mos管工作状态里的gds和ron有什么区别？

小信号电阻的倒数

ron是mos管工作站线性区的导通电阻

顶起来，谁有更详细的回答！

ron是直流仿真出来的VDS除以IDS，gds是在这个直流状态下的小信号输出阻抗的倒数。

当管子工作在深线性区时，我们关注的是管子的导通电阻，ron就是管子的导通电阻，此时不关心gds。当管子工作在饱和区时，我们关心的是输出阻抗，就是1/gds,不用关心ron。

当管子工作在深线性区时，我们关注的是管子的导通电阻，ron就是管子的导通电阻，此时不关心gds。当管子工作在饱和区时，我们关心的是输出阻抗，就是1/gds,不用关心ron。

感谢你提这么好的问题啊，我一直都没注意它两的区别；我刚刚和我师兄讨论了，并且我亲自仿真过；Ron是漏源直流电压差除以通过它的直流电流；而gds 是小信号等效电路图中ro的倒数；关于上面的结论我是这么理解的，当MOSFET工作在饱和区，等效为一个大电阻；Ron表现出来的是直流特性；gds表现的是交流小信号特性；不论晶体管工作在饱和区还是线性区；这两个特性都是成立的；

如果管子工作在线性区,这时要画出电路的交流等效电路图,那这个工作在线性区的管子的等效电阻是用gds,还是用ron?

不管mos管工作在线性区还是饱和区，小信号模型中的输出阻抗永远是1/gds。ron是大信号输出阻抗。

明白了,谢谢！

如何计算gds值呢

这个能计算么?一般直接看DC工作点数据的吧...小信号电阻r0=1/(λ*Id)=1/gds ，但这个λ的值不知道哪里来啊...

λ是一个工艺参数吧，具体怎么来的还真不知道，同问

那个是沟道调制的系数，一般是通过测试得到的。画出不同栅压下的Ids-Vds关系，之后反向延长曲线 会交到同一点。此点的大小就是early电压。与lamda存在一个运算关系。

学习下

学习了

了解了~

3ku，，，，，，good。

hen hao.....

您好，那如果管子工作在亚阈值区的时候的电阻值该怎么计算?是 ron 还是1/gds ?

亚域区也是一样算的可以用print dc工作点，就会发现两个并不一样

ac resistance gds=1/ro

学习了！

small signal (ac) impedence

Ron可以认为是直流静态工作点的导通电阻。1/gds就是在直流点上的交流的导通电阻。

交流阻抗是在多大频率下的?

还是不是很清楚，ron和gds关系具体是什么?交流小信号为什么用个gds表示?

一个是直流参数，一个是交流参数。

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