英特尔IFS业务部与Arm达成合作， 将共同研发1.8纳米移动SoC

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上个月，坊间有传闻称英特尔在芯片制程方面获得了重大突破，已经完成了2纳米和1.8纳米芯片制造工艺研发（图一），有可能追平其老竞争对手三星和台积电。不过当时这个消息只是“传闻”，并没有比较确凿的证据，因此业界和广大数码爱好者对此半信半疑。

近日，关于这方面又传出了一些相关的新消息，请注意：这些消息并非来自于第三方和坊间传闻，而是来自于英特尔官方，所以内容的可信度极高。

4月12日，英特尔代工服务部门(Intel Foundry Services，简称“IFS”)和Arm联合宣布，双方达成了一项合作协议（图二），芯片设计人员将在英特尔18A（1.8纳米）工艺上开发低功耗的计算芯片上系统，也就是“SoC”（System-On-Chips），通俗的说法就是面向移动设备（包括智能手机在内）的处理器。

据悉，双方的合作将首先致力于移动SoC的设计，但未来也有可能会扩展至汽车、物联网、数据中心和航空航天等领域的芯片。下一代移动SoC开发厂商将可受益于英特尔领先的18A芯片制造工艺，该工艺可提供突破性的晶体管技术，可改善芯片的功率和性能，并拥有强大的产能。

英特尔公司首席执行官吉尔辛格表示：

“在数字化的推动下，市场对计算能力的需求不断增长，但是到目前为止，无晶圆厂客户在使用最先进的移动技术进行芯片设计时，选项非常有限。

英特尔与Arm的合作将扩大IFS的市场机会，为所有想要获得一流CPU IP和具有领先制造工艺的代工能力的无晶片芯片厂商提供新的选择。”

Arm首席执行官雷内·哈斯表示：

“基于Arm的安全、低功耗的处理器，是数千亿个设备和全球数字体验的核心。随着市场对计算和效率的需求变得越来越复杂，我们的行业必须在许多新的层面上进行创新。Arm与英特尔的合作使IFS成为我们客户的重要代工合作伙伴，未来我们将交付基于Arm的下一代改变世界的产品。”

自从吉尔辛格2021年2月出任英特尔CEO后，对英特尔进行了大刀阔斧的改革，包括推出IDM 2.0战略，向第三方芯片设计厂商开放、提供代工制造服务。目前，英特尔仍在积极投先进制造产能，包括在美国和欧盟等地区兴建工厂，以满足对芯片的持续长期需求。

英特尔和Arm将共同从应用程序、软件、封装等各个环节，对芯片设计进行协同优化，以改进Arm核心的功率、性能、面积，并降低成本，目标是采用英特尔18A工艺技术。英特尔18A工艺提供了两项突破性技术，PowerVia用于优化功率传输，GAA晶体管架构用于优化性能和功率。

通过采用Arm领先的计算组合和英特尔顶级的制造工艺技术, Arm的合作伙伴将能够充分利用英特尔的开放系统代工模式，向客户提供性能更强、体验更好的移动SoC，前景非常光明。

双方宣布达成这项合作，在一定程度上证实了之前有关英特尔芯片制程方面获得重大突破的传闻，至于英特尔18A工艺的Soc成品什么时候能落地问世，现在还没有确切的消息。

离现在比较近、可信度较高的是，传闻英特尔将在2024年上半年开始商用20A（2纳米）工艺，此举有望在2024年让英特尔一举追平甚至超越台积电和三星。

补充说明：本文中有关“英特尔18A工艺”这部分内容来自于英特尔官网的新闻稿（图二），其余图片均来自于第三方，这部分图片中的内容未得到确凿证实，请勿混淆。

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