组成原理（三）：存储器概述，RAM，ROM

DRAM刷新：（电容易丢失） 刷新与行地址有关，以128*128为例 按行刷新，要刷新128次(2ms内) 刷新时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）

集中刷新：

有64微秒没有读写操作，死区

分散刷新：

每次读写都刷新一次(2ms内刷新了200次） 无死区，但是存储周期增加了1倍，影响性能

异步刷新：