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IRF3205 TO

2024-06-24 00:01| 来源: 网络整理| 查看: 265

IRF3205 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

IRF3205(110A,55V N沟道场效应晶体管)

品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询

IRF3205场效应管主要参数参数\型号IRF3205极性NID(A)110VDSS(V)55RDS(ON):Max(Ω)0.008RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)44Gfs(min):Vgs(V)25Gfs(min):Io(A)62封装TO-220

概述:

壹芯IRF3205是一款三端硅器件,具有110A的电流传导能力、快速的开关速度、低通态电阻、55V的额定击穿电压和最大阈值电压为4伏。它们被设计为一种极其高效和可靠的设备,可用于各种应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。

一般特征:

· RDS(ON)=0.010Q@ Ves=10V

· UItra低栅极电荷(最大150nC)

· 低反向传输电容(CRss=210pF典型值)

· 快速切换能力

·100%雪崩能量规定

· 改进的dv/dt能力

·175C工作温度

壹芯微——优质国产功率半导体品牌,主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等功率电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证,高质量,高标准,型号齐全,研发技术与芯片源自台湾,完美替代进口品牌,页面右侧可选择销售业务或工程师立即咨询



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