MCP1416T

本篇文章将讲述MOSFET的原理和MCP1416T-E/OT芯片的一些性能。小白总结，如有错误，请大神请教。

 （1）MOSFET三个端子：源极（s），漏极（G），栅极（D）

（2）电流一般从源极和漏极之间流动的，控制是由栅极来实现的，在栅极上加个电压来实现导通。

（3）分类有两种：N沟道的（电流的载流子是电子）和P沟道的（电流的载流子是空穴），还可以从控制的原理上分，增强型的MOSFET（在正常情况下，即G和S的压差为零时，是关闭的，当给栅极施加一个电压时,MOSFET才会开通）和耗尽型的MOSFET（情况和增强型的恰好相反）

（4）常用电路

 这个是MOSFET负载一个灯的时候，当MOSFET开通时，这个灯就点亮，当MOSFET关闭时，这个灯就熄灭。

（1）概述：是高速、大电流器件，其用来为外部MOSFET或IGBT的栅极电容器/拉高峰值的充电/放电电流。（在高频开关电源中，PWM控制器可能不具有直接驱动功率MOSFET的能力）。

（2）高峰值输出电流：1.5A（典型值）

（3）宽输入电压范围：4.5V-----18V

（4）封装：SOT-23

（5）引脚说明：1.VDD：是MOSFET驱动器的偏置电压输入端，其电压范围从4.5V到18V。必须在这一输入端旁边接去耦电容将其连接到地。此旁路电容为要提供给负载的峰值电流提供了一个局部低阻抗路径。

2.IN：MOSFET驱动器输入为高阻抗的TTL/CMOS兼容输入。这些输入在高低输入电平间有迟滞，从而可被缓慢上升和下降的信号驱动，并能降低躁声。

3.GND:地是器件的返回引脚。接地引脚应与偏置电源返回点间采用低阻抗连接。当容性负载放电时，高峰值电流会流出接地引脚。

4.OUT:输出是一个CMOS推挽输出，能够拉/灌1.5A峰值电流(VDD= 18V)。低输出阻抗能确保即使在发生大瞬变事件的情况下，外部MOSFET的栅极仍处在期望的状态。这些输出可以承受500mA的反向栓锁电流。

（6）绝对最大值参数：

1.VDD:+20V

2.VIN:VDD（+0.3V）至（GND-5V）

（7）功耗：

1.总功耗:

 2.容性负载功率：

 3.静态功耗：

（1）将MOSFET驱动器就近摆放在负载端以及将去耦电容就近摆放在MOSFET驱动器边来实现走线环路面积以及感抗必须最小化。就近在驱动器下设计地平面或地回路走线也可以减小走线感抗。地平面也可以用来屏蔽辐射躁声以及帮助器件散热。

（2）去耦电容：对容性负载进行快速充电和放电需要大电流。例如，在25ns内将1000pF负载充电到18V需要大概720 mA的电流。 在宽频率范围、低电源阻抗条件下使用MOSFET驱动器时，建议在驱动器的Vpp和GND间并联摆放一个陶瓷电容和低ESR的薄膜电容。为了可靠工作，要求在引脚2与引脚4之间摆放一个1.0 μF薄膜电容和0.1 uF陶瓷电容。这些电容应尽可能靠近驱动器摆放，以减少电路板的寄生参数并为所需电流提供本地电流源。

（1）感抗：定义：交流电也可以通过线圈，但是线圈的电感对交流电有阻碍作用，这个阻碍叫做感抗。感抗和电感成正比，和频率也成正比。如果感抗用XL表示，电感用L表示，频率用f表示，那么：XL=2πfL

（2）陶瓷电容和薄膜电容的区别：

1.高压陶瓷电容器使用寿命更长

2.高压陶瓷电容的内阻较小。

3.高压陶瓷电容器的电压相对较高。

4.从容量分析来看，高压器的陶瓷电容容量较小，薄膜电容器的容量较大。

（3）感性负载：指带有电感参数的负载，