半导体常用术语 一、FAB工艺流程入门1.这里的FAB指的是从事晶圆制造的工厂。半导体和泛半导体通常使用"FAB"这个词... 

来源：雪球App，作者： 两个红A，（https://xueqiu.com/1774623419/245540016）

一、FAB工艺流程入门

1.这里的FAB指的是从事晶圆制造的工厂。半导体和泛半导体通常使用"FAB"这个词，它和其他电子制造的“工厂”同义。在平时沟通的语境中，FAB还可以被指代为“车间”，比如:在FAB工作的工程师上班时说:我进FAB了，其实指的是我进车间了。业界对于多个FAB，通常使用FAB1、FAB2…这样的编号来扩展。

2.FAB的车间是洁净室，进去要穿无尘服和专门的无尘鞋（配套的还有一次性网帽、口罩、手套），因此每个洁净室外面都会配套一个衣帽间，衣帽间和车间中间有风淋门隔挡，进去车间要过防护门吹掉身上的灰尘才可以进入。

3.车间里面都是各种设备，每台设备会贴有设备ID，用以唯一识别它是它自己。总体上面可以分为两种，一种是加工类:就是对晶圆进行增材、减材、改性的设备；另一种是检查类:包括检查缺陷、量测参数和测试电性。检查其实可再细分为检测、量测和目检三种，检测主要是针对缺陷进行扫描，比如颗粒、图形缺陷这些；量测主要是量出参数值，比如:膜厚、应力、电阻值、套准偏差这些；用显微镜和人眼看通常归到目检。

4.加工设备和检查设备配套组合在一起为工艺加工服务。工艺是车间内资源的有序组织形式，晶圆制造是一个循环加工的过程。主要是把立体的电路图形在衬底上给制造出来，因为是立体的所以就会有层（Layer）的概念，但是每一层的工艺是差不多。这些差不多的工艺，通常被概括为四大模组:薄膜、光刻、刻蚀、注入（扩散）。

二、四大模组

模组是分工的产物，旨在让人能够聚焦于特定的一些工艺而不是全部工艺，达到熟能生巧，以确保工厂的稳定。模组，其实就是把类似和相关的工序组成一个集合的概念，这样就可以分配给相对的部门去负责，他们只做这一部分对应的工作。比如:刻蚀工艺工程师就专门做刻蚀这一部分工作，不要做薄膜的工作。

模组是一个基于工厂管理的概念，而不是一个严谨的科学分类，因此四大模组显然是不能够概括所有工序，只能大体上用于了解制造的过程。要对晶圆制造过程有一个相对结构化的理解还得去分析这个产品本身。

在电子世界里，二进制是万物的基础，通过1和0可以表征复杂的控制和运算逻辑，而二进制与物理世界的对应关系就是“开”和“关”，一台计算机就可以理解成是由一系列开关组成的电路的集合。一按开机键，这些开关组成的电路网就被启动，于是屏幕亮起，各种指示灯亮起，这就是为什么计算机启动的起点一定是要开机，通过外部给予一个触发的原因。同样，很多软件的运行，也一样至少需要一个外界给予触发，触发之后就可以通过事先组合好的开关去自运作。这些开关显然不是一个一个装上去，而是一个模块一个模块组合好之后作为部件再组合在一起的。所谓，芯片就是把这些开关集成在一起的模块，为了配合开关更好运作，还要有一些电压，电阻，电感，电容的界限值控制，确保其功能ok和寿命足够。集成电路里面的一个开关，通常就是一个晶体管，比如MOSFET。开关与开关之间还要有金属互联才能作用，这就是电路。一堆开关通过金属互联组成一个复杂的网，就形成了复杂的逻辑电路和控制电路，于是电脑就可以通过触发后就自动运作，各种电器就可以通过触发后就自动运作。FAB厂干的活就是在衬底上来制造出这样的电路:开关（晶体管）+连接导线（金属互联），做完之后，不能裸露，因此还需要有个保护层，就是钝化处理。做好之后就交付给下游封测厂去切割和封装与测试，变成可交付给电子厂的部件，比如CPU、内存条等等。

衬底是制造电路的原材料，它是光滑的原片，FAB厂会在上面进行图形化，然后通过增材减材和改性处理，把一堆类似的电路立体式地制造在上面，变成可出货的成品。开关有两种，一种是通电就打开，一种是断电才打开，我们要同时做两种开关，就是所谓的CMOS，其大致晶体管制造、金属层堆叠、钝化层保护的工艺流程如下:

a.晶体管制造（CMOS）

STI:隔离出一个一个井的边界，让开关只在这个边界里面加工。

NW/PW:注入离子，形成N井和P井，定义到底是通电导通还是断电导通的基础。

栅极制造:形成N井和P井的栅极，通电和断电就是作用在这里。

源极和漏极制造:注入离子形成源漏极，定义导通的方向，电流是从源流入到漏（源头流入一个漏洞，所以是源极到漏极）

低阻值层:栅极、源极和漏极表面要生成一层低阻值物，用于后续金属互联层的链接点。

上面的加工过程并不是一个一个开关去加工的，而是全部一起加工，因此以sti边界为例，就是先涂满胶，再把边界要加工的边界显示出来，然后去掉边界的胶，再整个处理，这样没胶的是我们要的，有胶的是我们不希望被加工到井边，用胶覆盖住的井里，加工完再把胶去掉，这样边界就加工出来了，后续再在这个边界里面用类似的批量处理方法去一起加工出出一堆由源极、漏极和栅极组成的开关，一堆比如可以是几千万个或几亿个，乃至百亿个。这些晶体管连在一起就形成一个die（一个井），也就是所谓的裸芯片，也叫管芯。一个die有多少个晶体管以及它们怎么连，通常是芯片设计公司会做好，然后再交给FAB厂。

b 金属层堆叠

底部器件制造完成之后，晶圆上就有非常多的MOSFET，它们彼此之间被绝缘氧化物隔离开，密密麻麻，但是又彼此独立。为了让它们能够彼此协作进行工作，就要将这些MOSFET链接起来，这些链接物通常是钨，也可以是其他金属。连起来的这些晶体管，导通就是1，不导通就是0，由栅极进行控制。电路越复杂堆叠层数就会越多，比如几时层乃至几百层。die就是一个芯片，根据尺寸不一样，一片晶圆上可以做几十到几万个die，最后要切下来封装。(6寸，8寸，12寸不同，还和沟道长度有关系，尺寸越大，做得越小，就可以产出越多 成本就越低。si基现在8寸，12寸为主，6寸及以下要慢慢淘汰，第三代化合物半导体，比如SIC和GaN目前8寸能够量产的厂商还是个位数，六寸和4寸还有市场。

c 钝化层保护

制造完成前面的器件层和金属层之后，还要加一层保护，比如SiO2或者SiN将其包裹起来，再开几个金属链接点用于后续封装使用（用于外部触发）。基本上Wafer制造过程就完成，可以交给封测厂进行切割和封装测试来。

总体而言，晶圆来料表面是光滑平坦的，要在上面加工出错综复杂的器件和金属线路，需要经过增材、减材和改性处理才行。这些过程主要和化学腐蚀和离子轰击有关。其中增材就是薄膜相关工艺，减材就是刻蚀，改性就是注入相关工艺，还有就是上述三个处理过程发生的具体位置通常要在晶圆上画出来指示加工的范围，就是光刻的工作。

ET:刻蚀，用化学或物理的方法做减材处理，分为干刻和湿刻，要刻得刚刚好，不能过刻 也不能不足，刻蚀率和选择比就很重要。

TF:薄膜，在晶圆上面长膜，分pvd和cvd两种，膜厚，均匀度，平坦度很重要。

DF:扩散/注入,扩散通常是把离子打到比较浅，再高温加热让它扩散到深处，注入是直接用能量打进去，不要加热，属于可以常温下下处理的一种工艺。

PH:黄光，车间里面这个区域的灯都是黄色的，包括匀胶，曝光，显影三大工序，胶分为正胶和负胶。

四大模组制造产品，过程当中也是要穿插检测进行测量，防止不良造成后段工序出现问题，比如光刻不同层之间要确定套准偏差在规格以内，刻蚀要关注刻蚀后的台阶，薄膜要量膜厚等等。

做完之后，看产品，有些还有背金，就是把整个Wafer背面做减薄处理。最后出货前，还要进行Wat 和CP的电性检测，比如电阻值，电容(栅极电容），电压这些的测量，其中，WAT是抽测，CP是全检，会用到的探针卡，测到的ng的芯片，要用墨点掉，就是把晶圆上ng的那一些芯片打一个墨点，这个工步叫ink，封装厂到时候就不会去封装这些带墨点的die，以及外观检验和Packing真空包装出货。

一片Wafer从投片到出货，会经过几百步骤乃至几千步。初前面的衬底制备，和后面的成品检测外，中间的步骤就是一层一层的薄膜、光刻、刻蚀、扩散的循环，每一个层就是所谓Layer，层与层之间要对准，否则就有可能影响器件特性。而影响层与层对准的可能是工艺参数，比如涂胶时候的转速导致涂胶不均匀进而影响曝光之类。大概工艺影响的链条是这样:

工艺参数（Recipe参数）、工艺特性（cd/ovl、profile…）、器件特性（Wat可检出电性:Vt、Ron、Loff、Rcvia、Rsheet、Continuty…;CP可检出电性:RT／HT、Vt、Ron、Loff…）、产品使用性（可靠性），日常分析的理想状态就是要去把握它们之间的Corelation分析。如果在具体产品的制造过程中，如果我们知道机台的某个参数，比如:压力、功率，它会影响到最终CP的哪个具体器件特性，比如击穿电压之类。就可以将其集成到CIM系统里面进行卡控。日积月累形成制造系统知识库，让车间的抗扰动能力不断加强，以提高良率、效率和降低单件成本。基于这样的目的，要有一堆人用系统的术语理解，从事不同的岗位，共同努力才能实现。

三、术语总结

3.1 与人相关

3.1.1 工作岗位

CE:负责对接客户的工程师

TD:技术研发部门

PIE:制程整合工程师，类似产品经理和PM的角色

PE:工艺工程师，简称工艺

工作日常:刷邮件有没有被highlight，有没有领导或者别部门的待处理事项；夜班交接事项:Hold lot处理、机台、产品相关事项的处理；开会:Issue的处理、action item的进度；处理 Hold lot、异常、各种项目协助工作:hold 比例下降项目、良率提项目等

EE:设备工程师，简称设备

PP:生产计划

IE:工业工程师

厂务工程师

MFG:制造部

YE:缺陷改善工程师

TO:生产技术员

3.1.2 职位

台厂在高端电子代工占据全球半壁江山，公司都很大，几万人到几十万人不等，整个职位等级比较规整，他们貌似基本上实现了全行业标准化，一个协理出来，大概就知道是什么层级的管理层，相对而言，大陆企业的职位体系就各个公司都有很大差异，一个经理你就不好知道他是什么样的管理层。半导体行业受台湾影响比较大，整个职位体系就与台厂相近。台厂典型职位等级是:线长（班长）、组长、课长、部长、专理、副理、经理、处长、协理、副总、总经理、副总裁、总裁（台)。

大陆半导体厂基本上也是裁剪使用这一套，基本上会有这些职务:班长、课长（科长、课经理）、经理（部经理）、处长、总裁这样，其中省去了一些大陆不习惯的专理和协理这种称呼

3.2 与设备相关

Equip:机台

Equip Group:机台组，代表的是一种加工的能力（Capability），比如:AA层 Photo 涂胶，代表这个能力组的设备可以加工此层的涂胶，它具备这个能力。能力组的属性还有许多，比如Recipe等。设备和能力组是多对多的关系，代表一个机台用不同的参数就可以完成不同的加工，也就是具有不同的能力，按S95标准是使用Capability比Group更准确。

Recipe:配方/菜单，用以定义机台某一组加工参数和job process的集合。比如:感应到片子、抽最上面一片，进腔体1，抽真空至xx，过2min，移动到腔体2，使用xx参数加工xx时间，破真空…，把片子放回原Slot（槽位）。这样一个包含传动、流程和过程参数组成的集合就叫Recipe。

subEquip:子设备，如chamber和loadport

Chamber:腔体

Loadport:上料口

job:机台内部的加工过程，包括步骤以及每个步骤的腔体和对应参数和时间等的一个集合

打标机:用激光技术在Wafer上面刻上ID

刷洗机:打标会产生颗粒，因此需要进行刷洗

显微镜:洗的干不干净，可以用显微镜看

涂胶机:PR Coat，通过旋转在Wafer上匀胶，分正负光刻胶两种，正胶见光死，负胶见光活

曝光机:给光刻胶曝光

大面积透光为明场光罩板（Clear Mask），大面积不透光为暗场光罩板（Dark Mask），GDSII定义的图形区不透光则对应为Clear Mask，反之则为Dark Mask

显影机:给光刻胶显影，让图形显示出来

DUV、EUV光刻机

等等

3.3 与物料相关

Substrate:衬底，是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，是FAB厂从供应商采购的原材料，它也可以进行外延工艺加工生产外延片。

背面刻号:衬底来料背面通常会有供应商刻的追溯ID，是一串数字和字母组成的流水码

Spec:参数，来料关注的一些技术参数，比如厚度，电阻率之类的关键参数信息。还有工艺加工过程的参数也是叫Spec。参数通常会设置规格，超规格一般的处理是Hold

PN:料号，不同供应商，不同材料参数的衬底会有不同的料号，和Raw material一样的意思，站在供货方角度叫PN，站在收货方角度就叫原材料。

EPI:Epitaxy外延片，经过MOCVD工艺，可以在衬底上长一层几微米的单晶，可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延），由于新生单晶层按衬底晶相延伸生长，从而被称之为外延层。

Wafer:晶圆，口语叫片子，是一个统称，应该是包含外延，加工过的衬底和裸片

DIE:晶圆上面的一个芯片，也叫管芯，比如一片6寸的晶圆上可以制造3000个Die

Lot:若干个晶圆组成的一个批次叫Lot，比如8片一个Lot，25片一个Lot这样，通常根据产品，这个数量有一个常规值。通常会用一个ID进行标识。

NPW片:非产品片的总称，包括:结构片、监控片（Monitor）、QC片、Season暖机片、Dummy片

Season片:机台启动后，投个Season片进行暖机。不同机台或者Chamber的暖机机制差别很大，有些是For Recipe的，比如从A Recipe切换到B Recipe就要暖机;还有是For idle时间的暖机，比如停机多久就要暖机。当然，出了暖机还有冷机，就是比如切换到某个Recipe 必须冷却一段时间才能Run货。

QC片:定期检测机台参数是否OK,比如刻蚀速率、颗粒是否OK，就会投QC片子进去加工来检测参数

offline:与Lot加工处理不相关的定义为offline，比如设备PM、NPW的处理过程、辅助工具的处理过程的一些数据监控

Inline:与LOT加工直接相关的或者是监控LOT的参数属于Inline

SPC:统计过程控制，用以监控生产过程的稳定性，是一套IT系统。包括:控制图查询、异常查询等。比如膜厚，会监控单点规格和均值。超管控（OOC/OOS）会触发邮件报警和Hold，还有一些判异规则:比如连续七点上升或下降之类也会有相应处置

OOC/OOS:针对规格或控制图的两对控制线，比如目标值是100，ooc是-99.5和100.5（管控线）、oos是-99和101（规格线），OOC和OOS主要是Range的不同。

Batch:若干个lot和NPW组成的集合，产品+非产品一起进去加工，出来后，把NPW拿去测颗粒（Particle），用来判断产品上的颗粒水平，NPW是光片上面没图形测得更准。比如:炉管通常都是多个Lot一起组成Batch放在晶舟投进去加工。

Hold:把片子锁住不让往后流片，执行此动作的系统是MES

Release:解锁，片子可以继续往后流

Future hold:提前设置好片子要Hold在未来的哪个工序

MES:生产执行系统，用于管理生产过程的IT系统，包括:对生产过程和物理设施的建模、过程监控和追溯等功能，对下连接EAP、横向对接WMS、SPC系统和物流系统、对上连接ERP系统，也会和OA系统对接

issue:产线出现的问题，Triger Issue的因素很多，大概包括以下几个来源:工程师发现、系统发现、客户发现。通常系统发现的影响程度最小、工程师次之，客户发现最受重视，大部分是这样，不一定全是。

3.4 工艺方法相关

PWQ:为了更好地回避晶圆之间工艺参数的涨落对确定工艺窗口的影响，可以在同一片晶圆上改变曝光能量和聚焦度，再用缺陷检测的方法来确定最佳曝光条件。这一工作被称为工艺窗口的再验证（process window qualification, PWQ）

splits:分批

optimize

parameter 的 correlation确认

3.5 工作场景相关

测机

做Daily Monitor，用以监控机台的THK（厚度）、PA（颗粒）、U％（均匀度），并形成offline Chart。

缺陷监控

用KLA缺陷检测机台扫发现Defect，于是Highlight defect 给PE owner，工程师就要确认SPC 有没有OOC和OOS，或确认FDC的log有否异常，若发现机台有问题，就会PM，PM时可能要Calibration 某些部件，PM之后，要确认BaseLine后，才可以Release给MFG。

解Hold lot

产线出现Issue，MES hold lot，工程师确认发现是Q time 超 ,初步判定不会产生Defect，也不会影响良率，于是做Release 处理

PCRB:Program Change Review Board，项目变更审查委员会

FMEA、PSM、DOE、SPC、Hold Rate、Rework Rate、PCRB、YE、8D Report

weekly:一周一次

bi-weekly:两周一次

MO:Miss operation

double confirm

cip:continue improve plan

bsk:best known method 最佳方法

AI/AR:action item/request 应执行项目

fyi:For your information

ndr:non-conforming disposition report 异常单，全称忘记了 有问题开单处理

OCAP:out of control action plan失控行动计划，比如EDC OOS了，第一步是确认量测数据有没有错，第二步是重新量，第三步是……等等，这样的一个流程方案。

DRB:Disposition Review Board

Event abnormal review

mrb:material review board

DRB，EAR、MRB:大概就是异常的处理流程，DRB是确认要不要追踪电性，比如介质厚度便薄可能会影响电容，就要追踪一下子，这个lot owner层级可处理，报废比较多就要EAR经理处理，再升级就是MRB处长以上决策。这个不知道正不正规，姑且看看。

-以下为总结前-

刚刚入门半导体行业，对于中英文夹杂的沟通方式，还不适应。但是没办法，为了工作，只能听到一个，就记下来一个，这里暂时不分类，以后都懂了，再整理。

1.Lot:批号，晶圆以25Pcs为单位装在一个晶盒里，这25片晶元组成的批就是Lot，会用一个唯一ID标识。

2.Box:晶圆盒。网上查了，好像还有其他叫法，反正老员工告诉我，我们就是叫Box，我就姑且这样记下来。也有叫foup的，前开式晶圆盒。

3.Cassette:卡塞，晶元一片一片不可能直接放进盒子，要有一个架子，一片一片塞进架子，再把整个架子放进晶元盒内，这个架子就叫Cassette。Cassette，分为专用和流转，专用是在某个制程使用，要加工时，需要把晶元装到专用Cassette才允许在本制程加工。

4.PR:光刻胶，曝光之前要覆胶，就是光刻胶。光刻胶要管控，比如温度要在常温下（原材料要放冰箱），换批次要清洗管道，过保质期不能使用等。这些需要MES来管理。

5.reticle:也叫mask，光罩，就是曝光时候的掩模板，这和工艺有关，上面的图像要复印到光刻胶上，为后续显影做准备。光罩也要管控，有定时清洗，检查的要求，也有使用次数的管控，也是MES要具备的功能。6.

7.衬底:从供应商来的原材料，一般叫衬底，根据材料不同会分为Si衬底，SiC衬底，GaN衬底，后面两个是化合物半导体，也就是所谓的宽禁带半导体，第三代半导体。第三代半导体并不是一个等级的迭代，只是用途上的差异，只在特定场景会有部分取代关系，比如需要高转化率的场景，如充电器，要交流转直流，高压转低压。

电阻率:除材料外，还关心一个参数，就是电阻率。投片时候也要特别注意。

8.投片:原材料从仓库发产线，投产就叫投片。

9.刻号:LaserMarking，激光打标，就是在每个衬底上打一个唯一ID，用于后续追溯。

10.导片器:半导体加工，投料进机台，通常是把cassette放进去，设备自动从cassette取片生产。由于设备料口差异，很多工站都有本工站的专用cassette，因此就要把片子从流转的cassette导到专用cassette里面，这个过程用到的工具就叫导片器。

11.吸笔:如果要看其中一个片子，不可能手拿，要用吸笔去吸。

12.Particle:微粒，行业内管粉尘叫半导体杀手。

13.洁净室:所以就要在无尘室里面生产。通常要百级以下，要求高的甚至更低，比如10级。（等级划分标准是:立方米空间最大允许大于某粒径颗粒物的数量浓度）

15.Recipe:菜单或配方，就是设备的参数集。比如一台PVD设备，要做镀膜。你要定义好，里面有多个腔体是只走一个还是都走，要多久等等，这些参数，会绑定一个id，就形成一个recipe。

需要注意的是单有recipe，并不能保证就产出良品。加工其实是物料、工法(recipe)和设备三位一体的子系统。recipe这样规定可能是研发阶段定义的，可是来料的具体情况是可能不一样，不能保证每一片wafer都一样，还有设备里面的零部件和用到的材料比如光刻胶等等，也不能保证一直都是一致。也就是它们是一个动态的场景。如何确保这个动态场景能够稳定产出（良率和效率都稳定），就是要工程师们持续努力的工作。

16.Equipment:机台，分为加工机台和量测机台，这和电子行业差不多。

17.subequipment:子设备，比如chamber，腔体，loadport，上料口，prober探针卡，这些子设备要挂在设备上。

18.PM:机台保养，season季度保养，dailymonitor，每日监控。

19.pirun:试跑，机台检修完之后通常要试跑一下。

20.SECS/GEN协议，半导体设备的一种通用协议标准。通常用于EAP系统。协议内容用尖括号括起来。用数字字母组成的命令作为一些标准通信校验值。

21.batch，像炉管，通常要把几个lot合并成一批进去加工，这就是batch批。

22.reserve，预约。因为炉管通常可以一次性加工多个lot，如果lot不能一起到达，机台也不可能等着，就会没满批进去加工造成产能损失，满批率低，所以要提前预约，然后在一些工步跟催物料一起到达。

23产品关注的一些属性:衬底Si，GAN，SiC，尺寸几纳米制程。层数，多晶硅层数，是没有，单层还是双层，金属是单层还是多层。在那个位置生产。什么时候grind，有没有epi，客户要求的最短loop，在那个工艺出货。

24.车间分区，车间内部会分为waferstart、刻蚀区、黄光区，薄膜区、注入区、WAT区这些功能区。这和离散制造组装车间会分层焊接、点胶、量测、OQC、SI功能区差不多，主要是好找人和定位物料。

25.晶圆关注的一些参数包括:膜厚，颗粒，翘曲度，平整度，还有一些电性指标，具体电性指标包括:(待补充)，经常测量是在wafer上选几个点进行测，比如外观检查通常用显微镜看五个点(上下左右中)。

26.产品研发过程:半导体的研发过程貌似不像离散制造和汽车制造一样，有标准化的阶段目标，比如build，pro，evt，cb，dvt，pvt，mp这样。目前半导体只是笼统分为研发和量产，研发又细分为什么阶段，似乎没有资料。研发工作内容大概包括:集成开发(确定工艺的步骤数量，比如一个产品，别人要400步做出来，你300步就做出来，那么你的成本就比别人低25%)，单工艺开发，就是对每个工艺的具体加工参数，设备，材料，工时等细节进行定义。参数调优:单工艺ok，制程之间还会相互影响，需要进行验证，确保连起来也ok。

27.fab从需求取得到最终出货的流程:市场接到客户的需求，大概包括两方面:一个是过程技术的要求，一个是交货的需求；技术需求需要给到td部门去进行技术分析，然后由pie组织研发计划，然后工艺针对性做工艺开发，定义recipe，根据工艺的要求设备进行设备调试，厂务负责水电气的保证。现场装机和水电气改造要符合工业安全的制度和ie的动线规划。交货方面，就要由产能和客户需求以及对既有需求几个方面评估后，制定生产计划，然后进行原材料采购(有安全库存就不要)，下订单，工单进行投产，然后加工成品入库，打包，再通过物流配送给客户，然后结应收账款。基本上和离散制造差不多，只是细节管控和一些叫法有所差异，还有就是精细化管理水平的一些差别。

28.wafer的产品管理没有BOM的概念，因此它对产品的形态的定义只有原材料和成品，没有半成品(主要原因是原则上除非报废，半成品是不入库的)，但是这种管理方式会对委外造成影响，委外会产生费用，半成品分摊和成品肯定是不一样的，入到erp，erp会无法区别，造成成本评估不准。（这和离散制造的装配件的产品管理有本质不同）

29.contamination:污染。芯片的生产过程，就是在衬底上造出一堆的三极管，每个三极管分为源极漏极和栅极，好多个三级管组成一个芯片。一个晶圆上有几千个芯片，芯片之间会有界限隔开，而不同极之所以不同，其实就是因为掺杂了不同离子进去。这种离子要在特定制程注入才行，如果离子错了，就会改变电性，造成报废，因此，不能有污染。比如不能把后段的片子拿到前段机台去加工，因为它是带金属的，这样会污染机台，那前段晶圆再进去加工就会被机台污染了。因此要对污染等级进行严格控管。防止高等级的污染低等级的。

30.hold相关:hold就是锁住，不让动了，hold lot就是产品被锁不能生产要有人处理，通常会alarm或者触发发ocap，alarm就是报警，比如短信，邮件，ocap就是一个处理流程，比如ee处理，pe处理，pie确认这样一个流程。处理完release，release就是解除锁定，又可以run了。31.设备hold举例原因:后量ng(就是生产的片子量测不通过），触发hold；保养到期hold（该保养了)。累计生产数量到一定限额触发hold（根据经验值生产这么多数量就该换备件或者清理机台了，比如各种沉淀物之类）等。

32.炉管一般要控挡片一起进去加工，一次多个lot。monitor片，dummy片，season片有循环使用和降级使用。

33.POR:process of record

34.ecn:engineering change notice

35.tecn:temporary ecn

36.str:special test request

37.模组:模组对应的就是工艺类型，比如薄膜，光刻，刻蚀，注入这些。基于分工的原则，模组又指代部门，比如光刻部，薄膜部这样。企业做大之后一般都是这样的分工模式，半导体因为一直是借鉴的台厂为主，所以也走这种分工模式。