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对SDRAM中“突发（Burst）” 的理解
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http://blog.sina.com.cn/s/blog_4a6ecb3e0100t7ho.html 在模式寄存器中需要设置SDRAM的突发长度、突发类型以及其它的一些设置。我们这里这种讲解“突发长度” 、“ 突发类型”。有这样的一张表格：
我现在有三个疑问： （1）突发的概念。 （2）1、2、4、8、全页代表什么。 （3）全页、保留有什么区别，即A3的作用。 那么，我们现在就开始探索一下这三个问题： 1. 突发的概念 首先，从《高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版》上找“突发”的概念，Burst与其翻译成突发不如翻译成连续。 所谓的“突发”是指当我们对一个地址进行寻址并操作完成后，不必再重新对下一个地址进行寻址，而是直接进行操作。这样就节省了很多的时间。具体的情况也很简单就是节省了延时的那段时间。 读：初始化→发行地址→RCD→发列地址→CL→数据 写：初始化→发行地址→RCD→发列地址→数据即RCD，《高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版》上说还有CL，不知对吗，我认为CL不可节省，之后的数据用一个周期就可以获得。
答：突发长度（BL）的值，即连续读几个列地址。 所谓的对页（Page）操作是指对P-Bank中的每一个芯片的同一个L-Bank、同一个行地址，进行操作。Ok，这个问题也解释清楚了。 3.全页、保留有什么区别，即A3的作用。上面的那张表表达并不完善，下面的这张表表述的更清晰一些
附录： SDRAM框架
转载自：http://group.ednchina.com/1375/52869.aspx |
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