PCIe4.0无缓大升级？

本次评测硬盘来自贴吧众测活动，笔者有幸加入此次西数SN770 1T评测！

本次的主角便是西数SN770 1T，它于今年2月初发布，延续的SN750 SE的Dramless设计。从外界的消息来看，笔者认为SN770的面世，不仅是对SN750 SE进行常规的硬件更新，而且SN770的读写带宽相较于SN750 SE得到了进一步的提升。本期评测就一起来看看SN770 1T中配上BICS5 112L TLC颗粒的具体性能表现吧！

包装：

盘体：

主控：

颗粒：

SN770从外包装，到硬盘本体的PCB颜色，都继承了西数WD黑盘系列的外观风格，简约透明的塑料固定盒是西数固态万年不变的标志。

PCB延续了西数Dramless家族的布局设计，主控和颗粒分列两端，避免了热量的过度集中。

主控标为经典的闪迪标志，编号为20-82-10082-A1，外形上和西数经典的SN550/SN570所采用的主控很相似，但实际的编号却不一样。同时SN770也从SN750 SE的E19T主控换成自家自研的闪迪主控。

颗粒编号为1524YCERH0RC，与同样采用BICS5 112L颗粒的SN570编号不同，估计与SN570颗粒上会有所区别。

惯例，到手上机先看CDI

CDI抓取到的smart的信息较为有限，故使用smartmontools进一步抓取主控的smart信息。如下所示：

由smartmontools抓取到的Supported Power States可知，WD SN770 1T主控的PS0最大功耗为5.0W。

由smartmontools抓取到的信息可知，存在三个温度传感器，不出意外的话Temperature Sensor 1对应的是主控的温度，Temperature或Temperature Sensor 2对应的应是颗粒的温度。同时将smartmontools抓取到的温度和CDI的温度进行对比可以发现，CDI温度对应的是Temperature的温度。

到手时经西数自家的Dashboard软件检测后，固件版本均为最新版本，故本次所有测试结果均基于731030WD固件。

测试中途CDI截图：

测试完毕时CDI截图：

测试完毕时一共写入26.82T左右的数据，健康度下降了1%；参数收紧假设健康度下降2%，粗略估算，当健康度归零时，预计需写入约为1341TBW，此时已超过了西数官方所给的600TB保修限度。

Hardware：AMD Ryzen 3700X @ 4.4GHz

Motherboard：Micro Star X570 Gaming Plus（BIOS Verizon：7C37vAE）

System：Windows 10 Professional 20H2 / Centos 8.4.2105

Heatsink：Thermalright TR-M.2 2280

IO Interface：M2_1 slot (From AMD® Processor)

裸盘（Without Heatsink）：即盘本身；带散热器（With Heatsink）：在原有的基础上加上Thermalright TR-M.2 2280散热器。

由于测试采用的是AMD平台，相关测试数据可能偏低

①Without Heatsink

②With Heatsink

在Windows下分别对裸盘及加装散热器片的WD SN570 1T进行了CDM/ASS/HD Tune/PCM8的测试，测试结果如图，不做过多赘述。

为了进一步测试该盘的实际性能情况，在Centos环境下采用FIO对硬盘进行持续和全面的性（大）能（保）测（健）试。

首先肯定是来一套全盘读写项目

①Without Heatsink

②With Heatsink

在全盘读写测试环节中，明显可以发现SN770采用了全盘SLC Cache模拟的策略，缓内均速4600MiB左右。且在SLC Cache内，写入速度从最开始的4700MiB/s降至出缓前的4550MiB/s，而缓外写入速度则在440MiB/s~640MiB/s波动。

①Without Heatsink

②With Heatsink

①Without Heatsink

②With Heatsink

全盘跨度随机读写作为Dramless产品的传统劣势项目，SN770的全盘跨度4KiB随机读写性能表现并不算亮眼，其随机读取性能收敛性和延迟表现较好，但随机写入性能较弱。随机写入虽然大部分时间在20.0k左右，但实际仍呈现离散的状态，并未做到稳定的收敛。在加装散热片后，其延迟略有下降，但仍旧偏高。

①Without Heatsink

②With Heatsink

4KiB全盘跨度下的随机7读3写也未做到有效的收敛，随机读取和随机写入都较为零散，QoS（99%/99.9%/99.99%）读取延时表现尚可，但写入延迟较高。

在此阶段，分别对硬盘进行20%/40%/60%/80%的预填充，静置15min让主控进行GC(Garbage Collection)操作，然后再对剩余空间进行顺序写入，测试其缓内及缓外顺序写入情况。

①预填充20%

②预填充40%

③预填充60%

④预填充80%

在SLC Cache写入测试的结果来看，裸盘和加装散热片的写入情况趋于一致。对剩余空间写入的过程中，SLC Cache内写入和全盘写入时一样，出现了缓慢降速的情况，缓外写入速度和全盘写入时一样，在440MiB/s~640MiB/s波动。

根据SNIA发布的《Solid State Storage Performance Test Specification》中写道，固态一般分为以下三个阶段：FOB、Transition和Steady State。

故在此阶段，先对Western Digital SN770 1TB进行了一次全盘顺序写入后，进行顺序写入1800s和顺序读取1800s测试项目。

结果如下：

①Without Heatsink

②With Heatsink

在长时间稳态顺序读写中，裸盘和加装散热片的结果趋于一致，之间读写的差距可视作误差忽略不计。同时，Write_BW所记录的是1800s内的平均写入速度，此时也是SN770 TLC颗粒直写的状态，由此可以看出采用了BICS5 112L的SN770颗粒的直写速度为1471MiB/s（1543MB/s），笔者推断颗粒单die大小512Gb/CE，吃满了主控的16CE带宽，从而达到如此高的TLC颗粒直写速度。

由于笔者手头没有相关的红外温度测量仪，故均是通过抓取硬盘smart信息得到相关温度。

①Without Heatsink

②With Heatsink

在裸盘的情况下，笔者多次监测到114°C的高温；而加装散热片后，记录到的最高温度为102°C，在测试过程中多次监测到93°C左右的温度。

1、作为SN750 SE的迭代产品，SN770有了一定的性能和延迟表现提升，但相比其替代主流PCIe3.0旗舰的定位还有一定差距；

2、由于其全盘SLC Cache模拟的固件策略，导致SN770其SLC Cache外写入平均速度仅有550MiB/s，远低于BICS5 112Layer TLC颗粒正常的直写速度；

3、SN770 PS0标称5W的功耗，但其实际温度表现并未维持传统Dramless产品的优势——较低的温度，日常使用仍需加装散热片，同时不推荐轻薄笔记本等散热条件差的机器加装或换装这一硬盘。

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