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综上所述，相同时效条件下复合材料的时效析出进程明显比未增强合金更快，SiC颗粒的加入促进析出相的析出和长大。时效2 h复合材料的沉淀相平均尺寸已达到4.01 nm，接近时效24 h未增强合金沉淀相水平。时效2~10 h，复合材料电导率上升明显快于未增强合金，GP区向η'相的转化速率被加快。由于GP区具有均质形核和异质形核2种形成方式，其析出过程存在先后差异，先形成的GP区迅速长大并向η'相转化，η'相形成过程被分散，导致复合材料DSC曲线中η'相形成的放热峰弱化，而在HRTEM下却可以观察到大量η'相。在未增强合金中，需要足够高的温度为原子的扩散和沉淀相的长大提供驱动力，各相的转变过程受温度影响明显，且比较集中，沉淀相尺寸均匀性更高。而在复合材料中，错配位错加速了原子的扩散和相的转变[25,32]，使得低温下GP区就有向η'相转变的趋势，短时间时效的沉淀相就可以快速长大。时效10 h，复合材料中固溶原子大量脱溶，达到了最佳硬化效果，屈服强度也达到最高值。延长时效时间，已形成的沉淀相继续长大，也有少量新的GP区形成，沉淀相粗化和新相形成相互制约，使得时效10~24 h复合材料硬度存在波动。随着溶质原子的消耗，时效24 h的复合材料硬度达到了第二次峰值，由于沉淀相粗化，复合材料屈服强度略有降低，但此时沉淀相析出更充分，材料可以容纳更多位错，加工硬化能力的提升使得复合材料抗拉强度达到最大值。然而，在相同的时效条件下，与未增强合金相比，复合材料晶界处的第二相数量更多、尺寸更大，这些优先形核并长大的第二相和SiC/Al界面反应产物均可以减少基体晶粒内部溶质原子数量，抑制均匀形核，导致复合材料析出相密度降低。在本实验中，T6态复合材料的强度与基体合金的相似，SiC颗粒并未表现出以往在2000和6000系基体合金中应有的强化效果[33~35]。此前在低Mg的SiC/7085Al复合材料研究[18]中发现，SiC/Al界面反应消耗了基体中的Mg，减弱了复合材料沉淀强化作用，使得最终T6态复合材料强度低于7085Al合金。虽然本实验中所选择的基体Mg含量更高一些，SiC颗粒对复合材料沉淀强化的负作用被削弱，但是相比于未增强合金，T6态复合材料中析出相的密度较低，尺寸均匀性较差，仍然使得复合材料的强度优势不明显。
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