MJE13005 NPN晶体管引脚配置

MJE13005是开关模式系列NPN硅功率晶体管，主要设计用于下降时间很重要的高速和电压功率开关电路。此外，MJE13005 NPN晶体管主要适用于115V和220V的开关模式应用，如逆变器、开关稳压器、电机控制、继电器驱动器、螺线管等。

在本文中，小编简单介绍下采用TO220封装的 MJE13005 NPN晶体管的引脚排列、规格特性和应用电路等相关内容。

MJE13005 NPN晶体管也称为13005，是一种采用TO-220 封装的高电压和高速BJT晶体管，主要适用于基于高压的应用。MJE13005晶体管适用于开关速度非常重要的高速开关和基于高压的应用。

据了解，MJE13005器件的集电极-发射极 (CE) 电压等于400V，因此该晶体管始终适用于低于400V的多种电子应用。此外，4A的集电极电流也将使其在用作开关时能够驱动不同的负载。

13005晶体管也可以用作放大器，75W的集电极电流耗散使其非常适合用于音频放大器电路。尽管13005晶体管是为基于高压的应用而设计的，但它也可以用作放大器或具有较低电压的开关和通过电池运行的电路。

另外，MJE13005 NPN晶体管的下降时间极短，因此适用于为逆变器和转换器应用切换交流电压。

MJE13005晶体管包括三层，其中一层为P型掺杂，另外两层为N型掺杂，其P掺杂层设置在两个N掺杂层之间。

MJE13005晶体管是一种半导体器件，采用硅（Si）材料设计。它包括三个端子，即发射极（E）、基极（B）和集电极（C），是一种电流控制器件，与 MOSFET完全相反，因为MOSFET是电压控制器件，它包括三个端子，即源极、漏极和栅极。

MJE13005晶体管的三个端子具有不同的掺杂浓度。集电极引脚的掺杂浓度低，而发射极引脚高，基极引脚掺杂十倍以上。此外，发射极端子保持器件的整个电流，因为它是基极和集电极电流的量。

众所周知，BJT主要分为两种类型，即PNP和NPN晶体管。其中，空穴和电子在两个晶体管的导电性中都起着关键作用。与PNP相比，NPN晶体管被选择用于广泛的应用，因为与空穴相比，电子的迁移率得到了增强。

当然，有时候NPN器件被称为下沉器件，因为它们将GND端子下沉到输出。类似地，PNP器件被称为源器件，因为它们为o/p提供正功率。

MJE13005 NPN晶体管包括三个引脚，其引脚配置如下图所示：

MJE13005 NPN晶体管的规格和特性包括以下内容：

等效和替代的MJE13005 NPN晶体管型号是：ST13005、BUJ103A、MJE13004、2N6499、2SC2535、2SC2333、2SC2536、2SD271、2SC2552、 2SD272、2SD423、2SD422、2SD518、2SD724、2SD622、KSE13004、MJ4380、KSE13005、MJ4401、MJE53T、MJE53、TIP75、TIP75B、TIP75A 和TIP75C。

当然，不同的高压晶体管可以通过不同的电压和电流访问，所以还还可以使用MJE13003、MJE13007、MJE13006、MJE13009 和 MJE13008。

要长时间运行MJE13005晶体管并对其进行保护，必须采取以下预防措施。

MJE13005晶体管从基极端子工作，一旦在基极端子上给出电压，晶体管就会被偏置，电流将从集电极端子流向发射极。

这些双极结型晶体管不是对称组件，这意味着如果交换集电极和发射极端子，那么它会阻止两个端子在正向激活模式下工作。因此，这两个端子将工作在反向激活模式，并会影响CE电流和CB的电流增益。

此外，MJE13005晶体管的CE电流增益范围为8-40，用β表示，而CB电流增益用α表示。

MJE13005 NPN晶体管的无线电力传输应用电路如下图所示。在下面的无线电力传输电路中，使用了MJE13005 NPN晶体管，该电力传输电路基于互感原理工作，它为LED供电，而无需在两英寸距离处使用任何连接线。

构建此电路所需的组件是包括：

无线电力传输电路包括发射器（Tx）和接收器（Rx）两个不同的部分。在上述电路中，振荡器电路被用作包括与焦耳电路惊人相似的发射器电路。但是，接收器（Rx）电路直接连接到负载。

MJE13005 NPN晶体管包括400V的集电极发射极电压和4A的集电极电流，其开关速度为0.9uS，所以是逆变器和转换器等不同应用的高速和电压开关电路的理想选择。与此同时，它也适合用于：

不难看出，MJE13005晶体管主要设计用于高压和高速功率开关电感电路，其中下降时间很重要。另外，MJE13005功率晶体管主要适用于基于115和220V的开关模式应用，其应用范围非常的广泛，是一款热门型号的NPN晶体管。