SPICE子电路模型：MOSFET示例　其1

上一篇和上上篇文章中以二极管为例介绍了SPICE器件模型。从本文开始将以MOSFET为例分两次介绍SPICE子电路模型。

SPICE的子电路模型（复习）

关于器件模型和子电路模型的基本结构，已经在“SPICE模型的种类”中介绍过，但子电路模型稍微复杂些，所以在这里先回顾一下。

子电路模型是电路的模型，在模型中含有电路连接信息和器件模型等。

上面是Nch MOSFET和二极管组合的子电路模型示例，其中包括电路连接、MOSFET的器件模型、二极管的器件模型。“模型内部的电路连接”的描述，由实例名、连接引脚以及模型名组成。在模型中描述了MOSFET M1和二极管D1的连接。

实际的子电路模型示例

为了便于理解，前面使用了简易模型进行了说明，下面使用实际的子电路模型来进一步说明。以下是ROHM的Nch MOSFET的子电路模型的电路和电路连接描述。在前面的示例中，出现了“M1”这个MOSFET的器件模型。明明有器件模型，却出现“MOSFET的子电路模型”，为什么呢？这是因为器件模型基本上是理想的模型，因此现实的MOSFET特性多使用在MOSFET器件模型基础上基于寄生分量和温度特性等创建的子电路模型。当然，连接电源IC所需的部件并作为电源工作的电路等的子电路模型也有很多，但在这里作为示例的话会过于复杂，因此这里选择以MOSFET的子电路模型为例进行说明。

首先来看从M1到R2的各个连接的描述和电路图的节点编号。描述的含义应该是浅显易懂的。

这个子电路模型的基础—MOSFET M1连接了反馈电容、栅极电阻、体二极管、提供导通电阻Ron温度特性的电阻，作为SPICE模型，所呈现的特性是接近现实MOSFET特性的。

下面是该子电路模型的所有描述。继刚才的连接信息之后是MOSFET、二极管、电阻的器件模型描述，这些组成子电路模型。表格中是各器件模型的参数。

顺便提一下，要想创建出色的SPICE模型（即呈现真实特性的SPICE模型），如何在子电路模型中嵌入这些特性是需要技术诀窍和经验积累的。这取决于模型提供商，因此也需要通过将仿真结果与实际特性进行比较等，来确认真实程度。

其2续

同步整流降压转换器的控制IC功率损耗

电感的频率特性