IGBT管、IGBT模块

门极。一发射极间的电压

(Gate-Emitter voltage)

V

GES

在集电极一发射极间处于短路状态时，门极

一发射极间能够外加的最大电压（通常

±

20V 

max

。

）

集

电

极

电

流

(Collector 

current

）

Ic

集电极的电极上容许的最大直流电流

Ic pulse

集电极的电极上容许的最大脉冲电流

-Ic

内置二极管上容许的最大直流正向电流

-Ic pulse

内置二极管上容许的最大脉冲正向电流

最大损耗

（

Collector power 

dissipation)

Pc

每个元件上的

IGBT

所容许的最大功率损耗

结温

(Junction temperature

）

Tj

使元件能够连续性工作的最大芯片温度（需

要设计成即使在装置中最坏的状态下，也不

超出这个值）

保存温度

(Storage 

temperature

）

Tstg

在电极上不附加电负荷的状态下可以保存或

输运的温度范围

FWD

一电流二次方时间

积

(FWD

一

I

2

t)

I

2

t

在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳

积分值。过电流用商用正弦半波

(50

、

60Hz

）

一周期来规定。

FWD

一正赂峰值浪涌电

流

(FWD

一

IFSM)

I

FSM

在不破坏元件的范围内所允许的一周期以上

商用正弦半波（

50

、

60Hz

）的电流最大值

绝缘强度（

Isolation 

voltage)

V

iSO

在电极全部处于短路状态时，电极与冷却体

的安装面间所容许的正弦波电压的最大有效

值

安装

力矩

（

Scre

w 

torque)

Mounting

用特定的螺钉将元件和冷却体（散热器）间

夹紧时所用的最大力矩值

Terminal

用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用

的最大力矩值

注

:

在任何情况下都不能超过所记载的绝对最大额定值。

IGBT

管、

IGBT

模块

电特性（

Electrical characteristics

）

术语

符号

定义与说明

（条件请参照各种产品的说明书）