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不想错过我的推送,记得右上角-查看公众号-设为星标,摘下星星送给我 01 前言 STM32:意法半导体在 2007 年 6 月 11 日发布的产品,32位单片机。 GD32:兆易创新 2013 年发布的产品,在芯片开发、配置、命名上基本模仿 STM32,甚至 GPIO 和 STM32 都是 pin to pin 的,封装不改焊上去直接用。有时候 STM32 的源码不修改,重新编译烧写到 GD32 上就可以跑。当然也有很多不同,比如串口驱动、USB 、库文件等。 ESP32:乐鑫公司 2017 年开发的产品,和 STM32、GD32 不同,ESP32 主要面向物联网领域,支持功能很多,但引出 GPIO pin 脚很少,因此大多数 GPIO 都有很多复用功能。出厂就集成蓝牙、WiFi 等物联网必备功能,板子也很小,适合物联网。 02 GD32 和 STM32 的区别 GD32 是国产单片机, 和 STM32 有很多地方都是一样的,不过 GD32 毕竟是不同的产品,不可能所有东西都沿用 STM32,有些自主开发的东西还是有区别的。不同的地方如下: 1、内核GD32 采用二代的 M3 内核,STM32 主要采用一代 M3 内核,下图是 ARM 公司的 M3 内核勘误表,GD 使用的内核只有 752419 这一个 BUG。 ![]() 使用HSE(高速外部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大72M 使用HSI(高速内部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大64M 主频大意味着单片机代码运行的速度会更快,项目中如果需要进行刷屏,开方运算,电机控制等操作,GD 是一个不错的选择。 3、供电外部供电:GD32 外部供电范围是 2.6~3.6V,STM32 外部供电范围是2.0~ 3.6V或1.65~ 3.6V。GD 的供电范围比 STM32 相对要窄一点。 内核电压:GD32 内核电压是 1.2V,STM32 内核电压是 1.8V。GD 的内核电压比 STM32 的内核电压要低,所以 GD 的芯片在运行的时候运行功耗更低。 4、Flash差异GD32 的 Flash 是自主研发的,和 STM32 的不一样。 GD Flash 执行速度:GD32 Flash 中程序执行为 0 等待周期。 STM32 Flash 执行速度:ST 系统频率不访问 flash 等待时间关系:0 等待周期,当 0 |
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