32内部FLASH实验 * 作 者：ZhengNian * 博 客：zhengnianli.github.io * 公 众 号：嵌入式大杂烩 * ********************************************************************************************************/ #define MAIN_CONFIG #include "config.h" /* STM32F103ZET6有256页，每一页的大小都为2KB */ #define ADDR_FLASH_PAGE_255 ((uint32_t)0x0807F800) /* Page255 2KB */ /* FLASH读写测试结果 */ #define TEST_ERROR -1 /* 错误（擦除、写入错误） */ #define TEST_SUCCESS 0 /* 成功 */ #define TEST_FAILED 1 /* 失败 */ /* Flash读写测试buf */ #define BufferSize 6 uint16_t usFlashWriteBuf[BufferSize] = {0x0101,0x0202,0x0303,0x0404,0x0505,0x0606}; uint16_t usFlashReadBuf[BufferSize] = {0}; /* 供本文件调用的函数声明 */ static int FlashReadWriteTest(void); /******************************************************************************************************* ** 函数: main **------------------------------------------------------------------------------------------------------ ** 参数: void ** 返回: 无 ** 说明: 主函数 ********************************************************************************************************/ int main(void) { /* 上电初始化 */ SysInit(); /* 内部Flash读写测试 */ if (TEST_SUCCESS == FlashReadWriteTest()) { printf("Flash test success!\n"); } else { printf("Flash test failed!\n"); } while (1) {} } /******************************************************************************************************* ** 函数: FlashReadWriteTest, 内部Flash读写测试函数 **------------------------------------------------------------------------------------------------------ ** 参数: void ** 返回: TEST_ERROR：错误（擦除、写入错误） TEST_SUCCESS：成功 TEST_FAILED：失败 ** 说明: 无 ********************************************************************************************************/ static int FlashReadWriteTest(void) { uint32_t ucStartAddr; /* 解锁 */ FLASH_Unlock(); /* 擦除操作 */ ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255; if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ErasePage(ucStartAddr)) { printf("Erase Error!\n"); return TEST_ERROR; } else { ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255; printf("擦除成功，此时FLASH中值为：\n"); for (int i = 0; i if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ProgramHalfWord(ucStartAddr, usFlashWriteBuf[i])) { printf("Write Error!\n"); return TEST_ERROR; } printf("ucFlashWriteBuf[%d] = 0x%.4x\n", i, usFlashWriteBuf[i]); ucStartAddr += 2; } /* 上锁 */ FLASH_Lock(); /* 读取操作 */ ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255; printf("\n从FLASH中读出的数据为：\n"); for (int i = 0; i if (usFlashReadBuf[i] != usFlashWriteBuf[i]) { return TEST_FAILED; } } return TEST_SUCCESS; } /********************************************************************************************************* ** End Of File ********************************************************************************************************/（1）进行解锁操作 STM32 的闪存编程是由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理 ，这个模块包含的寄存器如下：
STM32 复位后， FPEC 模块是被保护的， 不能写入 FLASH_CR 寄存器； 通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块（即写入 KEY1 和KEY2） ， 只有在写保护被解除后， 我们才能操作相关寄存器。 固件库中的函数为： void FLASH_Unlock(void);（2）擦除将要写的页 STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0XFFFF），否则无法写入，在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。 STM32 的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。 也就是其最小擦除单位为1页，尽管你只需往某页里写10个字节数据或者更少的数据，你也必须先擦除该页（2*1024个字节）。我们这里使用按页擦除，固件库中按页擦除的函数为： FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);其返回值为枚举： typedef enum { FLASH_BUSY = 1, /* 忙 */ FLASH_ERROR_PG, /* 编程错误 */ FLASH_ERROR_WRP, /* 写保护错误 */ FLASH_COMPLETE, /* 操作完成 */ FLASH_TIMEOUT /* 操作超时 */ }FLASH_Status;（3）往上一步擦写成功的页写入数据 STM32 闪存的编程每次必须写入16 位。虽然固件库中有如下三个写操作的函数： FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data); FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data); FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);分别为按字（32bit）写入、按半字（16bit）写入、按字节（8bit）写入函数。32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。 写入 8 位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。 （4）写入操作完成后进行上锁操作 对FLASH进行写操作完成后要进行上锁操作，对应的固件库中函数为： void FLASH_Lock(void);（5）读出数据 固件库中并没有与读操作的函数。读操作其实就是读取FLASH某个地址的数据。 （6）对比写入的数据与读出的数据是否相等 最后对比我们写入的数据与读出的数据是否完全一致，若一致则表明读写测试成功，否则失败。 程序执行结果：
可见，读出的数据与写入的数据一致，表明读写测试成功。 最后STM32的内部FLASH读写步骤大致如上，有时候我们还需要封装一些读写函数，但步骤大都如上。写入数据之前需要先进行擦除操作。以上就是本次的笔记分享，如有错误，欢迎指出！ 最后，在本公众号聊天回复关键字：内部FLASH，即可获得本笔记代码工程及其它相关文档及例程。 我的微信公众号：嵌入式大杂烩**
|
【本文地址】